ZHCSSI8A September 2024 – November 2024 TPSM82843
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ | 輸出電壓 > 設(shè)定輸出電壓時 PFM 模式下的工作靜態(tài)電流 | 非開關(guān)，VEN = VIN，IOUT = 0μA，TJ = –40°C 至 85°C | 275 | 1500 | nA | |
| ISD | 關(guān)斷電流 | VEN = 0V，VSET = GND，TJ = –40°C 至 85°C | 4 | 850 | nA | |
| UVLO | ||||||
| VUVLO(R) | 欠壓鎖定上升閾值 | VIN 上升，IOUT = 0μA | 1.75 | 1.8 | V | |
| VUVLO(F) | 欠壓鎖定下降閾值 | VIN 下降，IOUT = 0μA | 1.65 | 1.7 | V | |
| VUVLO(H) | 欠壓鎖定遲滯 | 100 | mV | |||
| VSET 引腳 | ||||||
| VSET(LKG) | VSET 輸入漏電流 | TJ = -40°C 至 85°C | 10 | 800 | nA | |
| VSET(H) | VSET 高級檢測 | 啟動期間 VSET 上的電壓 | 1.0 | V | ||
| RSET | RSET 精度 | TJ = -20°C 至 125°C | -4 | 4 | % | |
| RSET | RSET 精度 | TJ = -40°C 至 125°C | -3.5 | 3.5 | % | |
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN 電壓上升閾值 | EN 上升，啟用開關(guān) | 0.8 | V | ||
| VEN(F) | EN 電壓下降閾值 | EN 下降，禁用開關(guān) | 0.4 | V | ||
| VEN(LKG) | EN 輸入漏電流 | VEN > 0.8V，TJ = –40°C 至 85°C | 1 | 25 | nA | |
| REN;PD | EN 內(nèi)部下拉電阻 | EN 引腳至 GND | 425 | 500 | k? | |
| VOUT 電壓 | ||||||
| VOUT | 直流輸出電壓精度 | PWM 運(yùn)行，TJ = -20°C 至 125°C | -1 | +1 | % | |
| VOUT | 直流輸出電壓精度 | PWM 運(yùn)行，TJ = -40°C 至 125°C | -1.5 | +1.5 | % | |
| VOUT | TPSM828436 | 0.4 | 0.8 | V | ||
| TPSM828437 | 0.8 | 1.8 | V | |||
| TPSM828438 | 1.8 | 3.6 | V | |||
| IVOS(LKG) | VOS 輸入漏電流 | TPSM828436，VEN = VIN，VVOS = 0.7V，TJ = –40°C 至 85°C | 100 | nA | ||
| TPSM828437，VEN = VIN，VVOS = 1.2V，TJ = –40°C 至 85°C | 100 | 250 | nA | |||
| TPSM828438，VEN = VIN，VVOS = 3.3V，TJ = –40°C 至 85°C | 275 | 450 | nA | |||
| fSW | IOUT = 400mA | 1.5 | MHz | |||
| STARTUP | ||||||
| tSS | TPSM828436 軟啟動時間 | 從 VOUT = VOUT 標(biāo)稱值的 0% 到 VOUT = 標(biāo)稱值的 95% | 0.45 | 0.6 | ms | |
| TPSM828438 軟啟動時間 | 1.0 | 1.4 | ||||
| TPSM828437 軟啟動時間 | 0.7 | 1.0 | ||||
| tStartup_delay | EN 高電平到開關(guān)延遲開始 | R2D = GND | 330 | 560 | μs | |
| 功率級 | ||||||
| RDSON(HS) | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VIN = 3.6V，IOUT = 300mA | 170 | 260 | mΩ | |
| RDSON(LS) | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VIN = 3.6V，IOUT = 300mA | 70 | 115 | mΩ | |
| RDROPOUT | 壓降電阻高側(cè) MOSFET RDSON + LDCR | VIN = 3.6V，IOUT = 300mA，25°C 時的典型值 | 280 | mΩ | ||
| ILKG_SW | 流入 SW 引腳的漏電流 | VSW = 0.7V，TJ = –40°C 至 85°C | 0 | 35 | nA | |
| ILKG_SW | 流入 SW 引腳的漏電流 | VSW = 1.2V，TJ = –40°C 至 85°C | 0 | 45 | nA | |
| ILKG_SW | 流入 SW 引腳的漏電流 | VVIN > VSW，VSW = 3.3V，TJ = –40°C 至 85°C | 0 | 45 | nA | |
| 過流保護(hù) | ||||||
| IHS(OC) | 高側(cè)峰值電流限值 | VIN ≥ 2.2V | 0.9 | 1.1 | 1.3 | A |
| ILS(OC) | 低側(cè)谷值電流限值 | VIN ≥ 2.2V | 0.79 | 1.0 | 1.11 | A |
| 輸出放電 | ||||||
| RDSCH_VOS | VOS 引腳上的輸出放電電阻 | VEN = GND，I(VOS) = –10mA | 7 | 22 | ? | |
| 熱關(guān)斷 | ||||||
| TJ(SD) | 熱關(guān)斷閾值 | 溫度上升 | 160 | °C | ||
| TJ(HYS) | 熱關(guān)斷遲滯 | 20 | °C | |||