ZHCSQA0A March 2023 – April 2023 TPSF12C1
PRODUCTION DATA
從 TPSF12C1 的內(nèi)部檢測(cè)濾波器和求和網(wǎng)絡(luò)得出的 CM 噪聲信號(hào)由增益級(jí)在內(nèi)部反相并放大。IC 的 COMP1 和 COMP2 引腳之間的元件(在圖 9-2 中指定為 RG、CG1 和 CG2)用于設(shè)置增益特性。
更具體地說(shuō),電阻器 RG 在需要 EMI 濾波的頻率處建立了較高的中頻 AEF 增益。電容器 CG1 會(huì)增加該分支在低頻時(shí)的阻抗,從而設(shè)置較低的 AEF 放大器增益,以進(jìn)一步抑制 INJ 輸出端出現(xiàn)的線路頻率分量。電容器 CG2 在高頻下保持增益,從而擴(kuò)展 AEF 帶寬。
為 R1 選擇一個(gè)介于 1Ω 和 2kΩ 之間的值。1.5kΩ 的電阻是常見(jiàn)選擇,在本例中選擇此電阻值來(lái)設(shè)置 50dB 的中頻增益。分別為 CG1 和 CG2 選擇 10nF 和 10pF 的電容,從而建立低于大概 10kHz 的增益滾降,以實(shí)現(xiàn)線路頻率和低頻衰減。