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ZHCSUF1D January 2024 – July 2025 TPS7H3014-SEP , TPS7H3014-SP

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

HFT|22
- MCCF005B

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

8.3.4.1 DLY_TMR

TPS7H3014 具有可調節時間延遲。DLY_TMR 引腳和 GND 之間連接的單個電阻器將對延遲進行編程。對于 268μs 至 23.63ms 的延遲，可能的電阻器 (R_DLY) 值相應介于 10.5kΩ 和 1.18MΩ 之間。在定序上電期間，在受監控的電壓超過“接通”電壓 (V_OUTx > V_ONx) 后，此延遲會使 EN_x+1、SEQ_DONE 和 PWRGD 在用戶編程的時間內保持在低電平。在定序下電期間，在受監控電壓超過“關斷”電壓 (V_OUTx < V_OFFx) 后，EN_x–1 和 SEQ_DONE 在編程的延遲時間內保持高電平。

注：在定序下電期間，PWRGD 在 V_DOWN < V_{TH_DOWN} 后立即變為低電平。

如果系統首選無延遲，則可以將引腳 (DLY_TMR) 保持懸空。當首選無延遲時，在定序上電期間，在 V_OUTx 超過 V_ONx 和 EN_x+1 變為高電平之間，會觀察到 6.5μs（最大值）的固有傳播延遲。當 V_OUTx 超過 V_OFFx 且 EN_x–1 被強制為低電平時，在定序下電期間也會觀察到傳播延遲。SEQ_DONE 和 PWRGD 在定序上電期間 V_OUT4 > V_ON4 時也具有此傳播延遲。在定序下電期間，當 V_OUT1 < V_OFF1 時，SEQ_DONE 將在傳播延遲后變為低電平，而當命令定序下電時，PWRGD 將在傳播延遲后變為低電平。圖 8-8 以藍色顯示傳播延遲（t_{pd_ENx}、t_{pd_SEQ_DONE}、t_{pd_PWRGD}），以橙色顯示編程延遲 (t_{DLY_TMR})。DLY_TMR 電阻器可以使用方程式 15 或方程式 16 來選擇。圖 8-9 和圖 8-10 顯示了 DLY_TMR 電阻器和延遲時間之間的線性趨勢。

如果 t_{DLY_TMR} 介于 0.268ms 和 12.5ms 之間，請使用：

方程式 15.

R_{D L Y_T M R} (k ?) = [49.75 \times t_{D L Y_T M R} (m s)] - 2.832

如果 t_{DLY_TMR} 大于 12.5ms，請使用：

方程式 16.

R_{D L Y_T M R} (k ?) = [51.61 \times t_{D L Y_T M R} (m s)] - 26.12

表 8-1 顯示了不同延遲時間的標稱電阻器值。

表 8-1 典型 DLY_TMR 電阻器

t_{DLY_TMR} (ms)	R_{DLY_TMR} (kΩ)
0.268	10.5
12.5	619
23.37	1180

TPS7H3014-SP TPS7H3014-SEP RDLY_TMR 與 tDLY_TMR 間從 0.268ms 至 12.5ms 的關系

圖 8-9 R_{DLY_TMR} 與 t_{DLY_TMR} 間從 0.268ms 至 12.5ms 的關系

TPS7H3014-SP TPS7H3014-SEP RDLY_TMR 與 tDLY_TMR 間從 12.5ms 至 23.37ms 的關系

圖 8-10 R_{DLY_TMR} 與 t_{DLY_TMR} 間從 12.5ms 至 23.37ms 的關系