ZHCSYM9 July 2025 TPD4S201
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 標稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 上電和斷電時序 | |||||
| tON_FET | 從 VPWR UVLO 電壓上升到 CC 和 SBU OVP FET 導通所需的時間。 | 1.3 | 3.5 | ms | |
| tON_FET_DB | 從 VPWR UVLO 電壓上升到 CC 和 SBU OVP FET 導通且無電電池電阻器關斷所需的時間。 | 5.7 | 9.5 | ms | |
| dVPWR_OFF/dt | 斷電期間 CC 和 FET 關斷的最小壓擺率。 | -0.5 | V/μs | ||
| 過壓保護 | |||||
| tOVP_RESPONSE_CC | CCx 引腳上的 OVP 響應時間。從 OVP 置為有效到 OVP FET 關斷所需的時間。 | 70 | ns | ||
| tOVP_RESPONSE_SBU | SBUx 引腳上的 OVP 響應時間。從 OVP 置為有效到 OVP FET 關斷所需的時間。 | 80 | ns | ||
| tOVP_RECOVERY_CC | CCx 引腳上的 OVP 恢復時間。發生 OVP 后，在 CC FET 重新導通之前的最短持續時間。移除 OVP 以使 CC FET 重新導通。 | 0.9 | 2.3 | ms | |
| tOVP_RECOVERY_CC_DB | CCx 引腳上的 OVP 恢復時間。發生 OVP 后，在 CC FET 重新導通且無電電池電阻器關斷之前的最短持續時間。移除 OVP 以使 CC FET 重新導通。 | 5 | ms | ||
| tOVP_RECOVERY_SBU | SBUx 引腳上的 OVP 恢復時間。發生 OVP 后，在 SBU FET 重新導通之前的最短持續時間。移除 OVP 以使 SBU FET 重新導通。 | 0.62 | ms | ||
| tOVP_FLT_ASSERTION | 從 OVP 置為有效到 /FLT 置為有效所需的時間。FLT 置為有效的值是最大值的 10%。將 C_CCx 或 C_SBUx 設置為高于最大 OVP 閾值。從其通過典型 OVP 閾值開始計時。 | 20 | μs | ||
| tOVP_FLT_DEASSERTION | 從 CC FET 在 OVP 后導通到 FLT 置為無效所需的時間。 | 5 | ms | ||