ZHCSW84 December 2024 TPS62964 , TPS62966 , TPS62968
PRODUCTION DATA
該器件具有短路和過(guò)流保護(hù)功能。開(kāi)關(guān)電流限值可防止器件出現(xiàn)高電感器電流和從輸入電壓軌汲取過(guò)大的電流。在電感器短路、飽和或者輸出電路重載或短路的情況下,可能會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電流。如果電感器電流達(dá)到閾值 (ISWpeak),高側(cè) MOSFET 將關(guān)斷,低側(cè) MOSFET 將導(dǎo)通,以便降低電感器電流。僅當(dāng)?shù)蛡?cè)電流低于低側(cè)拉電流限值 ISWvalley 時(shí),高側(cè) MOSFET 才會(huì)再次導(dǎo)通。
由于內(nèi)部傳播延遲,實(shí)際電流可能會(huì)超過(guò)靜態(tài)電流限制,尤其是在輸入電壓較高且使用非常小的電感的情況下。動(dòng)態(tài)電流限制的計(jì)算方法如下面的方程式 1 所示:
其中
低側(cè) MOSFET 還包含負(fù)電流限值,以防止過(guò)大的電流通過(guò)電感器流回輸入端。如果超過(guò)低側(cè)灌電流限制,低側(cè) MOSFET 將關(guān)閉。在這種情況下,兩個(gè) MOSFET 都會(huì)關(guān)閉,直到下一個(gè)周期開(kāi)始為止。