ZHCSO09A May 2023 – February 2024 TPS543B25
PRODUCTION DATA
當高側 MOSFET 在較短的消隱時間后導通時，在高側 MOSFET 中檢測電流，以使噪聲穩定下來。每當超過高側過流閾值時，高側 MOSFET 會立即關斷，低側 MOSFET 導通。在電流降至低于低側 MOSFET 過流閾值之前，高側 MOSFET 不會重新導通，從而在短路情況下有效地限制峰值電流。如果連續 15 個周期檢測到高側過流，器件將進入間斷模式。
低側 MOSFET 在較短的消隱時間后導通時也會檢測到電流，以使噪聲穩定下來。如果在從控制器接收到下一個傳入 PWM 信號時超過了低側過流閾值，則器件將跳過處理該 PWM 脈沖。該器件不會再次接通高側 MOSFET，直到不再超過低側過電流閾值。如果連續 15 個周期超過低側過流閾值，器件將進入間斷狀態。有兩個單獨的計數器分別用于高側電流事件和低側過電流事件。如果關斷時間太短，則低側過流不會跳閘。然而，低側過流在超過高側峰值過流限制后開始跳閘，因為超過峰值電流限制會縮短導通時間并延長關斷時間。
高側和低側正過流閾值均可使用 MSEL 引腳進行編程。提供了兩組閾值（“高”和“低”），在表 6-6 中進行了匯總。這些閾值的值是使用直流電流的開環測量獲得的，以準確指定值。在實際應用中，電感電流斜坡和斜坡速率是電感兩端電壓的函數 (VIN – VOUT) 以及電感值。然后，斜坡率與電流檢測電路中的延遲相結合，導致值與指定值略有不同。高側過流限制生效的電流可以略高于指定值，而低側過流限制生效的電流可以略低于指定值。
| MSEL 電流限制設置 | 高側過流典型值 (A) | 低側過流典型值 (A) |
|---|---|---|
| 高 |
36 |
27.5 |
| 低 |
29 |
22 |