ZHCSWL5B June 2024 – July 2025 TMCS1127
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 通用 | |||||
| CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | ≥ 8 | mm | |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | ≥ 8 | mm | |
| CTI | 相對(duì)漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112；IEC 60112 | ≥ 600 | V | |
| 材料組 | 符合 IEC 60664-1 | I | |||
| 過(guò)壓類別（符合 IEC 60664-1） | 額定市電電壓 ≤ 600VRMS | I-IV | |||
| VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 1697 | VPK | |
| VIOWM | 最大增強(qiáng)型隔離工作電壓 | 交流電壓（正弦波）；時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測(cè)試，故障率 < 1ppm，請(qǐng)參閱輸入隔離 部分。 | 950 | VRMS | |
| 1343 | VDC | ||||
| 最大基本隔離工作電壓 | 交流電壓（正弦波）；時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測(cè)試，故障率 < 1000ppm，請(qǐng)參閱輸入隔離 部分。 | 1200 | VRMS | ||
| 1697 | VDC | ||||
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = √2 x VISO，t = 60s（鑒定測(cè)試）； VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） |
7071 | VPK | |
| VIOSM | 最大浪涌隔離電壓(2) | 測(cè)試方法符合 IEC 62368-1，1.2/50μs 波形， VTEST = 1.3 × VIOSM（鑒定測(cè)試） |
10000 | VPK | |
| qpd | 視在電荷(3) | 方法 b1：常規(guī)測(cè)試（100% 生產(chǎn)測(cè)試）和預(yù)處理（類型測(cè)試），Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s，Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s | ≤5 | pC | |
| CIO | 勢(shì)壘電容，輸入至輸出(4) | VIO = 0.4 sin (2πft)，f = 1MHz | 0.6 | pF | |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(4) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | ? | |
| VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | ? | |||
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | ? | |||
| 污染等級(jí) | 2 | ||||
| UL 1577 | |||||
| VISO | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO，t = 60s（鑒定測(cè)試）； VTEST = 1.2 × VISO，t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） |
5000 | VRMS | |