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ZHCSFE8A August 2016 – November 2016 TLV8801 , TLV8802

PRODUCTION DATA.

封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DBV|5
- MPDS018T

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6 規(guī)格

6.1 絕對最大額定值

在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)（除非另有說明） ⁽¹⁾

			最小值	最大值	單位
電源電壓，V_s = (V+) - (V-)			-0.3	6	V
輸入引腳	電壓 ⁽²⁾ ⁽³⁾	共模	(V-) - 0.3	(V+) + 0.3	V
輸入引腳		差分	(V-) - 0.3	(V+) + 0.3	V
輸入引腳	電流		-10	10	mA
輸出短路電流 (A) ⁽⁴⁾			持續(xù)	持續(xù)
存儲溫度，T_stg			-65	150	°C
結(jié)溫				150	°C

(1) 超出絕對最大額定值下列出的應(yīng)力值可能會對器件造成永久損壞。這些僅為在應(yīng)力額定值下的工作情況，對于額定值下的器件的功能性操作以及在超出推薦的操作條件下的任何其它操作，在此并未說明。在絕對最大額定值條件下長時間運行會影響器件可靠性。

(2) 以 V- 為基準(zhǔn)，在 ANY 引腳上不超過 -0.3V 或 +6.0V

(3) 輸入端子被二極管鉗制至電源軌。對于擺幅超過電源軌 0.3V 的輸入信號，必須將其電流限制為 10mA 或者更低。

(4) 對 Vs/2 短路，每個封裝對應(yīng)一個放大器。在高環(huán)境溫度下持續(xù)短路運行可能會導(dǎo)致超過允許的最大結(jié)溫 (150°C)。

6.2 ESD 額定值

			值	單位
V_(ESD)	靜電放電	人體放電模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001⁽¹⁾	±1000	V
V_(ESD)	靜電放電	組件充電模式 (CDM)，符合 JEDEC 規(guī)范 JESD22-C101⁽²⁾	±250	V

(1) JEDEC 文檔 JEP155 規(guī)定：500V HBM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。如果具備必要的預(yù)防措施，則可以在低于 500V HBM 時進(jìn)行生產(chǎn)。列為 ±2000V 的引腳實際上可能具有更高的性能。

(2) JEDEC 文檔 JEP157 規(guī)定：250V CDM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。如果具備必要的預(yù)防措施，則可以在低于 250V CDM 時進(jìn)行生產(chǎn)。列為 ±750V 的引腳實際上可能具有更高的性能。

6.3 建議的工作條件

在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)（除非另有說明）

		最小值	標(biāo)稱值	最大值	單位
電源電壓 (V+ - V–)		1.7		5.5	V
額定溫度范圍		-40		125	°C

6.4 熱性能信息

熱指標(biāo)⁽¹⁾		TLV8801 DBV 5 引腳	TLV8802 DGK 8 引腳	單位
θ_JA	結(jié)至環(huán)境熱阻	177.4	177.6	ºC/W
θ_JCtop	管結(jié)到散熱片（頂部）熱阻	133.9	68.8
θ_JB	結(jié)至電路板熱阻	36.3	98.2
ψ_JT	結(jié)至頂部的特征參數(shù)	23.6	12.3
ψ_JB	結(jié)至電路板的特征參數(shù)	35.7	96.7

(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請參閱應(yīng)用報告《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》。

6.5 電氣特性

除非另有說明，否則 T_A = 25°C，V_S= 1.8V 至 5V，V_CM = V_OUT = V_S/2，R_L≥ 10MΩ（連接至 V_S/2）。

參數(shù)		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
偏移電壓
V_OS	輸入偏移電壓	V_S = 1.8V、3.3V 和 5V， V_CM = V-			0.55	±4.5	mV
V_OS	輸入偏移電壓	V_S = 1.8V、3.3V 和 5V， V_CM = (V+) – 0.9V			0.55	±4.5	mV
ΔV_OS/ΔT	輸入偏移漂移	V_CM = V-	T_A = –40°C 至 125°C		1		µV/°C
PSRR	電源抑制比	V_S = 1.8V 至 5V， V_CM = V-			1.6	60	µV/V
輸入電壓范圍
V_CM	共模電壓范圍	V_S = 5V		0		4.1	V
CMRR	共模抑制比，TLV8801	(V–) ≤ V_CM ≤ (V+) – 0.9V，V_S = 5V		77	87		dB
CMRR	共模抑制比，TLV8802	(V–) ≤ V_CM ≤ (V+) – 0.9V，V_S = 5V		80	90		dB
輸入偏置電流
I_B	輸入偏置電流	V_S = 1.8V			±100		fA
I_OS	輸入偏移電流	V_S = 1.8V			±100		fA
輸入阻抗
	差分				7		pF
	共模				3		pF
噪聲
E_n	輸入電壓噪聲	ƒ = 0.1Hz 至 10Hz			12		µVp-p
e_n	輸入電壓噪聲密度	ƒ = 100Hz			340		nV/√Hz
e_n	輸入電壓噪聲密度	ƒ = 1kHz			450		nV/√Hz
開環(huán)增益
A_OL	開環(huán)電壓增益	(V–) + 0.3V ≤ V_O ≤ (V+) – 0.3V，R_L= 100kΩ			120		dB
輸出
V_OH	相對于正電源軌的電壓輸出擺幅	V_S = 1.8V，R_L = 100kΩ（連接至 V⁺/2）		10	3.5		mV
V_OL	相對于負(fù)電源軌的電壓輸出擺幅	V_S = 1.8V，R_L = 100kΩ（連接至 V⁺/2）			2.5	10	mV
I_SC	短路電流	V_S = 3.3V，對 V_S/2 短路			4.7		mA
Z_O	開環(huán)輸出阻抗	ƒ = 1kHz，I_O = 0A			90		kΩ
頻率響應(yīng)
GBP	增益帶寬積	C_L= 20pF，R_L = 10MΩ，V_S = 5V			6		kHz
SR	轉(zhuǎn)換率（10% 至 90%）	G = 1，上升沿，C_L= 20pF，V_S = 5V			1.4		V/ms
SR	轉(zhuǎn)換率（10% 至 90%）	G = 1，下降沿，C_L= 20pF，V_S = 5V			1.5		V/ms
電源
I_Q-TLV8801	靜態(tài)電流	V_CM = V-，I_O = 0，V_S = 3.3V			450	700	nA
I_Q-TLV8802	靜態(tài)電流，每通道	V_CM = V-，I_O = 0，V_S = 3.3V			320	650	nA