ZHCSYG9 June 2025 TPD4S201-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CC OVP 開關 | ||||||
| RON | CC OVP FET 的導通電阻 | CCx = 5.5V、TJ ≤ 85℃ | 272 | 420 | mΩ | |
| CON_CC | 等效導通電容 | 器件上電時從 CCx 或 C_CCx 到 GND 的電容。在 VC_CCx/VCCx = 0V 至 1.2V、f = 400kHz 時測量。 | 40 | 74 | 120 | pF |
| RD_DB | 無電電池下拉電阻器（僅在器件未上電時存在） | VC_CCx = 2.6V | 4.1 | 5.1 | 6.1 | kΩ |
| VTH_DB | 在電池無電期間，與 RD 串聯的下拉 FET 的閾值電壓 | IC_CCx = 80μA | 0.5 | 0.9 | 1.2 | V |
| VOVPCC | CC 引腳上的 OVP 閾值 | 在 C_CCx 上施加 5.5V。升高 C_CCx 上的電壓，直到 FLT 引腳置為有效。對 CC FET 施加 100mA 負載，并觀察到 FET 關斷。 | 5.6 | 5.9 | 6.2 | V |
| VOVPCC_HYS | CC OVP 上的遲滯 | 在 C_CCx 上施加 6.5V。降低 C_CCx 上的 電壓，直到 FLT 引腳 置為無效。測量 C_CCx 的 上升和下降 OVP 閾值之間的差值。 |
50 | mV | ||
| BWON | 單端導通帶寬 (-3dB) | 測量從 C_CCx 到 CCx 的 -3dB 帶寬。單端 測量，50Ω 系統。Vcm = 0.1V 至 1.2V。 |
125 | MHz | ||
| VSTBUS_CC | CC 引腳上的 VBUS 短路容差 | 使用 1 米 USB Type C 電纜對 C_CCx 進行熱插拔，并在 CCx 上放置 30Ω 負載 |
21.5 | V | ||
| VSTBUS_CC_CLAMP | CC 引腳 (CCx) 上的 VBUS 短路系統側鉗位電壓 | 使用 1 米 USB Type C 電纜對 C_CCx 進行熱插拔。熱插拔電壓 C_CCx = 51V。VPWR = 3.3V。 在 CCx 上放置 30Ω 負載。 |
7 | V | ||
| SBU OVP 開關 | ||||||
| RON | SBU OVP FET 的導通電阻 | SBUx = 3.6V。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C | 4 | 6.8 | ? | |
| CON_SBU | 等效導通電容 | 器件上電時從 SBUx 或 C_SBUx 到 GND 的電容。在 VC_SBUx/VSBUx = 0.3V 至 4.0V 時測量。 | 6 | pF | ||
| VOVPSBU | SBU 引腳上的 OVP 閾值 | 在 C_SBUx 上施加 3.6V。升高 C_SBUx 上的電壓，直至 FLT 引腳置為有效。 | 4.0 | 4.2 | 4.41 | V |
| VOVPSBU_HYS | SBU OVP 上的遲滯 | 在 C_CCx 上施加 5V。降低 C_CCx 上的 電壓，直到 FLT 引腳 置為無效。測量 C_SBUx 的 上升和下降 OVP 閾值之間的差值。 |
50 | mV | ||
| BWON | 單端導通帶寬 (-3dB) | 測量從 C_SBUx 到 SBUx 的 -3dB 帶寬。單端測量，50Ω 系統。Vcm = 0.1V 至 3.6V。 | 600 | 760 | MHz | |
| XTALK | 串擾 | 在 f = 1MHz 時測量從 SBU1 到 C_SBU2 或從 SBU2 到 C_SBU1 的串擾。Vcm1 = 3.6V、Vcm2 = 0.3V。將開路端連接至 50Ω。 | -70 | dB | ||
| VSTBUS_SBU | SBU 引腳上的 VBUS 短路容差 | 使用 1 米 USB Type-C 電纜對 C_SBUx 進行熱插拔。在 SBUx 上，將一個 100nF 電容器與一個 40Ω 電阻器串聯并連接到 GND 。 |
51 | V | ||
| VSTBUS_SBU_CLAMP | SBU 引腳上的 VBUS 短路系統側鉗位電壓 (SBUx) | 使用 1 米 USB Type-C 電纜對 C_SBUx 進行熱插拔。熱插拔電壓 C_SBUx = 51V。VPWR = 3.3V。在 SBUx 上，將一個 150nF 電容器與一個 40Ω 電阻器串聯并連接到 GND。 | 7 | V | ||
| 電源和漏電流 | ||||||
| VPWR_UVLO | VPWR 欠壓鎖定 | 為 VPWR 施加 1V 電壓并升高電壓，直到 SBU 或 CC FET 導通。 | 2.1 | 2.3 | 2.6 | V |
| VPWR_UVLO_HYS | VPWR UVLO 遲滯 | 為 VPWR 施加 3V 電壓并降低電壓， 直到 SBU 或 CC FET 關斷；測量 上升和下降 UVLO 之間的差異 以計算遲滯。 |
70 | 100 | 130 | mV |
| IVPWR | VPWR 電源電流 | VPWR = 3.3V（典型值），VPWR = 4.5V （最大值）。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C。 |
112 | 160 | μA | |
| IC_CC_LEAK | 器件上電時 C_CCx 引腳的漏電流 | VPWR = 3.3V，VC_CCx = 3.6V，CCx 引腳懸空，測量流入 C_CCx 引腳的漏電流。 | 5 | μA | ||
| IC_SBU_LEAK | 器件上電時 C_SBUx 引腳的漏電流 | VPWR = 3.3V，VC_SBUx = 3.6V，SBUx 引腳懸空，測量流入 C_SBUx 引腳的漏電流。如果 SBUx 側被偏置且 C_SBUx 保持懸空，結果應相同。-40°C ≤ TJ ≤ +85°C | 3.2 | μA | ||
| IC_CC_LEAK_OVP | 器件處于 OVP 時 C_CCx 引腳的漏電流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引腳設置為 0V，測量流入 C_CCx 引腳的漏電流。 | 1200 | μA | ||
| IC_SBU_LEAK_OVP | 器件處于 OVP 狀態時 C_SBUx 引腳的漏電流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引腳設置為 0V，測量流入 C_SBUx 引腳的漏電流。 | 720 | μA | ||
| ICC_LEAK_OVP | 器件處于 OVP 狀態時 CC 引腳的漏電流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引腳設置為 0V，測量流出 CCx 引腳的漏電流。 | 30 | μA | ||
| ISBU_LEAK_OVP | 器件處于 OVP 狀態時 SBU 引腳的漏電流 | VPWR = 0V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引腳設置為 0V，測量流入 SBUx 引腳的漏電流。 | -1 | 1 | μA | |
| /FLT 引腳 | ||||||
| VOL | 低電平輸出電壓 | IOL = 3mA。在 FLT 引腳處測量電壓。 | 0.4 | V | ||
| 過熱保護 | ||||||
| TSD_RISING | 上升過熱保護關斷閾值 | 150 | 175 | °C | ||
| TSD_FALLING | 下降過熱保護關斷閾值 | 130 | 140 | °C | ||
| TSD_HYST | 過熱保護關斷閾值遲滯 | 35 | °C | |||