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ZHCSOJ1A February 2022 – April 2022 TPS565242 , TPS565247

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DRL|6
- MPDS159I

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcsoj1a_oa

6.5 電氣特性

T_J = –40°C 至 125°C，V_IN = 12V（除非另有說(shuō)明）

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電源電壓
V_IN	輸入電壓范圍	V_IN	3		16	V
I_VIN	VIN 電源電流	無(wú)負(fù)載，V_EN = 5V，V_FB = 0.65V，非開(kāi)關(guān)，ECO 版本		120		μA
I_VIN	VIN 電源電流	無(wú)負(fù)載，V_EN = 5V，V_FB = 0.65V，非開(kāi)關(guān)，F(xiàn)CCM 版本		400		μA
I_INSDN	VIN 關(guān)斷電流	無(wú)負(fù)載，V_EN = 0V		2		μA
UVLO
UVLO	VIN 欠壓鎖定	喚醒 VIN 電壓	2.75	2.92	3	V
UVLO	VIN 欠壓鎖定	關(guān)斷 VIN 電壓	2.6	2.72	2.9	V
UVLO	VIN 欠壓鎖定	遲滯 VIN 電壓		200		mV
反饋電壓
V_REF	FB 電壓	T_J = 25°C	594	600	606	mV
V_REF	FB 電壓	T_J = –40°C 至 125°C	591	600	609	mV
MOSFET
R_{DS (ON)HI}(1)	高側(cè) MOSFET R_DS(ON)	T_J = 25°C，V_VIN ≥ 5V		28.2		mΩ
R_{DS (ON)HI}(1)	高側(cè) MOSFET R_DS(ON)	T_J = 25°C，V_VIN = 3V		30.1		mΩ
R_{DS (ON)LO}	低側(cè) MOSFET R_DS(ON)	T_J = 25°C，V_VIN ≥ 5V		15.1		mΩ
R_{DS (ON)LO}	低側(cè) MOSFET R_DS(ON)	T_J = 25°C，V_VIN = 3V		16.1		mΩ
I_{OCL_LS}	過(guò)流閾值	谷值電流設(shè)定點(diǎn)	5.3	6.9	8.5	A
I_NOCL	負(fù)過(guò)流閾值		2	3.4	4.2	A
占空比和頻率控制
F_SW	開(kāi)關(guān)頻率	T_J = 25°C，V_VOUT = 3.3V		600		kHz
T_ON(MIN)⁽¹⁾	最短導(dǎo)通時(shí)間	T_J = 25°C		50		ns
T_OFF(MIN)⁽¹⁾	最短關(guān)斷時(shí)間	V_FB = 0.5V		100		ns
邏輯閾值
V_EN(ON)	EN 閾值高電平		1.07	1.18	1.33	V
V_EN(OFF)	EN 閾值低電平		0.95	1	1.2	V
V_ENHYS	EN 遲滯			180		mV
_REN1	EN 下拉電阻器			2		M?
軟啟動(dòng)
t_SS	內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間			1.39		ms
輸出欠壓和過(guò)壓保護(hù)
V_OVP	OVP 跳變閾值		115%	120%	125%
t_OVPDLY	OVP 傳播抗尖峰脈沖	T_J = 25°C		24		μs
V_UVP	UVP 跳變閾值		55%	60%	65%
t_UVPDLY	UVP 傳播抗尖峰脈沖			256		μs
t_UVPDEL	相對(duì)于 SS 時(shí)間的輸出斷續(xù)延遲	UVP 檢測(cè)		256		μs
t_UVPEN	相對(duì)于 SS 時(shí)間的輸出斷續(xù)使能延遲	UVP 檢測(cè)		13		ms
過(guò)熱保護(hù)
T_OTP(2)	OTP 跳變閾值			155		°C
T_OTPHSY(2)	OTP 遲滯			20		°C

(1) 由設(shè)計(jì)指定

(2) 未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試