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ZHCSQN0A December 2023 – December 2024 TPS4800-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

DGX|19

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.3.3 短路保護

TPS48000-Q1 具有可調節的短路保護功能。閾值和響應時間可分別用 R_ISCP 電阻器和 C_TMR 電容器來調整。該器件會檢測 CS+ 和 CS– 引腳上的電壓。這些引腳可連接在 FET 漏極和源極端子上以用于 FET R_DSON 檢測，或連接在外部高電平端或低電平端電流檢測電阻 (R_SNS) 上，分別如圖 7-5、圖 7-6、圖 7-7 和圖 7-8 所示。

TPS4800-Q1 具有基于外部檢測電阻 RSNS 的高電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

圖 7-5 具有基于外部檢測電阻 RSNS 的高電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

TPS4800-Q1 具有基于 MOSFET RDSON 電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

圖 7-6 具有基于 MOSFET RDSON 電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

TPS4800-Q1 在電池端具有基于外部檢測電阻 RSNS 的低電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

圖 7-7 在電池端具有基于外部檢測電阻 RSNS 的低電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

TPS4800-Q1 具有基于外部檢測電阻 RSNS 的低電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

圖 7-8 具有基于外部檢測電阻 RSNS 的低電平端電流檢測功能的 TPS48000-Q1 應用電路

可在 ISCP 和 GND 引腳上使用外部 R_ISCP 電阻來設置短路檢測閾值。使用方程式 5 可計算所需的 R_ISCP 值：

方程式 5.

R_{I S C P} (Ω) = \frac{(I_{S C} \times R_{S N S} - 19 m V)}{2 μ A}

其中，

R_SNS 是高電平端和低電平端電流檢測電阻值或 FET R_DSON 值。

I_SC 是所需的短路電流電平。

當 TMR 和 GND 引腳上不連接 C_TMR 電容時，短路保護的響應速度最快。

當器件上電且 EN/UVLO、INP 被拉至高電平時，在 Q₁ 導通期間，通過監控 PD 到 SRC 的電壓可檢測外部 FET 的第一個 VGS。一旦 PD 到 SRC 的電壓升至高于 V_{(G_GOOD)}（典型值為 7.5V）閾值（這樣可確保外部 FET 增強），便會監控 SCP 比較器輸出。如果在 CS+ 和 CS– 上檢測到的電壓超過短路設定點 (V_SCP)，則 PD 會拉低至 SRC，而 FLT 將置為低電平。后續事件可以設置為自動重試或閉鎖，如后續部分所述。

僅當 CS_SEL 被拉至低電平時才會監測外部 FET (Q₁) 的 VGS。如圖 7-7 和圖 7-8 所示，對于低電平端電流檢測，不會監測外部 FET (Q₁) 的 VGS。

注：

短路閾值也可以通過緩沖器（而不是 R_ISCP 電阻）在 ISCP 引腳上連接外部偏置電壓來設置，從而實現電氣特性表中提到的具有更高 SCP 閾值精度的系統設計。要在 ISCP 引腳上強制施加的外部偏置電壓可以通過以下公式計算：

V_{(SCP_BIAS)}（單位為 mV）= I_SC x R_SNS x 5 - 95mV