ZHCSQ67 December 2023 TPS55289-Q1
PRODUCTION DATA
兩個(gè)高側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器中的每一個(gè)都從其浮動(dòng)自舉電容器進(jìn)行偏置，該電容器通常在低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)通過外部和內(nèi)部自舉二極管由 VCC 重新充電。當(dāng) TPS55289-Q1 僅在降壓或升壓區(qū)域運(yùn)行時(shí)，其中一個(gè)高側(cè) MOSFET 會(huì)持續(xù)導(dǎo)通。從 VOUT 和 BOOT2 到 BOOT1，或從 VIN 和 BOOT1 到 BOOT2 的內(nèi)部充電路徑會(huì)將自舉電容器充電至 VCC，使高側(cè) MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài)。