11 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (August 2016)to RevisionE (July 2025)
- 通篇添加了 TMP411D 器件Go
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 通篇將術(shù)語“主器件”更改為“控制器”，將“從器件”更改為“目標(biāo)”Go
- 通篇更新了“轉(zhuǎn)換時間”Go
- 通篇更改了平均電流和關(guān)斷電流Go
- 更新了 D+/D- 引腳上的最大額定電壓。Go
- 更新了 4、6、7、8 引腳上的最大額定電壓。Go
- 更新了 V+ 引腳上的最大額定電壓。Go
- 為新芯片添加了 D 和 DGK 封裝“熱性能信息”。Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“轉(zhuǎn)換時間”。Go
- 更新了遲滯典型值的拼寫錯誤，從 500mV 更新為 170mVGo
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“邏輯輸入電流”。Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“輸出低電壓”。Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“高電平輸出漏電流”。Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“靜態(tài)電流”和所有測試條件。Go
- 更新了 fs=40KHz 的拼寫錯誤，更改為 fs=400KHz。Go
- 刪除了對欠壓鎖定的限制Go
- 在電氣特性表中添加了新芯片的“上電復(fù)位閾值”Go
- 在電氣特性 表中添加了欠壓檢測值Go
- 將新芯片高速模式下的 t(SUDAT) 從 10ns 更改為 20nsGo
- 添加了新芯片的“典型特性 (TMP411)”圖Go
- 更新了概述部分基本連接圖Go
- 更新了功能方框圖和簡化方框圖
Go
- 更新了欠壓鎖定部分，因為新芯片的 POR 會刪除欠壓鎖定電壓Go
- 向關(guān)斷模式 (SD) 部分添加了說明文字，以便與實際器件行為保持一致Go
- 更新了狀態(tài)寄存器部分，因為新芯片的 POR 會刪除欠壓鎖定電壓Go
- 在設(shè)計要求部分添加了 D+ 波形Go
- 更新了詳細(xì)設(shè)計過程部分Go
- 添加了文檔支持 和相關(guān)文檔 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (May 2008)to RevisionD (August 2016)
- 向特性 部分添加了“用于系統(tǒng)校準(zhǔn)的偏移寄存器”和“與 ADT7461 和 ADM1032 兼容的引腳和寄存器”Go
- 在器件信息 表中保留了 VSSOP 作為封裝選項，以便與 POA 和 eMSG 信息匹配Go
- 通篇將“MSOP-8”更改為“VSSOP-8”Go
- 在引腳配置和功能 部分中添加了封裝標(biāo)識符和引腳排列圖Go
- 添加了功能方框圖
Go
- 添加了時序圖 部分Go
- 添加了電源相關(guān)建議 信息Go