ZHCSF86C March 2016 – June 2025 TPD1E0B04
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | IIO <10nA | -3.6 | 3.6 | V | ||
| VBRF | 擊穿電壓，IO 引腳至 GND | 測量值為器件瞬間回彈至 VHOLD 電壓之前的最大電壓 | 6.7 | V | |||
| VBRR | 擊穿電壓，GND 至 IO 引腳 | 測量值為器件瞬間回彈至 VHOLD 電壓之前的最大電壓 | -6.7 | V | |||
| VHOLD | 保持電壓 | IIO = 1mA，TA = 25°C | 5 | 5.7 | 6.5 | V | |
| VCLAMP | 鉗位電壓 | IPP = 1A，TLP，從 IO 至 GND | 7.2 | V | |||
| IPP = 5A，TLP，從 IO 至 GND | 10.1 | ||||||
| IPP = 16A，TLP，從 IO 至 GND | 19 | ||||||
| IPP = 1A，TLP，從 GND 至 IO | 7.2 | ||||||
| IPP = 5A，TLP，從 GND 至 IO | 10.1 | ||||||
| IPP = 16A，TLP，從 GND 至 IO | 19 | ||||||
| ILEAK | 泄漏電流，IO 至 GND | VIO = ±2.5V | 10 | nA | |||
| RDYN | 動態(tài)電阻 | IO 至 GND | 1 | Ω | |||
| GND 至 IO | 1 | ||||||
| CL | 線路電容 | DPL 封裝 | VIO = 0V，f = 1MHz，IO 至 GND，TA = 25°C | 0.13 | 0.15 | pF | |
| DPY 封裝 | 0.15 | 0.18 | |||||