ZHCSQQ3A March 2024 – September 2024 TPS1213-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TPS12130-Q1 具有可調(diào)節(jié)的短路保護(hù)功能。閾值和響應(yīng)時(shí)間可分別用 RISCP 電阻器和 CTMR 電容器來(lái)調(diào)整。該器件會(huì)檢測(cè) CS+ 和 CS– 引腳上的電壓。這些引腳可連接在 FET 漏極和源極端子上以用于 FET RDSON 檢測(cè),或連接在外部電流檢測(cè)電阻 (RSNS) 上,分別如圖 7-7 和圖 7-8 所示。
使用 ISCP/LWU 和 GND 引腳上的外部 RISCP 電阻器設(shè)置硬短路檢測(cè)閾值。使用方程式 8 可計(jì)算所需的 RISCP 值:
其中,
RSNS 是電流檢測(cè)電阻值或 FET RDSON 值。
ISC 是所需的短路電流電平。
無(wú)需在 TMR 和 GND 引腳上連接 CTMR 電容器,硬短路保護(hù)響應(yīng)最快可小于 10μs。
器件通電且 EN/UVLO、INP 被拉至高電平時(shí),在 Q1 開(kāi)通期間,通過(guò)監(jiān)控 G1PD 到 SRC 的電壓可檢測(cè)主 FET 的第一個(gè) VGS。一旦 G1PD 到 SRC 的電壓升至高于 V(G1_GOOD) 閾值(這樣可確保外部 FET 增強(qiáng)),便會(huì)監(jiān)控 SCP 比較器輸出。如果在 CS+ 和 CS– 上檢測(cè)到的電壓超過(guò)短路設(shè)定點(diǎn) (VSCP/LWU),則 G1PD 會(huì)拉低至 SRC,而 FLT 在 10μs 內(nèi)將置為低電平(TMR 引腳開(kāi)路)。后續(xù)事件可以設(shè)置為自動(dòng)重試或閉鎖,如后續(xù)部分所述。