ZHCSO89B November 2022 – August 2024 TPS35-Q1
PRODUCTION DATA
在使用引腳排列 A 和 B 時(shí),TPS35-Q1 還提供了可編程復(fù)位延遲選項(xiàng)。可以通過(guò)在 CRST 引腳和 GND 之間連接一個(gè)電容器來(lái)對(duì) TPS35-Q1 進(jìn)行編程,從而實(shí)現(xiàn)所需的復(fù)位延遲。CRST 引腳上給定外部電容產(chǎn)生的典型延遲時(shí)間可通過(guò)方程式 3 計(jì)算得出,其中 tD 是以秒為單位的復(fù)位延遲時(shí)間,CCRST 是以法拉為單位的電容。
為了最大限度地減小計(jì)算出的復(fù)位延遲時(shí)間與實(shí)際復(fù)位延遲時(shí)間之間的差異,請(qǐng)使用高質(zhì)量陶瓷電介質(zhì) COG 電容器,并最大限度地減小該引腳周圍的寄生電路板電容。表 8-1 列出了 CCRST 的復(fù)位延遲時(shí)間的理想電容值。
| CCRST | 復(fù)位 延遲時(shí)間 (tD) | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 最小值 (1) | 典型值 | 最大值 (1) | ||
| 10nF | 39.6 | 49.5 | 59.4 | ms |
| 100nF | 396 | 495 | 594 | ms |
| 1μF | 3960 | 4950 | 5940 | ms |