ZHCSKS8A December 2020 – January 2023 TLV62595
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ | 靜態(tài)電流 | EN = 高電平，無負(fù)載，器件未開關(guān) | 10 | μA | ||
| ISD | 關(guān)斷電流 | EN = 低電平，TJ = -40℃ 至 85℃ | 0.05 | μA | ||
| VUVLO | 欠壓鎖定閾值 | VIN 下降 | 2.1 | 2.2 | 2.3 | V |
| 欠壓鎖定遲滯 | VIN 上升 | 160 | mV | |||
| TJSD | 熱關(guān)斷閾值 | TJ 上升 | 150 | °C | ||
| 熱關(guān)斷遲滯 | TJ 下降 | 20 | °C | |||
| 邏輯接口 EN | ||||||
| VIH | 高電平閾值電壓 | VIN = 2.5 V 至 5.5 V | 1.0 | V | ||
| VIL | 低電平閾值電壓 | VIN = 2.5 V 至 5.5 V | 0.4 | V | ||
| 軟啟動(dòng)，電源正常 | ||||||
| tSS | 軟啟動(dòng)時(shí)間 | 從 EN 高電平到 VOUT 標(biāo)稱值的 95% 的時(shí)間 | 1.75 | ms | ||
| VPG | 電源正常下限閾值 | VPG 上升，VFB 以 VFB 標(biāo)稱值為基準(zhǔn) | 96 | % | ||
| VPG 下降，VFB 以 VFB 標(biāo)稱值為基準(zhǔn) | 92 | % | ||||
| 電源正常上限閾值 | VPG 上升，VFB 以 VFB 標(biāo)稱值為基準(zhǔn) | 105 | % | |||
| VPG 下降，VFB 以 VFB 標(biāo)稱值為基準(zhǔn) | 110 | % | ||||
| VPG,OL | 低電平輸出電壓 | Isink = 1 mA | 0.4 | V | ||
| IPG,LKG | 流入 PG 引腳的輸入漏電流 | VPG = 5.0 V | 0.01 | μA | ||
| tPG,DLY | 電源正常抗尖峰脈沖延遲 | PG 上升沿 | 100 | μs | ||
| PG 下降沿 | 20 | |||||
| 輸出 | ||||||
| VFB | 反饋調(diào)節(jié)電壓 | PWM 模式，2.5V ≤ VIN ≤ 5.5V，TJ = -40°C 至 125°C | 594 | 600 | 606 | mV |
| IFB,LKG | 可調(diào)輸出電壓的反饋輸入漏電流 | VFB = 0.6V | 0.01 | μA | ||
| IDIS | 輸出放電電流 | VSW = 0.4V；EN = 低電平 | 400 | mA | ||
| 負(fù)載調(diào)整率 | IOUT = 0.5A 至 3A，VOUT = 1.8V | 0.1 | %/A | |||
| 電源開關(guān) | ||||||
| RDS(on) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | 26 | mΩ | |||
| 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | 25 | mΩ | ||||
| ILIM | 高側(cè) FET 開關(guān)電流限制，DC | 4.8 | 5.6 | A | ||
| fSW | PWM 開關(guān)頻率 | IOUT = 1A，VOUT = 1.8V | 2.2 | MHz | ||