ZHCSCX9 October 2014 RM41L232
PRODUCT PREVIEW Information. Product in design phase of development. Subject to change or discontinuance without notice.
- 1器件概述
- 2修訂歷史記錄
-
3器件封裝和引腳功能
- 3.1 PZ QFP 封裝引腳分配（100 引腳）
- 3.2
引腳配置和功能
- 3.2.1 高端定時器 (N2HET)
- 3.2.2 增強型正交編碼器脈沖模塊 (eQEP)
- 3.2.3 通用輸入/輸出 (GIO)
- 3.2.4 控制器局域網(wǎng)絡接口模塊 (DCAN1，DCAN2)
- 3.2.5 多緩沖串行外設接口 (MibSPI1)
- 3.2.6 標準串行外設接口 (SPI2)
- 3.2.7 本地互連網(wǎng)絡控制器 (LIN)
- 3.2.8 多緩沖模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (MibADC)
- 3.2.9 系統(tǒng)模塊
- 3.2.10 錯誤信令模塊 (ESM)
- 3.2.11 主振蕩器
- 3.2.12 測試/調(diào)試接口
- 3.2.13 閃存
- 3.2.14 內(nèi)核電源
- 3.2.15 I/O 電源
- 3.2.16 內(nèi)核和 I/O 電源接地基準
- 3.3 輸出復用和控制
- 3.4 特定復用選項
- 4規(guī)范
-
5系統(tǒng)信息和電氣技術(shù)規(guī)范
- 5.1 電壓監(jiān)視器特性
- 5.2 電源排序和加電復位
- 5.3 熱復位 (nRST)
- 5.4 ARM Cortex-R4 CPU 信息
- 5.5 時鐘
- 5.6 時鐘監(jiān)視
- 5.7 去毛刺脈沖濾波器
- 5.8 器件存儲器映射
- 5.9 閃存存儲器
- 5.10 程序閃存的閃存編程和擦除時序
- 5.11 閃存編程和擦除時序數(shù)據(jù)閃存
- 5.12 緊耦合 RAM 接口模塊
- 5.13 用于外設 RAM 訪問的奇偶校驗保護
- 5.14 片載 SRAM 初始化和測試
- 5.15 矢量中斷管理器
- 5.16 實時中斷模塊
- 5.17 錯誤信令模塊
- 5.18 復位/異常中斷/錯誤狀態(tài)
- 5.19 數(shù)字窗口式看門狗
- 5.20 調(diào)試子系統(tǒng)
- 6外設信息和電氣技術(shù)規(guī)范
- 7器件和文檔支持
- 8機械、封裝和可訂購產(chǎn)品附錄
5 系統(tǒng)信息和電氣技術(shù)規(guī)范
5.1 電壓監(jiān)視器特性
在這個器件上執(zhí)行一個電壓監(jiān)視器。 這個電壓監(jiān)視器的目的是，當給內(nèi)核電源和 I/O 電源電壓上電時，消除對一個特定序列的要求。
5.1.1 重要考慮
- 當電源電壓在范圍之外時，電壓監(jiān)視器仍然需要一個電壓監(jiān)控器來保證器件被保留在復位狀態(tài)。
- 電壓監(jiān)視器只監(jiān)視內(nèi)核電源 (VCC) 和I/O 電源 (VCCIO)。 其它電源不受 VMON 監(jiān)視。 例如，如果 VCCAD 或 VCCP 由一個 VCCIO 以外的電源供電，那么就沒有針對 VCCAD 和 VCCP 電源的內(nèi)部電壓監(jiān)視器。
5.1.2 電壓監(jiān)視器運行
電壓監(jiān)視器在器件上生成電源正常微控制器 (MCU) 信號 (PGMCU) 以及 I/O電源正常 IO 信號 (PGIO)。 在加電或斷電期間，當內(nèi)核或者 I/O 電源低于額定最小監(jiān)視閥值的時候，PGMCU 和 PGIO 被驅(qū)動為低電平。 PGIO 和 PGMCU 成為低電平，在電源加電或者斷電期間，隔離內(nèi)核邏輯以及 I/O 控制。 這樣可以使得內(nèi)核和 I/O 電源能夠以任一順序加電或斷電。
當電壓監(jiān)視器在 I/O 電源上檢測到一個低電壓時，它將一個加電復位置為有效。 當電壓監(jiān)視器在內(nèi)核電源上檢測到一個范圍以外的電壓時，它以異步方式使所有輸出引腳高阻抗，并將一個加電復位置為有效。 當器件進入一個低功耗模式時，電壓監(jiān)視器被禁用。
VMON 還包含一個針對 nPORRST 輸入的毛刺脈沖濾波器。 有關(guān)這個毛刺脈沖濾波器的時序信息請參考Section 5.2.3.1。
Table 5-1 電壓監(jiān)視技術(shù)規(guī)格
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VMON | 電壓監(jiān)視閥值 | VCC 低電平-低于這個閥值的 VCC 電平會由于過低而被刪除。 | 0.75 | 0.9 | 1.13 | V |
| VCC 高電平-高于這個閥值的 VCC 電平會由于過高而被刪除。 | 1.40 | 1.7 | 2.1 | |||
| VCCIO 低電平-低于這個閥值的 VCCIO 電平會由于過低而被刪除。 | 1.85 | 2.4 | 2.9 | |||
5.1.3 電源過濾
VMON 具有過濾 VCC 和 VCCIO 電源上毛刺買車的功能。
下面的表格顯示了電源濾波的特性。 電源中大于最大技術(shù)參數(shù)的毛刺脈沖不能被濾除。
Table 5-2 VMON 電源毛刺脈沖濾波功能
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 |
|---|---|---|
| VCC 上可以被濾除的毛刺脈沖的寬度 | 250ns | 1us |
| VCCIO 上可以被濾除的毛刺脈沖的寬度 | 250ns | 1us |
5.2 電源排序和加電復位
5.2.1 加電順序
VCCIO 的斜升和 VCC 電源間沒有時序關(guān)系。 加電序列隨著 I/O 電壓上升到高于最小 I/O 電源閥值，（詳細信息請見Table 5-4），內(nèi)核電壓上升到高于最小內(nèi)核電源閥值和加電復位的釋放開始。 高頻振蕩器將首先啟動并且其振幅將上升到一個可接受的水平。 振蕩器啟動時間取決于振蕩器的類型并且由振蕩器銷售商提供。 到器件的不同電源可以以任何順序加電。
加電期間，此器件經(jīng)過下列順序階段。
Table 5-3 加電階段
| 振蕩器啟動和有效性檢查 | 1032 個振蕩器周期 |
| 熔絲自動載入 | 1160 個振蕩器周期 |
| 閃存泵加電 | 688 個振蕩器周期 |
| 閃存組加電 | 617 個振蕩器周期 |
| 總計 | 3497 個振蕩器周期 |
在上述序列的末尾 CPU 復位被釋放并且從地址 0x00000000 中取出第一條指令。
5.2.2 斷電序列
到器件的不同電源可以以任一順序斷電。
5.2.3 加電復位：nPORRST
只要 I/O 或內(nèi)核電源在推薦范圍之外，這個復位就必須由一個外部電路置為有效。 這個信號的上面有一個毛刺脈沖濾波器。 它還有一個內(nèi)部下拉電阻器。
5.2.3.1 nPORRST 電氣和時序要求
Table 5-4 nPORRST 的電氣要求
| 編號 | 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| VCCPORL | 當 nPORRST 在加電期間必須有效時，VCC的低電源電平 | 0.5 | V | ||
| VCCPORH | 當 nPORRST 在加電期間必須保持有效并在斷電期間變?yōu)橛行r，VCC的高電源電平 | 1.14 | V | ||
| VCCIOPORL | 當 nPORRST 在加電期間必須有效時，VCCIO/VCCP的低電源電平 | 1.1 | V | ||
| VCCIOPORH | 當 nPORRST 在加電期間保持有效并且在斷電期間變?yōu)橛行r，VCCIO/VCCP高電源電平 | 3.0 | V | ||
| VIL(PORRST) | nPORRST VCCIO的低電平輸入電壓 > 2.5V | 0.2 *VCCIO | V | ||
| nPORRSTVCCIO的低電平輸入電壓 > 2.5V | 0.5 | V | |||
| 3 | tsu(PORRST) | 建立時間，加電期間，在 VCCIO和 VCCP> VCCIOPORL前的 nPORRST 有效時間 | 0 | ms | |
| 6 | th(PORRST) | 保持時間，VCC>VCCPORH后，nPORRST 的有效時間 | 1 | ms | |
| 7 | tsu(PORRST) | 建立時間，斷電期間，在 VCC<VCCPORH前，nPORRST 的有效時間 | 2 | µs | |
| 8 | th(PORRST) | 保持時間，在 VCCIO和 VCCP>VCCIOPORH后 nPORRST 的有效時間 | 1 | ms | |
| 9 | th(PORRST) | 保持時間, 在 VCC<VCCPORL后 nPORRST 的有效時間 | 0 | ms | |
| tf(nPORRST) | 濾波時間 nPORRST 引腳； 小于最小值 (MIN) 的脈沖將被濾除掉，大于最大值 (MAX) 的脈沖將生成一個復位。 |
475 | 2000 | ns | |
Figure 5-1 nPORRST 時序圖
5.3 熱復位 (nRST)
這是一個雙向復位信號。 內(nèi)部電路在檢測到任何器件復位條件時將此信號驅(qū)動為低電平。 一個外部電路能夠通過將此信號強制為低電平來將一個器件復位置為有效。 在這個引腳上，輸出緩沖器被執(zhí)行為一個開漏器件（只驅(qū)動低電平）。 為了確保外部復位不會隨意產(chǎn)生，TI 建議將一個外部上拉電阻連接到該引腳。
這個引腳有一個毛刺脈沖濾波器。 它還有一個內(nèi)部上拉電阻。
5.3.1 熱復位的原因
Table 5-5 熱復位的原因
| 器件事件 | 系統(tǒng)狀態(tài)標志 |
|---|---|
| 加電復位 | 異常狀態(tài)寄存器，位 15 |
| 振蕩器故障 | 全局狀態(tài)寄存器，位 0 |
| PLL 跳周 | 全局狀態(tài)寄存器，位 8 和 9 |
| 安全裝置異常/調(diào)試器復位 | 例外狀態(tài)寄存器，位 13 |
| CPU 復位（由 CPUSTC 驅(qū)動） | 異常狀態(tài)寄存器，位 5 |
| 軟件復位 | 異常狀態(tài)寄存器，位 4 |
| 外部復位 | 異常狀態(tài)寄存器，位 3 |
5.3.2 nRST 時序要求
Table 5-6 nRST 時序要求
| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| tv(RST) | 有效時間，nPORRST 無效之后 nRST 的有效時間 | 2256tc(OSC)(1) | ns | |
| 有效時間，nRST 有效的時間（所有其它系統(tǒng)復位條件） | 32tc(VCLK) | |||
| tf(nRST) | 濾波器時間 nRST 引腳。 小于 MIN 的脈沖將被濾除掉，大于 MAX 的脈沖將生成一個復位 |
475 | 2000 | ns |
5.4 ARM Cortex-R4 CPU 信息
5.4.1 ARM Cortex-R4 CPU 的特性概要
ARM Cortex-R4 CPU 的特性包括：
- 具有整體嵌入式 ICE-RT 邏輯的整數(shù)單元。
- 高速高級微處理器總線架構(gòu) (AMBA) 高級 eXtensible 接口 (AXI)，用于二級 (L2) 主器件和從器件接口。
- 具有一個全局歷史記錄緩沖器的動態(tài)分支預測，和一個 4 入口返回堆棧
- 低中斷延遲。
- 不可屏蔽中斷
- 一個具有如下組件的哈弗一級存儲器系統(tǒng)：
- 支持糾錯或奇偶校驗檢查存儲器的緊耦合存儲器 (TCM) 接口
- 帶有 8 個區(qū)域的 ARMv7-R 架構(gòu)存儲器保護單元 (MPU)
- 安全應用中針對故障檢測的雙內(nèi)核邏輯
- 一個 L2 存儲器接口：
- 單個 64 位 AXI 接口
- 64 位到 TCM RAM 塊的受控 AXI 接口
- 一個到 CoreSlight 調(diào)試訪問端口 (DAP) 的調(diào)試接口
- 一個性能監(jiān)視單元 (PMU)
- 一個矢量化中斷控制器 (VIC)端口，
更多有關(guān) ARM Cortex-R4 CPU 的信息，請參閱www.arm.com。
5.4.2 由軟件啟用的 ARM Cortex-R4 CPU 的功能
以下的 CPU 特性在復位時被禁用并且必須在需要時由應用啟用。
- 緊耦合存儲器 (TCM) 訪問上的糾錯碼 (ECC)
- 硬件矢量化中斷 (VIC) 端口
- 內(nèi)存保護單元 (MPU)
5.4.3 雙內(nèi)核執(zhí)行
此器件有兩個 Cortex-R4 內(nèi)核，在 CCM-R4 單元中比較兩個 CPU 的輸出信號。 為了避免共模影響，將被進行比較的 CPU 的信號延遲 2 個時鐘周期，如Figure 5-3所示。
CPU 有一個由下列要求指定的不同的 CPU 布局：
- 不同的方向；例如 CPU1 = 朝“北”，CPU2 = 朝向“偏西”
- 針對每個 CPU 的專用保護環(huán)
Figure 5-2 雙 - CPU方向
5.4.4 GCLK 之后的雙重 CPU 時鐘樹
CPU 時鐘域被分成兩個時鐘樹，每個 CPU 一個，其中第二個 CPU 的時鐘的運行頻率一樣并且與 CPU1 的時鐘協(xié)同工作。 請參考Figure 5-3。
5.4.5 ARM Cortex-R4 CPU 用于安全目的的比較模塊 (CCM)
這個器件有兩個 ARM Cortex-R4 CPU 內(nèi)核，在這兩個內(nèi)核之中，兩個 CPU 的輸出信號都在 CCM-R4 中進行比較。 為了避免共模影響，將要進行比較的 CPU 的信號，以下面圖表中所示的不同方式將這些信號延遲。
Figure 5-3 雙內(nèi)核執(zhí)行
為了避免不正確的 CCM-R4 比較錯誤，應用軟件必須在寄存器被讀取前初始化兩個 CPU 的寄存器，其中包括將寄存器值壓入堆棧的函數(shù)調(diào)用。
5.4.6 CPU 自檢
通過將確定性邏輯內(nèi)置自檢 (BIST) 控制器用作測試引擎，CPU STC（自檢控制器）被用于測試兩個 Cortex-R4 CPU。
自檢控制器的主要特性包括：
- 能夠?qū)⑼暾麥y試運行分頻成獨立的測試間隔
- 能夠運行完整的測試或每次運行幾個間隔
- 能夠繼續(xù)從上次執(zhí)行的時間間隔中（測試設置）或從開始重新啟動（第一個測試設置）
- 在自檢運行期間將被自檢測試的 CPU 內(nèi)核從系統(tǒng)的其余部分完全隔離
- 能夠捕獲故障間隔數(shù)
- 針對 CPU 自檢的超時計數(shù)器具有一個故障安全特性
5.4.6.1 針對 CPU 自檢的應用序列
- 配置時鐘域頻率。
- 選擇要運行的測試時間間隔數(shù)。
- 配置針對自檢運行的超時周期。
- 如果需要的話，保存 CPU 的狀態(tài)
- 啟用自檢。
- 等待 CPU 復位。
- 在復位處理器中，讀取 CPU 自檢狀態(tài)來識別任何故障。
- 按需要檢索 CPU 狀態(tài)。
更多信息請參閱《器件技術(shù)參考手冊》。
5.4.6.2 CPU 自檢時鐘配置
自檢的最大時鐘速率為 45MHz。 必要時，STCCLK 是從 CPU 時鐘上分頻的。 這個分頻器由位于地址 0xFFFFE108 上的 STCCLKDIV 寄存器配置。
更多信息請參閱《器件技術(shù)參考手冊》。
5.4.6.3 CPU 自檢范圍
Table 5-7顯示了每個自檢間隔實現(xiàn)的 CPU 測試范圍。 它還列出了累積測試周期。 通過將測試周期數(shù)量與 STC 時鐘周期相乘可以計算出測試時間。
Table 5-7 CPU 自檢范圍
| 間隔 | 測試覆蓋率, % | 測試周期 |
|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 |
| 1 | 60.06 | 1365 |
| 2 | 68.71 | 2730 |
| 3 | 73.35 | 4095 |
| 4 | 76.57 | 5460 |
| 5 | 78.7 | 6825 |
| 6 | 80.4 | 8190 |
| 7 | 81.76 | 9555 |
| 8 | 82.94 | 10920 |
| 9 | 83.84 | 12285 |
| 10 | 84.58 | 13650 |
| 11 | 85.31 | 15015 |
| 12 | 85.9 | 16380 |
| 13 | 86.59 | 17745 |
| 14 | 87.17 | 19110 |
| 15 | 87.67 | 20475 |
| 16 | 88.11 | 21840 |
| 17 | 88.53 | 23205 |
| 18 | 88.93 | 24570 |
| 19 | 89.26 | 25935 |
| 20 | 89.56 | 27300 |
| 21 | 89.86 | 28665 |
| 22 | 90.1 | 30030 |
| 23 | 90.36 | 31395 |
| 24 | 90.62 | 32760 |
| 25 | 90.86 | 34125 |
| 26 | 91.06 | 35490 |
5.5 時鐘
5.5.1 時鐘源
下面的表列出了器件上可用的時鐘源。 可使用系統(tǒng)模塊中的 CSDISx 寄存器來啟用或禁用每個時鐘源。 表中的時鐘源數(shù)量與針對那個時鐘源的 CSDISx 寄存器中的控制位相對應。
此表還顯示了每個時鐘源的缺省狀態(tài)。
Table 5-8 可用時鐘源
| 時鐘 源編號 |
名稱 | 說明 | 默認狀態(tài) |
|---|---|---|---|
| 0 | OSCIN | 主振蕩器 | 被啟用 |
| 1 | PLL1 | PLL1的輸出 | 被禁用 |
| 2 | 被保留 | 被保留 | 被禁用 |
| 3 | EXTCLKIN1 | 外部時鐘輸入 #1 | 被禁用 |
| 4 | CLK80K | 內(nèi)部基準振蕩器的低頻輸出 | 被啟用 |
| 5 | CLK10M | 內(nèi)部基準振蕩器的高頻輸出 | 被啟用 |
| 6 | 被保留 | 被保留 | 被禁用 |
| 7 | 被保留 | 被保留 | 被禁用 |
5.5.1.1 主振蕩器
如所示，通過在外部 OSCIN 和 OSCOUT 引腳之間連接適合的基本諧振器/晶振Figure 5-4和負載電容來啟用此振蕩器。 振蕩器是一種單級變換器，由一個集成的偏置電阻器保持在偏置狀態(tài)。 該電阻在泄漏測試測量期間和低功耗模式中被禁用。
TI 強烈建議顧客提交該器件的樣品讓諧振器/晶振供應商測試其性能。 供應商有專門設備來確定多大的負載電容能夠最好的調(diào)節(jié)他們的諧振器/晶振來滿足微控制器在溫度/電壓極值范圍內(nèi)對于最優(yōu)啟動和運行的要求。
通過在 OSCIN 引腳上連接一個 3.3V 的時鐘信號并使 OSCOUT 引腳懸空（斷開）（如下面的圖標所示），可使用一個外部振蕩器源。
Figure 5-4 推薦的晶振/時鐘連接
5.5.1.1.1 針對主振蕩器的時序要求
Table 5-9 針對主振蕩器的時序要求
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| tc(OSC) | 周期時間，OSCIN（當使用一個正弦波輸入時） | 50 | 200 | ns | |
| tc(OSC_SQR) | 周期時間，OSCIN，（當?shù)?OSCIN 的輸入是一個方波時） | 50 | 200 | ns | |
| tw(OSCIL) | 脈沖持續(xù)時間，OSCIN 低電平的時間（當?shù)?OSCIN 的輸入是一個方波時） | 15 | ns | ||
| tw(OSCIH) | 脈沖持續(xù)時間，OSCIN 高電平的時間（當?shù)?OSCIN 的輸入是一個方波時） | 15 | ns | ||
5.5.1.2 低功耗振蕩器
低功耗振蕩器 (LPO) 由一個單宏中的兩個振蕩器 - 高頻 (HF) LPO 和低頻 (LF) LPO 組成。
5.5.1.2.1 特性
LPO 的主要特性有：
- 針對省電模式，以極低功耗為一個時鐘供源。 這個被連接為全局時鐘模塊的時鐘源 #4。
- 針對非時序關(guān)鍵系統(tǒng)，為一個高頻時鐘供源。 這個被連接為全局時鐘模塊的時鐘源 #5。
- 為晶體振蕩器故障檢測電路提供一個比較時鐘。
Figure 5-5 LPO 方框圖
Figure 5-5顯示了一個內(nèi)部基準振蕩器的方框圖。 這是一個低功耗振蕩器 (LPO) 并且提供兩個時鐘源：一個的標稱值為 80KHz，而另一個的標稱值為10MHz。
5.5.1.2.2 LPO 電氣和時序技術(shù)規(guī)格
Table 5-10 LPO 技術(shù)規(guī)格
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 時鐘檢測 | 振蕩器故障頻率 - 更低的閥值，使用未經(jīng)修整的 LPO 輸出 | 1.375 | 2.4 | 4.875 | MHz |
| 振蕩器故障頻率 - 更高的閥值，使用未經(jīng)修整的 LPO 輸出 | 22 | 38.4 | 78 | MHz | |
| LPO-HF 振蕩器 (fHFLPO) | 未經(jīng)修整的頻率 | 5.5 | 9 | 19.5 | MHz |
| 已修整的頻率 | 8 | 9.6 | 11 | MHz | |
| 從待機 (STANDBY) 的啟動時間（LPO BIAS_EN 高電平時間至少為 900µs） | 10 | µs | |||
| 冷啟動時間 | 900 | µs | |||
| LPO-LF 振蕩器 | 未經(jīng)修整的頻率 | 36 | 85 | 180 | kHz |
| 從待機 (STANDBY) 的啟動時間（LPO BIAS_EN 高電平時間至少為 900µs） | 100 | µs | |||
| 冷啟動時間 | 2000 | µs | |||
5.5.1.3 鎖相環(huán) (PLL) 時鐘模塊
PLL 用于將輸入頻率倍乘以獲得更高的頻率。
PLL 的主要特性為：
- 頻率調(diào)制可被有選擇性地添加到 PLL 的合成頻率上。
- 可配置頻率倍頻器和分頻器。
- 內(nèi)置 PLL 跳周監(jiān)視電路。
- 檢測到一個 PLL 跳周時將器件復位的選項。
5.5.1.3.1 方框圖
下圖顯示了一個在該微控制器上的 PLL 宏的高級方框圖。
Figure 5-6 PLL 方框圖
5.5.1.3.2 PLL 時序技術(shù)規(guī)格
Table 5-11 PLL 時序技術(shù)規(guī)格
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| fINTCLK | PLL1 基準時鐘頻率 | 1 | 20 | MHz |
| fpost_ODCLK | Post-ODCLK-PLL1 后置分頻器輸入時鐘基準 | 400 | MHz | |
| fVCOCLK | VCOCLK-PLL1 輸出分頻器 (OD) 輸入時鐘基準 | 150 | 550 | MHz |
5.5.2 時鐘域
5.5.2.1 時鐘域說明
下面的表格列出了器件時鐘域和它們的缺省時鐘源。 這個表還顯示了被用于為每個時鐘域選擇一個可用時鐘源的系統(tǒng)模塊控制寄存器。
Table 5-12 時鐘域說明
| 時鐘域，名稱 | 缺省時鐘源 | 時鐘源選擇寄存器 | 說明 |
|---|---|---|---|
| HCLK | OSCIN | GHVSRC |
|
| GCLK | OSCIN | GHVSRC |
|
| GCLK2 | OSCIN | GHVSRC |
|
| VCLK | OSCIN | GHVSRC |
|
| VCLK2 | OSCIN | GHVSRC |
|
| VCLKA1 | VCLK | VCLKASRC |
|
| RTICLK | VCLK | RCLKSRC |
|
5.5.2.2 將時鐘域映射到器件模塊
每個時鐘模塊都有一個專用功能，如在下圖中所示。
Figure 5-7 器件時鐘域
5.5.3 時鐘測試模式
RM4x平臺架構(gòu)定義了一個特別模塊，此模塊允許在 ECLK 引腳和 N2HET[2] 器件輸出上生成不同的時鐘信號。 這個模塊被稱為時鐘測試模塊 它對于調(diào)試十分有用并且可由系統(tǒng)模塊中的 CLKTEST 寄存器配置。
Table 5-13 時鐘測試模式選項
| CLKTEST[3-0] | ECLK 上的信號 | CLKTEST[11-8] | N2HET[2] 上的信號 | |
|---|---|---|---|---|
| 0000 | 振蕩器 | 0000 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 0001 | 主 PLL 自由運行時鐘輸出 (PLLCLK) | 0001 | 主 PLL 有效狀態(tài) | |
| 0010 | 被保留 | 0010 | 被保留 | |
| 0011 | 被保留 | 0011 | 被保留 | |
| 0100 | CLK80K | 0100 | 被保留 | |
| 0101 | CLK10M | 0101 | CLK10M 有效狀態(tài) | |
| 0110 | 被保留 | 0110 | 被保留 | |
| 0111 | 被保留 | 0111 | 被保留 | |
| 1000 | GCLK | 1000 | CLK80K | |
| 1001 | RTI時基 | 1001 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1010 | 被保留 | 1010 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1011 | VCLKA1 | 1011 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1100 | 被保留 | 1100 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1101 | 被保留 | 1101 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1110 | 被保留 | 1110 | 振蕩器有效狀態(tài) | |
| 1111 | 閃存 HD 泵振蕩器 | 1111 | 振蕩器有效狀態(tài) |
5.6 時鐘監(jiān)視
LPO 時鐘檢測 (LPOCLKDET) 模塊由一個時鐘監(jiān)視器 (CLKDET) 和一個內(nèi)部低功耗振蕩器 (LPO) 組成。
LPO 提供兩個時鐘源-一個低頻 (LFLPO) 和一個高頻 (HFLPO)。
CLKDET 是為一個針對外部提供的時鐘信號 (OSCIN) 的監(jiān)控電路。 在OSCIN 頻率下降到低于一個頻率窗口的情況下，CLKDET 在全局狀態(tài)寄存器中標記這個情況（GLBSTAT 位 0：振蕩器故障 (OSC FAIL)）并且將所有由 OSCIN 供源的時鐘域切換至HFLPO 時鐘（跛行模式時鐘）。
有效 OSCIN 頻率范圍被定義為：fHFLPO/4<fOSCIN<fHFLPO*4。
5.6.2 外部時鐘 (ECLK) 輸出功能
ECLK 引腳可被配置為輸出一個預分頻時鐘信號，此信號表示一個內(nèi)部器件時鐘。 這個輸出可被外部監(jiān)視為一個安全診斷。
5.6.3 雙時鐘比較器
雙時鐘比較器 (DCC) 模塊通過計數(shù)兩個獨立時鐘源（計數(shù)器 0 和計數(shù)器 1）的脈沖數(shù)來確定所選時鐘源的準確性。 如果一個時鐘在技術(shù)參數(shù)之外，那么就生成一個錯誤信號。 例如，DCC 可被配置為使用 CLK10M 作為基準時鐘（用于計數(shù)器 0），而 VCLK 作為“測試中的時鐘”（用于計數(shù)器 1）。 這個配置使得 DCC 能夠在 VCLK 正在使用 PLL輸出作為其時鐘源的時候監(jiān)視 PLL 輸出時鐘。
這個模塊的一個另外的用途是測量一個可選時鐘源的頻率，方法是使用輸入時鐘作為一個基準，通過計算兩個獨立時鐘源的脈沖來測量。 計數(shù)器 0 在一個預先設定的脈沖數(shù)量之后生成一個定寬計數(shù)窗口。 計數(shù)器 1 在一個預先設定的脈沖數(shù)量之后生成一個定寬脈沖（1 個周期）。 如果計數(shù)器 1 在由計數(shù)器 0 生成的計數(shù)窗口內(nèi)沒有達到 0， 那么這個脈沖被設定為一個錯誤信號。
5.6.3.1 特性
- 將兩個不同的時鐘源作為到兩個獨立計數(shù)器塊的輸入。
- 時鐘源中的一個為已知正常，或基準時鐘；第二個時鐘源是“測試中的時鐘。”
- 每個計數(shù)器可使用初始的，或者種子值進行編程。
- 計數(shù)器塊同時從它們的種子值開始倒計數(shù)；與針對測試中時鐘的預計頻率的不匹配將生成一個錯誤信號，此信號被用于中斷 CPU。
5.6.3.2 DCC 時鐘源中斷的映射
Table 5-14 DCC 計數(shù)器 0 時鐘源
| 測試模式 | 時鐘源 [3:0] | 時鐘名稱 |
|---|---|---|
| 0 | 其它 | 振蕩器 (OSCIN) |
| 0x5 | 高頻 LPO | |
| 0xA | 測試時鐘 (TCK) | |
| 1 | X | VCLK |
Table 5-15 DCC 計數(shù)器 1 時鐘源
| 測試模式 | 鍵 [3:0] | 時鐘源 [3:0] | 時鐘名稱 |
|---|---|---|---|
| 0 | 其它 | - | N2HET[31] |
| 0x0 | 主 PLL自由運行時鐘輸出 | ||
| 0x1 | 不可用 | ||
| 0x2 | 低頻LPO | ||
| 0xA | 0x3 | 高頻 LPO | |
| 0x4 | 閃存 HD 泵振蕩器 | ||
| 0x5 | EXTCLKIN | ||
| 0x6 | 不可用 | ||
| 0x7 | 環(huán)形振蕩器 | ||
| 0x8-0xF | VCLK | ||
| 1 | X | X | HCLK |
5.7 去毛刺脈沖濾波器
一個毛刺脈沖濾波器出現(xiàn)在以下信號上。
Table 5-16 毛刺脈沖濾波器時序技術(shù)規(guī)格
| 引腳 | 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| nPORRST | tf(nPORRST) |
濾波時間 nPORRST 引腳； 小于 MIN 的脈沖將被濾除掉，大于 MAX 的脈沖將生成一個復位(1) |
475 | 2000 | ns |
| nRST | tf(nRST) |
濾波器時間 nRST 引腳。 小于 MIN 的脈沖將被濾除掉，大于 MAX 的脈沖將生成一個復位 |
475 | 2000 | ns |
| TEST | tf（測試） |
濾波器時間 TEST 引腳。 小于 MIN 的脈沖將被濾除掉，大于 MAX 的脈沖將通過 |
475 | 2000 | ns |
5.8 器件存儲器映射
5.8.1 存儲器映射圖
Figure 5-9顯示了器件存儲器映射。
Figure 5-9 RM41232 存儲器映射
在所有配置中的閃存存儲器被鏡像來支持 ECC 邏輯測試。 被鏡像的閃存映像的基地址為 0x2000 0000。
5.8.2 存儲器映射表
請參閱Figure 1-1給出的器件互連方框圖。
Table 5-17 器件存儲器映射
| 模塊名稱 | 幀芯片選擇 | 地址范圍 | 幀大小 | 實際大小 | 對幀內(nèi)未實現(xiàn)位置的訪問的響應 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 啟動 (START) | 結(jié)束 (END) | |||||
| 緊耦合至 ARM Cortex-R4 CPU 的存儲器 | ||||||
| TCM閃存 | CS0 | 0x0000_0000 | 0x00FF_FFFF | 16MB | 128KB | 異常中斷 |
| TCM RAM + RAMECC | CSRAM0 | 0x0800_0000 | 0x0BFF_3FFF | 64MB | 32KB | |
| 被鏡像的閃存 | 閃存鏡像幀 | 0x2000_0000 | 0x20FF_FFFF | 16MB | 128KB | |
| 閃存模塊總線 2 接口 | ||||||
| 用戶一次性可編程 (OTP)，TCM 閃存組 | 0xF000_0000 | 0xF000_07FF | 64KB | 2KB | 異常中斷 | |
| 用戶 OTP，EEPROM 組 | 0xF000_E000 | 0xF000_E3FF | 1KB | |||
| 用戶 OTP-ECC，TCM 閃存組 | 0xF004_0000 | 0xF004_00FF | 8KB | 256B | ||
| 用戶 OTP–ECC，EEPROM 組 | 0xF004_1C00 | 0xF004_1C7F | 128B | |||
| TI OTP，TCM 閃存組 | 0xF008_0000 | 0xF008_07FF | 64KB | 2KB | ||
| TI OTP，EEPROM 組 | 0xF008_E000 | 0xF008_E3FF | 1KB | |||
| TI OTP-ECC，TCM 閃存組 | 0xF00C_0000 | 0xF00C_00FF | 8KB | 256B | ||
| TI OTP–ECC，EEPROM 組 | 0xF00C_1C00 | 0xF00C_1C7F | 128B | |||
| EEPROM 組–ECC | 0xF010_0000 | 0xF010_07FF | 256KB | 2KB | ||
| EEPROM 組 | 0xF020_0000 | 0xF020_3FFF | 2MB | 16KB | ||
| 閃存數(shù)據(jù)空間 ECC | 0xF040_0000 | 0xF040_DFFF | 1MB | 48 KB | ||
| 循環(huán)冗余校驗 (CRC) 模塊寄存器 | ||||||
| CRC | CRC幀 | 0xFE00_0000 | 0xFEFF_FFFF | 16MB | 512B | 對 0x200 以上的訪問生成異常中斷。 |
| 外設存儲器 | ||||||
| MIBSPI1 RAM | PCS[7] | 0xFF0E_0000 | 0xFF0F_FFFF | 128KB | 2KB | 針對 2KB 以上訪問的異常中斷 |
| DCAN2 RAM | PCS[14] | 0xFF1C_0000 | 0xFF1D_FFFF | 128KB | 2KB | 到偏移低于 0x7FF 的未實現(xiàn)地址的內(nèi)存連續(xù)訪問 偏移 0x800 之上的訪問生成的異常中斷。 |
| DCAN1 RAM | PCS[15] | 0xFF1E_0000 | 0xFF1F_FFFF | 128KB | 2KB | 到偏移低于 0x7FF 的未實現(xiàn)地址的內(nèi)存連續(xù)訪問 偏移 0x800 之上的訪問生成的異常中斷。 |
| MIBADCRAM | PCS[31] | 0xFF3E_0000 | 0xFF3F_FFFF | 128KB | 8KB | 到偏移低于 0x1FFF 的未實現(xiàn)地址的內(nèi)存連續(xù)訪問。 |
| MIBADC 查詢表 | 384 字節(jié) | 針對 ADC 包裝程序的查詢表。 開始于偏移量 0x2000 且結(jié)束于 0x217F。 針對偏移 0x180 和 0x3FFF 間訪問的內(nèi)存連續(xù) 針對 x4000 之上的訪問生成的異常中斷 | ||||
| N2HETRAM | PCS[35] | 0xFF46_0000 | 0xFF47_FFFF | 128KB | 16KB | 到偏移低于 0x3FFF 的未實現(xiàn)地址的內(nèi)存連續(xù)訪問。 0x3FFF 之上的訪問生成的異常中斷。 |
| HTU RAM | PCS[39] | 0xFF4E_0000 | 0xFF4F_FFFF | 128KB | 1KB | 異常中斷 |
| 調(diào)試組件 | ||||||
| CoreSight 調(diào)試 ROM | CSCS0 | 0xFFA0_0000 | 0xFFA0_0FFF | 4KB | 4KB | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| Cortex-R4 調(diào)試 | CSCS1 | 0xFFA0_1000 | 0xFFA0_1FFF | 4KB | 4KB | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| 外設控制寄存器 | ||||||
| HTU | PS[22] | 0xFFF7_A400 | 0xFFF7_A4FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| N2HET | PS[17] | 0xFFF7_B800 | 0xFFF7_B8FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| GIO | PS[16] | 0xFFF7_BC00 | 0xFFF7_BCFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| MIBADC | PS [15] | 0xFFF7_C000 | 0xFFF7_C1FF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| DCAN1 | PS[8] | 0xFFF7_DC00 | 0xFFF7_DDFF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| DCAN2 | PS[8] | 0xFFF7_DE00 | 0xFFF7_DFFF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| LIN | PS[6] | 0xFFF7_E400 | 0xFFF7_E4FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| MibSPI1 | PS[2] | 0xFFF7_F400 | 0xFFF7_F5FF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| SPI2 | PS[2] | 0xFFF7_F600 | 0xFFF7_F7FF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| SPI3 | PS[1] | 0xFFF7_F800 | 0xFFF7_F9FF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| EQEP | PS[25] | 0xFFF7_9900 | 0xFFF7_99FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| EQEP（鏡像） | PS2[25] | 0xFCF7_9900 | 0xFCF7_99FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| 系統(tǒng)模塊控制寄存器和存儲器 | ||||||
| VIM RAM | PPCS2 | 0xFFF8_2000 | 0xFFF8_2FFF | 4KB | 1KB | 到偏移低于 0x3FF 的未實現(xiàn)地址的內(nèi)存連續(xù)訪問 0x3FF 以上的訪問將被忽略。 |
| 閃存包裝程序 | PPCS7 | 0xFFF8_7000 | 0xFFF8_7FFF | 4KB | 4KB | 異常中斷 |
| 熔絲組控制器 | PPCS12 | 0xFFF8_C000 | 0xFFF8_CFFF | 4KB | 4KB | 異常中斷 |
| PCR 寄存器 | PPS0 | 0xFFFF_E000 | 0xFFFF_E0FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| 系統(tǒng)模塊-幀 2（請參見器件 TRM） | PPS0 | 0xFFFF_E100 | 0xFFFF_E1FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| PBIST | PPS1 | 0xFFFF_E400 | 0xFFFF_E5FF | 512B | 512B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| STC | PPS1 | 0xFFFF_E600 | 0xFFFF_E6FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| IOMM 復用控制模塊 | PPS2 | 0xFFFF_EA00 | 0xFFFF_EBFF | 512B | 512B | 如果被啟用，會產(chǎn)生地址錯誤中斷。 |
| DCC | PPS3 | 0xFFFF_EC00 | 0xFFFF_ECFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| ESM | PPS5 | 0xFFFF_F500 | 0xFFFF_F5FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| CCMR4 | PPS5 | 0xFFFF_F600 | 0xFFFF_F6FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| RAM ECC 偶數(shù) | PPS6 | 0xFFFF_F800 | 0xFFFF_F8FF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| RAM ECC 奇數(shù) | PPS6 | 0xFFFF_F900 | 0xFFFF_F900 | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| RTI+DWWD | PPS7 | 0xFFFF_FC00 | 0xFFFF_FCFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| VIM 奇偶校驗 | PPS7 | 0xFFFF_FD00 | 0xFFFF_FDFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| VIM | PPS7 | 0xFFFF_FE00 | 0xFFFF_FEFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| 系統(tǒng)模塊-幀 1（請參見器件 TRM） | PPS7 | 0xFFFF_FF00 | 0xFFFF_FFFF | 256B | 256B | 讀取返回 0，寫入無影響 |
5.8.3 主器件/從器件訪問權(quán)限
下面的表格中列出了器件上每個總線主控的訪問許可。 一個總線主控是一個能夠在器件上啟動一個讀取或?qū)懭氩僮鞯哪K。
表中列出了主互連上的每個受控模塊。 一個“支持”表示列于“主控”列的模塊能夠訪問受控模塊。
Table 5-18 主器件/從器件訪問矩陣
| 主器件 | 訪問模式 | 主 SCR 上的從器件 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 閃存模塊總線 2 接口： OTP，ECC，EEPROM 組 |
到程序閃存和 CPU 數(shù)據(jù) RAM 的非 CPU 訪問 | CRC | 外設控制寄存器，所有外設寄存器，以及所有系統(tǒng)模塊控制寄存器和存儲器 | ||
| CPU 讀取 | 用戶/權(quán)限 | 是 | 是 | 是 | 是 |
| CPU 寫入 | 用戶/權(quán)限 | 否 | 是 | 是 | 是 |
| HTU | 權(quán)限 | 否 | 是 | 是 | 是 |
5.9 閃存存儲器
5.9.1 閃存存儲器配置
閃存組：一個獨立邏輯塊，可能包含 1 至 16 個扇區(qū)。 每個閃存組通常有一個用戶 OTP 和一個 TI-OTP 區(qū)域。 這些閃存扇區(qū)共用輸入/輸出緩沖器、數(shù)據(jù)路徑、感測放大器、和控制邏輯。
閃存扇區(qū)：閃存存儲器的一個連續(xù)區(qū)域，由于物理結(jié)構(gòu)限制，此區(qū)域必須被同時擦除。
閃存泵：一個生成讀取、編程、或擦除閃存組全部所需電壓的電荷泵。
閃存模塊：主機 CPU 和閃存組以及泵模塊將所需的接口電路。
注意：0x0002_0000 到 0x0003_FFFF 的內(nèi)存區(qū)域本身無法防止推測取數(shù)據(jù)或失控代碼造成 nERROR 引腳翻轉(zhuǎn)。 必須使用 MPU 區(qū)域來限制只能訪問 ATCM 空間的前 128KB (0x0000_0000-0x0001_FFFF)。 此外，應使用閃存 API 版本 02.01.01 或更高版本對本器件的閃存進行編程或擦除。
Table 5-19 閃存存儲器組和扇區(qū)
| 存儲器陣列（或組） | 塊 編號 |
扇區(qū) 編號 |
線段 | 低地址 | 高地址 |
|---|---|---|---|---|---|
| 組 0（128K 字節(jié)）(1) | 0 | 0 | 8K 字節(jié) | 0x0000_0000 | 0x0000_1FFF |
| 1 | 8K 字節(jié) | 0x0000_2000 | 0x0000_3FFF | ||
| 2 | 8K 字節(jié) | 0x0000_4000 | 0x0000_5FFF | ||
| 3 | 8K 字節(jié) | 0x0000_6000 | 0x0000_7FFF | ||
| 4 | 8K 字節(jié) | 0x0000_8000 | 0x0000_9FFF | ||
| 5 | 8K 字節(jié) | 0x0000_A000 | 0x0000_BFFF | ||
| 6 | 8K 字節(jié) | 0x0000_C000 | 0x0000_DFFF | ||
| 7 | 8K 字節(jié) | 0x0000_E000 | 0x0000_FFFF | ||
| 8 | 8K 字節(jié) | 0x0001_0000 | 0x0001_1FFF | ||
| 9 | 8K 字節(jié) | 0x0001_2000 | 0x0001_3FFF | ||
| 10 | 8K 字節(jié) | 0x0001_4000 | 0x0001_5FFF | ||
| 11 | 8K 字節(jié) | 0x0001_6000 | 0x0001_7FFF | ||
| 12 | 32K 字節(jié) | 0x0001_8000 | 0x0001_FFFF | ||
| 組 7 (16kB) 用于 EEPROM 仿真(2)(3) | 0 | 0 | 4K 字節(jié) | 0xF020_0000 | 0xF020_0FFF |
| 1 | 1 | 4K 字節(jié) | 0xF020_1000 | 0xF020_1FFF | |
| 2 | 2 | 4K 字節(jié) | 0xF020_2000 | 0xF020_2FFF | |
| 3 | 3 | 4K 字節(jié) | 0xF020_3000 | 0xF020_3FFF |
5.9.2 閃存模塊的主要特性
- 支持多個閃存組的編程和/或數(shù)據(jù)存儲
- 在讀取訪問一個組的同時在其它組上執(zhí)行編程或者擦除操作
- 集成的狀態(tài)機時閃存擦除和編程操作自動進行
- 閃存編程和擦除操作的軟件界面
- 管線模式運行以提升指令訪問接口帶寬
- 支持 Cortex-R4 CPU 內(nèi)的單糾錯雙糾錯 (SECDED) 塊
- 錯誤地址被捕捉用于主機系統(tǒng)調(diào)試
- 支持豐富的診斷特性集
5.9.3 針對閃存訪問的 ECC 保護
所有到程序閃存存儲器的訪問受到 CPU 內(nèi)嵌的單糾錯雙糾錯 (SECDED) 邏輯的保護。 針對 64 位指令或者從閃存存儲器的取數(shù)據(jù)，閃存模塊提供 8 位ECC 代碼。 根據(jù)接收到的 64 位，CPU 計算出預計的 ECC 代碼，并且將此代碼與閃存模塊返回的 ECC 代碼相比較。 一個單位錯誤是由 CPU 糾正和標記的，但只標記一個多位錯誤。 CPU 通過其事件總線發(fā)出一個 ECC 錯誤。 這個信令機制缺省情況下并不被啟用，并且必須通過將性能監(jiān)視控制寄存器，c9 的 'X' 位置位來啟用。
MRC p15,#0,r1,c9,c12,#0 ;Enabling Event monitor statesORR r1, r1, #0x00000010MCR p15,#0,r1,c9,c12,#0 ;Set 4th bit (‘X’) of PMNC registerMRC p15,#0,r1,c9,c12,#0
應用必須明確地啟用 CPU 的 ECC 校驗對CPU ATCM 和 BTCM 接口上的訪問進行檢查。 這些分別被連接到程序閃存和數(shù)據(jù) RAM。 可通過將系統(tǒng)控制協(xié)處理器的輔助控制寄存器，c1 的 B1TCMPCEN，B0TCMPCEN 和 ATCMPCEN 位置位來完成對這些接口的 ECC 檢查。
MRC p15, #0, r1, c1, c0, #1ORR r1, r1, #0x0e000000 ;Enable ECC checking for ATCM and BTCMsDMBMCR p15, #0, r1, c1, c0, #1
5.9.4 閃存訪問速度
有關(guān)閃存存儲器訪問速度和所需相關(guān)等待狀態(tài)的信息，請參見Section 4.6。
5.10 程序閃存的閃存編程和擦除時序
Table 5-20 程序閃存的時序規(guī)格
| 參數(shù) | 最小值 | 標稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| tprog（144 位） | 寬字（144 位）編程時間 | 40 | 300 | µs | ||
| tprog（總） | 384k 字節(jié)編程時間(1) | -40°C 至 105°C | 4 | s | ||
| 對于頭 25 個周期，0°C 至 60°C | 1 | 2 | s | |||
| t擦除 | 扇區(qū)/組擦除時間(2) | -40°C 至 105°C | 0.30 | 4 | s | |
| 對于頭 25 個周期，0°C 至 60°C | 16 | 100 | ms | |||
| twec | 具有 15 年數(shù)據(jù)保持要求的寫入/擦除周期 | -40°C 至 105°C | 1000 | 周期 | ||
5.11 閃存編程和擦除時序數(shù)據(jù)閃存
Table 5-21 數(shù)據(jù)閃存的時序規(guī)格
| 參數(shù) | 最小值 | 標稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| tprog (72 位) | 寬字（72 位）編程時間 | 47 | 300 | µs | ||
| tprog（總） | 16K 字節(jié)編程時間(1) | -40°C 至 105°C | 330 | ms | ||
| 對于頭 25 個周期，0°C 至 60°C | 100 | 165 | ms | |||
| t擦除 | 扇區(qū)/組擦除時間(2) | -40°C 至 105°C | 0.200 | 8 | s | |
| 對于頭 25 個周期，0°C 至 60°C | 14 | 100 | ms | |||
| twec | 具有 15 年數(shù)據(jù)保持要求的寫入/擦除周期 | -40°C 至 105°C | 100000 | 周期 | ||
5.12 緊耦合 RAM 接口模塊
Figure 5-10 圖示了緊耦合 RAM (TCRAM) 到 Cortex-R4 CPU 的連接。
Figure 5-10 TCRAM 方框圖
5.12.1 特性
緊耦合 RAM (TCRAM) 模塊的特性有：
- 用作 Cortex-R4 CPU 的 BTCM 接口的從器件
- 通過提供 64 位數(shù)據(jù)和 8 位 ECC 代碼來支持 CPU 內(nèi)部 ECC 機制
- 監(jiān)視 CPU 事件總線并生成單或雙錯誤中斷
- 存儲針對單和多位錯誤的地址
- 通過支持地址總線上的奇偶校驗來提供 CPU 地址總線完整性檢查
- 執(zhí)行針對 RAM 組芯片選擇和 ECC 選擇生成邏輯的冗余地址解碼
- 通過執(zhí)行兩個 36 位寬字節(jié)交叉 RAM 組并且生成到兩個組的獨立的 RAM 訪問控制信號來提供針對 RAM 增強型安全性。
- 支持 RAM 組連同 ECC 位的自動初始化。
- 不支持位元 RAM訪問
5.12.2 TCRAMW ECC 支持
針對 Cortex-R4 CPU 從 RAM 讀取的每個數(shù)據(jù)，TCRAMW 傳遞 ECC 代碼。 它還在 CPU 進行到RAM 的寫入操作時將 CPU ECC 端口內(nèi)容存儲在 ECC RAM 中。 TCRAMW 監(jiān)視 CPU 事件總線并且為寄存器指示單/多位錯誤并且使寄存器識別導致單或多位錯誤的地址。 針對 RAM 訪問的事件信令和 ECC 檢查必須在 CPU 內(nèi)部被啟用。
更多信息請參閱器件技術(shù)參考手冊。
5.13 用于外設 RAM 訪問的奇偶校驗保護
對某些外設 RAM 的訪問由偶數(shù)/奇數(shù)校驗檢查保護。 在一個讀取訪問期間，根據(jù)從外設 RAM 中讀取的數(shù)據(jù)計算奇偶校驗并且將其與存儲在針對那個外設的奇偶校驗 RAM 中的正確奇偶校驗值相比較。 如果有任一字使奇偶校驗檢查失敗，模塊將生成一個被映射到錯誤信令模塊的奇偶校驗錯誤信號。 此模塊還捕捉導致奇偶校驗錯誤的外設 RAM 地址。
缺省情況下，針對外設 RAM 的奇偶校驗保護并不啟用，而必須由應用啟用。 每個獨立的外設包含控制寄存器來啟用針對到它的 RAM 訪問的奇偶校驗保護。
NOTE
CPU 讀取訪問從外設獲得真實的數(shù)據(jù)。 應用可以選擇在一個外設 RAM 奇偶校驗錯誤被檢測到時生成一個中斷。
5.14 片載 SRAM 初始化和測試
5.14.1 使用 PBIST 的片載 SRAM 自檢
5.14.1.1 特性
- 擴展指令集以支持不同的存儲器測試算法
- 基于 ROM 的算法使得應用能夠運行 TI生產(chǎn)級存儲器測試
- 所有片載 SRAM 的獨立測試
5.14.1.2 PBIST RAM 組
Table 5-22 PBIST RAM 分組
| 內(nèi)存 | RAM 組 | 測試時鐘 | 存儲器類型 | 測試模式（算法） | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 三倍讀取 慢速讀取 |
三倍讀取 快速讀取 |
March 13N 算法(1)
兩個端口（周期） |
March 13N 算法(1)
單端口（周期） |
||||
| ALGO MASK 0x1 | ALGO MASK 0x2 | ALGO MASK 0x4 | ALGOMASK 0x8 | ||||
| PBIST_ROM | 1 | ROMCLK | ROM | X | X | ||
| STC_ROM | 2 | ROMCLK | ROM | X | X | ||
| DCAN1 | 3 | VCLK | 雙端口 | 12720 | |||
| DCAN2 | 4 | VCLK | 雙端口 | 6480 | |||
| ESRAM1 | 6 | HCLK | 單端口 | 133160 | |||
| MIBSPI1 | 7 | VCLK | 雙端口 | 33440 | |||
| VIM | 10 | VCLK | 雙端口 | 12560 | |||
| MIBADC | 11 | VCLK | 雙端口 | 4200 | |||
| N2HET1 | 13 | VCLK | 雙端口 | 25440 | |||
| HTU1 | 14 | VCLK | 雙端口 | 6480 | |||
PBIST ROM 時鐘可由 HCLK 分頻得到。 通過編輯地址 0xFFFFFF58 上存儲器自檢全局控制寄存器 (MSTGCR) 的ROM_DIV 字段來選擇此分頻器。
5.14.2 片載 SRAM 自動初始化
這個微控制器允許通過系統(tǒng)模塊中的存儲器硬件初始化機制來初始化某些片載存儲器。 這個硬件機制使得一個應用能夠根據(jù)存儲器陣列的錯誤檢測機制（偶數(shù)/奇數(shù)奇偶校驗或 ECC）來將帶有錯誤檢測功能的存儲器陣列設定為一個已知狀態(tài)。
MINITGCR 寄存器啟用內(nèi)存初始化序列，并在 MSINENA 寄存器選擇要初始化的內(nèi)存。
有關(guān)這些寄存器的更多信息請參閱《器件技術(shù)參考手冊》。
不同片載存儲器到 MSINENA寄存器特定位的映射顯示在Table 5-23中。
Table 5-23 存儲器初始化
| 連接模塊 | 地址范圍 | MSINENA 寄存器位號(1) | |
|---|---|---|---|
| 基址 | 結(jié)束地址 | ||
| RAM | 0x08000000 | 0x08007FFF | 0 |
| MIBSPI1 RAM | 0xFF0E0000 | 0xFF0FFFFF | 7(2) |
| DCAN2 RAM | 0xFF1C0000 | 0xFF1DFFFF | 6 |
| DCAN1 RAM | 0xFF1E0000 | 0xFF1FFFFF | 5 |
| MIBADCRAM | 0xFF3E0000 | 0xFF3FFFFF | 8 |
| N2HETRAM | 0xFF460000 | 0xFF47FFFF | 3 |
| HTU RAM | 0xFF4E0000 | 0xFF4FFFFF | 4 |
| VIM RAM | 0xFFF82000 | 0xFFF82FFF | 2 |
5.15 矢量中斷管理器
矢量中斷管理器 (VIM) 為器件上的許多中斷源進行優(yōu)先級排序以及控制這些中斷源提供了硬件支持。 中斷由正常程序執(zhí)行流程以外的事件引起。 這些事件通常要求一個來自中央處理單元 (CPU) 的及時的響應；因此，當一個中斷發(fā)生時，CPU 從正常程序流程切換至中斷處理例程 (ISR)。
5.15.1 VIM 特性
VIM 模塊有下列特性：
- 支持 96 個中斷通道。
- 提供可編程優(yōu)先級和針對中斷請求線路的使能。
- 提供一個針對最快速 IRQ 調(diào)度的直接硬件調(diào)度機制。
- 當 CPU VIC 端口未被使用時提供兩個軟件調(diào)度機制。
- 索引中斷
- 寄存器矢量化中斷
- 由奇偶校驗保護的矢量中斷表預防軟件錯誤。
5.15.2 中斷請求分配
Table 5-24 中斷請求分配
| 模塊 | 中斷源 | 缺省 VIM 中斷通道 |
|---|---|---|
| ESM | ESM 高級中斷 (NMI) | 0 |
| 被保留 | 被保留 | 1 |
| RTI | RTI 比較中斷 0 | 2 |
| RTI | RTI 比較中斷 1 | 3 |
| RTI | RTI 比較中斷 2 | 4 |
| RTI | RTI 比較中斷 3 | 5 |
| RTI | RTI 溢出中斷 0 | 6 |
| RTI | RTI 溢出中斷 1 | 7 |
| 被保留 | 被保留 | 8 |
| GIO | GIO 中斷 A | 9 |
| N2HET | NHET2 0 級中斷 | 10 |
| HTU | HTU 0 級中斷 | 11 |
| MIBSPI1 | MIBSPI1 0 級中斷 | 12 |
| LIN | LIN 0 級中斷 | 13 |
| MIBADC | MIBADC 事件組中斷 | 14 |
| MIBADC | MIBADC sw 組 1 中斷 | 15 |
| DCAN1 | DCAN1 0 級中斷 | 16 |
| SPI2 | SPI20 級中斷 | 17 |
| 被保留 | 被保留 | 18 |
| 被保留 | 被保留 | 19 |
| ESM | ESM 低級中斷 | 20 |
| 系統(tǒng) | 軟件中斷 (SSI) | 21 |
| CPU | PMU 中斷 | 22 |
| GIO | GIO 中斷 B | 23 |
| N2HET | N2HET 1 級中斷 | 24 |
| HTU | HTU 1 級中斷 | 25 |
| MIBSPI1 | MIBSPI1 1 級中斷 | 26 |
| LIN | LIN 1 級中斷 | 27 |
| MIBADC | MIBADC sw 組 2 中斷 | 28 |
| DCAN1 | DCAN1 1 級中斷 | 29 |
| SPI2 | SPI21 級中斷 | 30 |
| MIBADC | MIBADC 量級比較中斷 | 31 |
| 被保留 | 被保留 | 32-34 |
| DCAN2 | DCAN2 0 級中斷 | 35 |
| 被保留 | 被保留 | 36 |
| SPI3 | SPI3 0 級中斷 | 37 |
| SPI3 | SPI3 1 級中斷 | 38 |
| 被保留 | 被保留 | 39-41 |
| DCAN2 | DCAN2 1 級中斷 | 42 |
| 被保留 | 被保留 | 43-60 |
| FMC | FSM_DONE 中斷 | 61 |
| 被保留 | 被保留 | 62-79 |
| HWAG | HWA_INT_REQ_H | 80 |
| 被保留 | 被保留 | 81 |
| DCC | DCC 完成中斷 | 82 |
| 被保留 | 被保留 | 83 |
| eQEPINTn | eQEP中斷 | 84 |
| PBIST | PBIST 完成中斷 | 85 |
| 被保留 | 被保留 | 86-87 |
| HWAG | HWA_INT_REQ_L | 88 |
| 被保留 | 被保留 | 89-95 |
NOTE
VIM RAM 中的地址位置 0x00000000 為幻影中斷 ISR 入口所保留；因此，只可使用請求通道 0..94 并且在 VIMRAM 中偏移 1 個地址。
5.16 實時中斷模塊
實時中斷 (RTI) 模塊為操作系統(tǒng)和基準代碼提供定時器功能。 RTI 模塊可包含幾個計數(shù)器，這些計數(shù)器定義了調(diào)度操作系統(tǒng)所需的時基。
定時器還使得您能夠通過在所需代碼范圍的開始和末尾讀取計數(shù)器的值并計算這些值之間的不同來重構(gòu)代碼的特定區(qū)域。
5.16.1 特性
RTI 模塊有下列特性：
- 兩個獨立的 64 位計數(shù)器塊
- 四個可配置的比較產(chǎn)生操作系統(tǒng)的時鐘節(jié)拍。 每個事件可由計數(shù)器塊 0 或計數(shù)器塊 1 驅(qū)動。
- 事件的快速啟用/禁用
- 兩個針對系統(tǒng)或外設中斷的時間戳（捕捉）功能，每個計數(shù)器塊一個
5.16.2 方框圖
Figure 5-11顯示了一個針對RTI 模塊內(nèi)部兩個 64 位計數(shù)器塊的其中一個的高級方框圖。 這兩個計數(shù)器塊是相同的。
Figure 5-11 計數(shù)器塊圖
Figure 5-12 比較塊圖
5.16.3 時鐘源選項
RTI 模塊使用 RTICLK 時鐘域來生成 RTI 時基。
應用可通過配置地址為 0xFFFFFF50 的系統(tǒng)模塊內(nèi)的 RCLKSRC 寄存器來為 RTICLK 選擇時鐘源。 RTICLK 缺省時鐘源為 VCLK。
時鐘源的更多信息請參考Table 5-8和Table 5-12。
5.17 錯誤信令模塊
錯誤信令模塊 (ESM) 管理RM4x微控制器上不同的錯誤條件。 錯誤條件按照分配給它的固定嚴重等級被處理。 任何嚴重的錯誤條件可被配置成在一個被稱為 nERROR 的專用器件引腳上驅(qū)動一個低電平。 這可被用作一個對外部監(jiān)視器電路的指示，使此電路將系統(tǒng)置于一個故障安全模式。
5.17.1 特性
錯誤信令模塊的特性為：
- 支持 128 個中斷/錯誤通道，這些通道分成 3 個不同的組
- 64 個具有可屏蔽中斷和可配置錯誤引腳運行方式的通道
- 32 個錯誤通道，這些通道具有不可屏蔽中斷和預先設定的錯誤引腳運行方式
- 32 個只具有預先設定的錯誤引腳運行方式的通道
- 發(fā)出嚴重器件故障信號的錯誤引腳
- 用于錯誤信號的可配置時基
- 錯誤強制功能
5.17.2 ESM 通道分配
錯誤信令模塊 (ESM) 集成了所有器件錯誤條件并將它們按照嚴重順序分組。 組 1 用于最低嚴重程度的錯誤，而組 3 被用于最高嚴重程度的錯誤。 器件對每個錯誤的響應由它所連接到嚴重程度組別確定。Table 5-26顯示了針對每個組的通道分配。
Table 5-25 ESM 組
| 錯誤組 | 中斷特性 | 對錯誤引腳的影響 |
|---|---|---|
| 組 1 | 可屏蔽，低或高優(yōu)先級 | 可配置的 |
| 組 2 | 不可屏蔽的，高 優(yōu)先級 | 固定的 |
| 組 3 | 沒有中斷被生成 | 固定的 |
Table 5-26 ESM 通道分配
| 錯誤源 | 組 | 通道 |
|---|---|---|
| 被保留 | 組 1 | 0 |
| 被保留 | 組 1 | 1 |
| 被保留 | 組 1 | 2 |
| 被保留 | 組 1 | 3 |
| 被保留 | 組 1 | 4 |
| 被保留 | 組 1 | 5 |
| FMC - 可校正的錯誤：總線 1 和總線 2 接口（不包括到組 EEPROM 的訪問） | 組 1 | 6 |
| N2HET - 奇偶校驗 | 組 1 | 7 |
| HTU - 奇偶校驗 | 組 1 | 8 |
| HTU - MPU | 組 1 | 9 |
| PLL - 跳周 | 組 1 | 10 |
| 時鐘監(jiān)視器 - 中斷 | 組 1 | 11 |
| 被保留 | 組 1 | 12 |
| 被保留 | 組 1 | 13 |
| 被保留 | 組 1 | 14 |
| VIM RAM - 奇偶校驗 | 組 1 | 15 |
| 被保留 | 組 1 | 16 |
| MibSPI1 - 奇偶校驗 | 組 1 | 17 |
| 被保留 | 組 1 | 18 |
| MibADC - 奇偶校驗 | 組 1 | 19 |
| 被保留 | 組 1 | 20 |
| DCAN1 - 奇偶校驗 | 組 1 | 21 |
| 被保留 | 組 1 | 22 |
| DCAN2 - 奇偶校驗 | 組 1 | 23 |
| 被保留 | 組 1 | 24 |
| 被保留 | 組 1 | 25 |
| RAM 偶數(shù)組 (B0TCM) - 可糾正的錯誤 | 組 1 | 26 |
| CPU - 自檢 | 組 1 | 27 |
| RAM 奇數(shù)組 (B1TCM) - 可糾正的錯誤 | 組 1 | 28 |
| 被保留 | 組 1 | 29 |
| DCC-錯誤 | 組 1 | 30 |
| CCM - R4 - 自檢 | 組 1 | 31 |
| 被保留 | 組 1 | 32 |
| 被保留 | 組 1 | 33 |
| 被保留 | 組 1 | 34 |
| FMC - 可糾正的錯誤（EEPROM 組訪問） | 組 1 | 35 |
| FMC - 不可糾正的錯誤（EEPROM 組訪問） | 組 1 | 36 |
| IOMM - 復用配置錯誤 | 組 1 | 37 |
| 被保留 | 組 1 | 38 |
| 被保留 | 組 1 | 39 |
| 熔絲組-每當熔絲組錯誤狀態(tài)寄存器中的任何位被置位時，就會生成這個錯誤信號。 每當該位被置位以便處理任何電熔絲組的錯誤條件時，該應用程序就可以選擇生成和中斷。 | 組 1 | 40 |
| 熔絲組 - 自檢錯誤。 當該位被置位時，沒有必要產(chǎn)生一個單獨的中斷。 | 組 1 | 41 |
| 被保留 | 組 1 | 42 |
| 被保留 | 組 1 | 43 |
| 被保留 | 組 1 | 44 |
| 被保留 | 組 1 | 45 |
| 被保留 | 組 1 | 46 |
| 被保留 | 組 1 | 47 |
| 被保留 | 組 1 | 48 |
| 被保留 | 組 1 | 49 |
| 被保留 | 組 1 | 50 |
| 被保留 | 組 1 | 51 |
| 被保留 | 組 1 | 52 |
| 被保留 | 組 1 | 53 |
| 被保留 | 組 1 | 54 |
| 被保留 | 組 1 | 55 |
| 被保留 | 組 1 | 56 |
| 被保留 | 組 1 | 57 |
| 被保留 | 組 1 | 58 |
| 被保留 | 組 1 | 59 |
| 被保留 | 組 1 | 60 |
| 被保留 | 組 1 | 61 |
| 被保留 | 組 1 | 62 |
| 被保留 | 組 1 | 63 |
| 被保留 | 組 2 | 0 |
| 被保留 | 組 2 | 1 |
| CCMR4 - 比較 | 組 2 | 2 |
| 被保留 | 組 2 | 3 |
| FMC - 不可糾正的錯誤（總線 1 訪問上的地址奇偶校驗） | 組 2 | 4 |
| 被保留 | 組 2 | 5 |
| RAM 偶數(shù)組 (B0TCM) - 不可糾正的錯誤 | 組 2 | 6 |
| 被保留 | 組 2 | 7 |
| RAM 奇數(shù)組 (B1TCM) - 不可糾正的錯誤 | 組 2 | 8 |
| 被保留 | 組 2 | 9 |
| RAM 偶組合 (B0TCM) - 地址總線奇偶校驗錯誤 | 組 2 | 10 |
| 被保留 | 組 2 | 11 |
| RAM 奇數(shù)組 (B1TCM) - 地址總線奇偶校驗錯誤 | 組 2 | 12 |
| 被保留 | 組 2 | 13 |
| 被保留 | 組 2 | 14 |
| 被保留 | 組 2 | 15 |
| TCM - ECC 活鎖檢測 | 組 2 | 16 |
| 被保留 | 組 2 | 17 |
| 被保留 | 組 2 | 18 |
| 被保留 | 組 2 | 19 |
| 被保留 | 組 2 | 20 |
| 被保留 | 組 2 | 21 |
| 被保留 | 組 2 | 22 |
| 被保留 | 組 2 | 23 |
| RTI_WWD_NMI | 組 2 | 24 |
| 被保留 | 組 2 | 25 |
| 被保留 | 組 2 | 26 |
| 被保留 | 組 2 | 27 |
| 被保留 | 組 2 | 28 |
| 被保留 | 組 2 | 29 |
| 被保留 | 組 2 | 30 |
| 被保留 | 組 2 | 31 |
| 被保留 | 組 3 | 0 |
| 熔絲組 - 自動載入錯誤 | 組 3 | 1 |
| 被保留 | 組 3 | 2 |
| RAM 偶數(shù)組 (B0TCM) - ECC 不可糾正的錯誤 | 組 3 | 3 |
| 被保留 | 組 3 | 4 |
| RAM 奇數(shù)組 (B1TCM) - ECC 不可糾正的錯誤 | 組 3 | 5 |
| 被保留 | 組 3 | 6 |
| FMC - 不可糾正的錯誤：總線 1 和總線 2 接口（不包括地址奇偶校驗錯誤和訪問組 EEPROM 時的錯誤） | 組 3 | 7 |
| 被保留 | 組 3 | 8 |
| 被保留 | 組 3 | 9 |
| 被保留 | 組 3 | 10 |
| 被保留 | 組 3 | 11 |
| 被保留 | 組 3 | 12 |
| 被保留 | 組 3 | 13 |
| 被保留 | 組 3 | 14 |
| 被保留 | 組 3 | 15 |
| 被保留 | 組 3 | 16 |
| 被保留 | 組 3 | 17 |
| 被保留 | 組 3 | 18 |
| 被保留 | 組 3 | 19 |
| 被保留 | 組 3 | 20 |
| 被保留 | 組 3 | 21 |
| 被保留 | 組 3 | 22 |
| 被保留 | 組 3 | 23 |
| 被保留 | 組 3 | 24 |
| 被保留 | 組 3 | 25 |
| 被保留 | 組 3 | 26 |
| 被保留 | 組 3 | 27 |
| 被保留 | 組 3 | 28 |
| 被保留 | 組 3 | 29 |
| 被保留 | 組 3 | 30 |
| 被保留 | 組 3 | 31 |
5.18 復位/異常中斷/錯誤狀態(tài)
Table 5-27 復位/異常中斷/錯誤狀態(tài)
| 錯誤源 | 系統(tǒng)模式 | 錯誤回應 | ESM 接線， 組.通道 |
|---|---|---|---|
| CPU 處理 | |||
| 精確的寫入錯誤（NCNB / 強序） | 用戶/權(quán)限 | 精確中止 (CPU) | 不可用 |
| 精確的讀取錯誤（NCB / 器件或正常） | 用戶/權(quán)限 | 精確中止 (CPU) | 不可用 |
| 模糊的寫入錯誤（NCB / 器件或正常） | 用戶/權(quán)限 | 模糊中止（CPU） | 不可用 |
| 無效指令 | 用戶/權(quán)限 | 未定義指令陷阱 (CPU)(1) | 不可用 |
| MPU 訪問沖突 | 用戶/權(quán)限 | 中止（CPU） | 不可用 |
| SRAM | |||
| B0 TCM（奇數(shù)）ECC 單一錯誤（可糾正） | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.26 |
| B0 TCM（偶）ECC 雙錯誤（不可糾正） | 用戶/權(quán)限 | 中止 (CPU)，ESM => nERROR | 3.3 |
| B0 TCM（偶）無法更正的錯誤（即冗余地址解碼） | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.6 |
| B0 TCM（偶）地址總線奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.10 |
| B1 TCM（奇數(shù)）單一錯誤（可更正） | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.28 |
| B1 TCM（奇數(shù)）雙錯誤（不可更正） | 用戶/權(quán)限 | 中止（CPU），ESM => nERROR | 3.5 |
| B1 TCM（奇數(shù)）無法更正的錯誤（即冗余地址解碼） | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.8 |
| B1 TCM（奇數(shù)）地址總線奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.12 |
| 帶有基于 CPUECC 的閃存 | |||
| FMC 可糾正的錯誤 - 總線 1 和總線 2 接口 （不包括對 EEPROM 組的訪問） | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.6 |
| FMC 不可糾正的錯誤 - 總線 1 訪問 （不包括地址奇偶校驗錯誤） |
用戶/權(quán)限 | 中止 (CPU)，ESM => nERROR | 3.7 |
| FMC 不可糾正的錯誤 - 總線 2 訪問 （不包括地址奇偶校驗錯誤和到組 EEPROM 的訪問） |
用戶/特權(quán) | ESM=>nERROR | 3.7 |
| FMC 不可糾正的錯誤-總線 1 訪問時的地址奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.4 |
| FMC 可糾正的錯誤 - 到組 EEPROM 的訪問 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.35 |
| FMC 不可糾正的錯誤 - 到組 EEPROM 的訪問 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.36 |
| 高端定時器傳輸單元 (HTU) | |||
| 具有從器件錯誤響應的 NCNB（強序）處理 | 用戶/權(quán)限 | 中斷 => VIM | 不可用 |
| 外部的模糊錯誤（帶有 ok 響應的非法處理） | 用戶/權(quán)限 | 中斷 => VIM | 不可用 |
| 內(nèi)存訪問允許違反 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.9 |
| 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.8 |
| N2HET | |||
| 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.7 |
| MIBSPI | |||
| MibSPI1 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.17 |
| MIBADC | |||
| MibADC 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.19 |
| DCAN | |||
| DCAN1 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.21 |
| DCAN2 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.23 |
| PLL | |||
| PLL 跳周錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.10 |
| 時鐘監(jiān)視器 | |||
| 時鐘監(jiān)視器中斷 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.11 |
| DCC | |||
| DCC 錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.30 |
| CCM-R4 | |||
| 自檢故障 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.31 |
| 比較故障 | 用戶/權(quán)限 | ESM => NMI => nERROR | 2.2 |
| VIM | |||
| 內(nèi)存奇偶校驗錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.15 |
| 電壓監(jiān)控器 | |||
| VMON 超出電壓范圍 | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| CPU 自檢 (LBIST) | |||
| CPU 自檢 (LBIST) 錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.27 |
| 引腳復用控制 | |||
| 復用配置錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.37 |
| 熔絲控制器 | |||
| 熔絲控制器自動載入錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM=>nERROR | 3.1 |
| 電子熔絲控制器-在錯誤狀態(tài)寄存器內(nèi)置位的任何位 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.40 |
| 電子熔絲控制器自檢錯誤 | 用戶/權(quán)限 | ESM | 1.41 |
| 窗口式看門狗 | |||
| WWD 不可屏蔽的中斷異常 | 不可用 | ESM => NMI => nERROR | 2.24 |
| 錯誤 SYSESR 寄存器中反映的錯誤 | |||
| 加電復位 | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| 振蕩器故障 / PLL 跳周(2) | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| 看門狗異常 | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| CPU 復位（由 CPUSTC 驅(qū)動） | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| 軟件復位 | 不可用 | 復位 | 不可用 |
| 外部復位 | 不可用 | 復位 | 不可用 |
5.19 數(shù)字窗口式看門狗
這個器件包含一個數(shù)字窗口式看門狗 (DWWD) 模塊，此模塊防止代碼執(zhí)行失控。
DWWD 模塊使得應用能夠配置時間窗口，在這個窗口內(nèi) DWWD 模塊要求應用來處理看門狗。 如果應用在這個窗口之外處理安全裝置，或者根本就沒有成功處理安全裝置，一個安全裝置違反就會發(fā)生。 對于在一個安全裝置違反情況下，應用程序可以選擇產(chǎn)生一個系統(tǒng)復位或一個到 CPU 的非屏蔽中斷。
缺省情況下，安全裝置被禁用并且必須由應用啟用。 一旦被啟用，看門狗只能在系統(tǒng)復位時被禁用。
5.20 調(diào)試子系統(tǒng)
5.20.2 調(diào)試組件內(nèi)存映射
Table 5-28 調(diào)試組件內(nèi)存映射
| 模塊名稱 | 幀芯片 選擇 |
幀地址范圍 | 幀 大小 |
實際 大小 |
對幀內(nèi)未實現(xiàn)位置的訪問的響應 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 啟動 (START) | 結(jié)束 (END) | |||||
| CoreSight 調(diào)試ROM | CSCS0 | 0xFFA0_0000 | 0xFFA0_0FFF | 4KB | 4KB | 讀取返回 0，寫入無影響 |
| Cortex-R4 調(diào)試 | CSCS1 | 0xFFA0_1000 | 0xFFA0_1FFF | 4KB | 4KB | 讀取返回 0，寫入無影響 |
5.20.3 JTAG 識別代碼
該器件的 JTAG ID 代碼是 0x0B97102F。 此代碼與器件 ICEPick 識別代碼一樣。
5.20.4 調(diào)試 ROM
調(diào)試 ROM 存儲了調(diào)試 APB 總線上組件的位置：
Table 5-29 調(diào)試 ROM 表
| 地址 | 說明 | 值 |
|---|---|---|
| 0x000 | 到 Cortex-R4 的指針 | 0x0000 1003 |
| 0x001 | 被保留 | 0x0000 2002 |
| 0x002 | 被保留 | 0x0000 3002 |
| 0x003 | 被保留 | 0x4002 0000 |
| 0x004 | 表尾 | 0x0000 0000 |
5.20.5 JTAG 掃描接口時序
Table 5-30 JTAG 掃描接口時序(1)
| 編號 | 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| fTCK | TCK 頻率（在 HCLKmax 上） | 12 | MHz | ||
| fRTCK | RTCK 頻率（在 TCKmax 和 HCLKmax 上） | 10 | MHz | ||
| 1 | td(TCK -RTCK) | 延遲時間, TCK 到 RTCK 的時間 | 24 | ns | |
| 2 | tsu(TDI/TMS - RTCKr) | 建立時間，TDI, TMS 在 RTCK 上升 (RTCKr) 前的時間 | 26 | ns | |
| 3 | th(RTCKr -TDI/TMS) | 保持時間，TDI，TMS 在 RTCKr 后的時間 | 0 | ns | |
| 4 | th(RTCKr -TDO) | 保持時間，TDO 在 RTCKf 后的時間 | 0 | ns | |
| 5 | td(TCKf-TDO) | 延遲時間，RTCK 下降 (RTCKf) 后 TDO 的有效時間 | 12 | ns | |
Figure 5-14 JTAG 時序
5.20.6 高級 JTAG 安全模塊
這個器件包含一個高級 JTAG 安全模塊 (AJSM)。此模塊通過允許用戶在編程后鎖定器件來為器件的存儲器內(nèi)容提供最大的安全性。
Figure 5-15 AJSM 解鎖
缺省情況下，器件由一個在 OTP 地址 0xF0000000 內(nèi)設定的 128 位可見解鎖代碼來解鎖。OTP 內(nèi)容與“掃描解鎖”寄存器內(nèi)容進行異或 (XOR) 運算。 這些 XOR 門的輸出重新與一組加密內(nèi)部打結(jié)相組合。 這個組合邏輯輸出與一個加密硬編碼 128 位值相比較。 一個解鎖 (UNLOCK) 信號內(nèi)的匹配信號被置為有效，這樣此器件現(xiàn)在被解鎖。
用戶可通過將可見解鎖代碼中至少一個位從 1 改為 0 來將器件解鎖。由于可見解鎖代碼被存儲在一次性可編程 (OTP) 閃存區(qū)域內(nèi)，所以不能將這個位從 0 改為 1。 此外，將所有 128 位改為零不是一個有效條件并且將永久鎖住器件。
一旦被鎖定，用戶可以通過掃描一個適當?shù)闹颠M入 AJSM 模塊中的“由掃描解鎖”寄存器來解鎖器件。 被掃描的值是 OTP 內(nèi)容的 XOR，而由掃描解鎖寄存器內(nèi)容得到原始可見解鎖代碼。
由掃描解鎖寄存器只有當加電復位 (nPORRST) 被置為有效時才復位。
一個受保護器件只允許由 ICEPick 模塊的次級抽頭 #2 到 AJSM 掃描鏈的 JTAG 訪問。 所有其它次級抽頭、試驗抽頭和邊界掃描接口都不能在這個狀態(tài)下訪問。
5.20.7 邊界掃描鏈
為了測試引腳到引腳兼容性，器件支持與邊界掃描描述語言 (BSDL) 兼容的邊界掃描。 邊界掃描鏈被連接到 ICEPICK 模塊的邊界掃描接口上。
Figure 5-16 邊界掃描實現(xiàn)（概念圖）
輸入分別由 TDI 和 TDO 串行移入和移出所有邊界掃描緩沖器。