ZHCSRH4A October 2023 – December 2023 TPSM365R1 , TPSM365R15
PRODUCTION DATA
7.3.10 電流限制和短路
TPSM365R1x 通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下進行保護。
高側 (HS) MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將高側開關電流與固定電流設定點的最小值，或與內部誤差放大器環路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于內部誤差放大器環路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當低側 (LS) 開關接通時，也會檢測和監控流經它的電流。與高側器件一樣，低側器件具有由內部誤差放大器環路命令的關斷功能。對于低側器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關周期，也會在電流超過此值時阻止關斷。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。該限值在圖 7-11 中稱為低側電流限值 ILS-LIMIT。如果超出低側電流限值，低側 MOSFET 將保持導通狀態，高側開關不會導通。一旦低側電流降至此限值以下，低側開關就會關斷，并且只要自高側器件上次導通后至少經過一個時鐘周期，高側開關就會再次導通。
圖 7-11 電流限值波形由于電流波形假定值介于 ISC 和 ILS-LIMIT 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值，除非占空比非常高。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，電流紋波必須非常低以防止不穩定。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 ILS-LIMIT。
圖 7-12 輸出電壓與輸出電流間的關系