ZHCSM43B August 2022 – February 2024 TPS543B22
PRODUCTION DATA
當(dāng)高側(cè) MOSFET 在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，在高側(cè) MOSFET 中檢測(cè)電流，以使噪聲穩(wěn)定下來(lái)。每當(dāng)超過(guò)高側(cè)過(guò)流閾值時(shí)，高側(cè) MOSFET 會(huì)立即關(guān)斷，低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通。在電流降至低于低側(cè) MOSFET 過(guò)流閾值之前，高側(cè) MOSFET 不會(huì)重新導(dǎo)通，從而在短路情況下有效地限制峰值電流。如果連續(xù) 15 個(gè)周期檢測(cè)到高側(cè)過(guò)流，器件將進(jìn)入間斷模式。
低側(cè) MOSFET 在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)也會(huì)檢測(cè)到電流，以使噪聲穩(wěn)定下來(lái)。如果在從控制器接收到下一個(gè)傳入 PWM 信號(hào)時(shí)超過(guò)了低側(cè)過(guò)流閾值，則器件將跳過(guò)處理該 PWM 脈沖。該器件不會(huì)再次接通高側(cè) MOSFET，直到不再超過(guò)低側(cè)過(guò)電流閾值。如果連續(xù) 15 個(gè)周期超過(guò)低側(cè)過(guò)流閾值，器件將進(jìn)入間斷狀態(tài)。有兩個(gè)單獨(dú)的計(jì)數(shù)器分別用于高側(cè)電流事件和低側(cè)過(guò)電流事件。如果關(guān)斷時(shí)間太短，則低側(cè)過(guò)流不會(huì)跳閘。然而，低側(cè)過(guò)流在超過(guò)高側(cè)峰值過(guò)流限制后開(kāi)始跳閘，因?yàn)槌^(guò)峰值電流限制會(huì)縮短導(dǎo)通時(shí)間并延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間。
高側(cè)和低側(cè)正過(guò)流閾值均可使用 MSEL 引腳進(jìn)行編程。提供了兩組閾值（“高”和“低”），在表 6-6 中進(jìn)行了匯總。這些閾值的值是使用直流電流的開(kāi)環(huán)測(cè)量獲得的，以準(zhǔn)確指定值。在實(shí)際應(yīng)用中，電感電流斜坡和斜坡速率是電感兩端電壓的函數(shù) (VIN – VOUT) 以及電感值。然后，斜坡率與電流檢測(cè)電路中的延遲相結(jié)合，導(dǎo)致值與指定值略有不同。高側(cè)過(guò)流限制生效的電流可以略高于指定值，而低側(cè)過(guò)流限制生效的電流可以略低于指定值。
| MSEL 電流限制設(shè)置 | 高側(cè)過(guò)流典型值 (A) | 低側(cè)過(guò)流典型值 (A) |
|---|---|---|
| 高 |
29 |
22 |
| 低 |
23 |
17.6 |