9 Revision History

Changes from Revision J (July 2022) to Revision K (January 2024)

• 更新了整個數據表中的 WEBENCH? 鏈接。向提到的 PowerPAD? 封裝添加了“集成電路”。將 MOSFET 電阻從 110m? 更改為 100m?。將 I _Q 從 18μA 更改為 15μAGo
• 將引腳配置圖標題更改為“帶有散熱焊盤的 DDA 封裝 8 引腳 SOIC（頂視圖）”，并將標題重新定位至正確的位置。將“PowerPAD”更改為“DAP”Go
• 將“絕對最大額定值”表更新為新格式，其中不包括特定參數名稱，但包括最小值和最大值列。在表頭中標出了 T_J。使用了引腳名稱而不是信號名稱。BOOT 和 PH 電壓現在標記為輸出電壓。更新了腳注并刪除了注釋 2Go
• 將 BOOT 至 PH 絕對最大值從 10V 更改為 6VGo
• 將 PH 至 GND（瞬態 < 10ns）絕對最大值從 -4V 更改為 -1.2VGo
• 將 CDM ESD 電壓從 ±1500V 更改為 ±750VGo
• 將建議的工作“V_I”更改為“輸入電壓”Go
• 更新了熱性能信息腳注以匹配當前 TI 標準，其中包括 JEDEC 標準信息。將定制電路板信息更改為 EVM R_θJA 信息Go
• 將 R_θJC(top) 從 46.4 更改為 46，將 R_θJB 從 20.8 更改為 15，將 ψ_JT 從 4.9 更改為 5.2，將 ψ_JB 從 20.7 更改為 15.3，并將 R_θJC(bot) 從 0.8 更改為 6Go
•  添加了典型規格 EC 表頭的條件，添加了參數名稱，并在參數描述中使用了引腳名稱。添加了腳注Go
• 將 V_FB 的測試條件從“I_O = 0A 至 3A”更改為“T_J =–40°C 至 125°C”，將 r_DS(ON) 更改為 R_DSON(HS)，并將 R_DSON(HS) 的測試條件從“VIN = 5.5V”更改為“V_IN = 5.5V，V_BOOT-SW = 4.0V”。Go
• 將 I_Q 的名稱在 ENA 為低電平時更改為 I_SD(VIN)，在芯片處于激活狀態時更改為 I_Q(VIN) Go
• 添加了 D_MAX 的測試條件“f_SW = 500kHz”，并添加了第二個 R_DSON(HS) 規格的測試條件“V_IN = 12V，V_BOOT-SW = 4.5V”Go
• 將 I_Q(VIN) 典型值從 3mA 更改為 2mA，將 I_SD(VIN) 典型值從 18μA 更改為 15μA，將 VIN_UVLO(H) 從 330mV 更改為 0.35V，并將 V_EN(H) 從 450mV 更改為 325mVGo
• 將 VIN = 5V 時的 R_DS(ON) 典型值從 150mΩ 更改為 125mΩ，并將 VIN = 12V 時的典型值從 110mΩ 更改為 100mΩGo
• 將概述 中的“110mΩ 高側 MOSFET”更改為“100mΩ 高側 MOSFET”，并將 18μA 更改為 15μAGo
• 將使能 (ENA) 和內部慢啟動 部分中的關斷電流從 18μA 更改為 15μAGo
• 將 UVLO 描述中的 UVLO 遲滯從 330mV 更改為 350mVGo
• 將圖 7-1中 TPS5430DDA 封裝圖的“PwPd”更改為“DAP”，并將電路說明中的“裸露的 PowerPAD?”更改為“DAP”Go
• 將圖 7-9 中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
• 將圖 7-10 中 TPS5431DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
• 將圖 7-11中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
• 將布局指南 中的“PowerPAD”更改為“DAP” Go