ZHCSSJ6 july 2023 TPS38700S-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 常用參數 | ||||||
| VDD | 輸入電源電壓 | 2.2 | 5.5 | V | ||
| VBBAT | 備用電池電壓范圍 | 1.85 | 5.5 | V | ||
| UVLO_VDDR | UVLO VDD | 上升閾值 | 2.2 | V | ||
| UVLO_VDDF | UVLO VDD | 下降閾值/切換到 VBBAT | 1.90 | 2 | V | |
| UVLO_VBBAT | UVLO 備用電池 | 下降閾值 | 1.85 | V | ||
| POR | 上電復位電壓，所有輸出在高于該值時保證穩定 | 下降閾值 | 1.39 | V | ||
| IDD | 流入 VDD 引腳的電源電流 ACT=高電平 |
VDD ≤ 5.5V，上電序列完成 | 45 | 75 | μA | |
| IDD | 流入 VDD 引腳的電源電流 ACT=低電平 |
VDD ≤ 5.5V，斷電序列完成 |
35 | 60 | μA | |
| IBBAT | 來自 VBBAT 的電源電流 | VBBAT ≤ 5.5V | 35 | 60 | μA | |
| ILKG_NRST | 輸出漏電流 (NRST) | VDD = VNRST = 5.5V | 300 | nA | ||
| ILKG_NIRQ | 輸出漏電流 (NIRQ) | VDD = VNIRQ = 5.5V | 300 | nA | ||
| ACT_L | 邏輯低電平輸入 | 0.36 | V | |||
| ACT_H | 邏輯高電平輸入 | 0.84 | VDD - 0.2 | V | ||
| SYNC_H | 輸入高電平 | Io = 1mA | 1.1 | V | ||
| SYNC_L | 輸入低電平 | Io = 1mA | 0.36 | V | ||
| ACT | 內部下拉電阻 | 100 | k? | |||
| NRST | 輸出低電平 | 開漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| NIRQ | 輸出低電平 | 開漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| ENx | 輸出低電平 | 開漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| GPOx | 輸出低電平 | 開漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| OSC | 內部振蕩器容限 | -5 | 5 | % | ||
| Ilkg(BBAT) | 從 VBBAT 獲得的漏電流 | VBBAT > 1.85V | 300 | nA | ||
| TSD | 熱關斷 | 165 | ℃ | |||
| TSD 遲滯 | 熱關斷遲滯 | 25 | ℃ | |||
| I2C 電氣規格 | ||||||
| CB | SDA 和 SCL 的容性負載 | 400 | pF | |||
| SDA、SCL | 低電平閾值，OTP = 3.3V | 0.84 | V | |||
| SDA、SCL | 低電平閾值，OTP = 3.3V | 2.31 | V | |||
| SDA | 輸出低電平，灌電流為 3mA | 0.2 | V | |||