ZHCSDS9 April 2015 TPS3779 , TPS3780
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 Device Comparison Table
- 6 Pin Configuration and Functions
- 7 Specifications
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Power-Supply Recommendations
- 11Layout
- 12器件和文檔支持
- 13機械、封裝和可訂購信息
12 器件和文檔支持
12.1 器件支持
12.1.1 開發支持
12.1.1.1 評估模塊
評估模塊 (EVM) 可與 TPS3779 和 TPS3780 配套使用，幫助評估初始電路性能。 SLVU796 詳細介紹了 TPS3780EVM-154 的設計套件和評估模塊。
EVM 可通過德州儀器 (TI) 網站上的 TPS3779 和 TPS3780 產品文件夾獲取，也可直接從 TI 網上商店購買。
12.1.1.2 Spice 模型
分析模擬電路和系統的性能時，使用 SPICE 模型對電路性能進行計算機仿真非常有用。 您可以從相應器件產品文件夾中的仿真模型下獲取 TPS3779 和 TPS3780 的 SPICE 模型。
12.1.2 器件命名規則
TPS3779xyyyz 和 TPS3780xyyyz 是這些器件的通用命名約定。 TPS3779 和 TPS3780 代表此類器件所屬系列；x 用于表示滯后版本，yyy 預留給封裝標識符，z 為封裝數量。
- 示例：TPS3779CDBVR
- 系列：TPS3779（推挽）
- 滯后：10%
- DBV 封裝：6 引腳 SOT
- 封裝數量：R 表示卷（3000 片）
12.2 文檔支持
12.3 相關鏈接
以下表格列出了快速訪問鏈接。 范圍包括技術文檔、支持與社區資源、工具和軟件，并且可以快速訪問樣片或購買鏈接。
12.4 商標
All trademarks are the property of their respective owners.
12.5 靜電放電警告
這些裝置包含有限的內置 ESD 保護。 存儲或裝卸時，應將導線一起截短或將裝置放置于導電泡棉中，以防止 MOS 門極遭受靜電損傷。