ZHCSF25 May 2016 TLV521
PRODUCTION DATA.
6 技術規格
6.1 絕對最大額定值(1)
在自然通風溫度范圍內運行（除非另有說明）(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 相對于 V– 的任何引腳 | −0.3 | 6 | V | |
| IN+、IN–、OUT 引腳 | V– – 0.3V | V+ + 0.3V | V | |
| V+、V–、OUT 引腳 | 40 | mA | ||
| 差分輸入電壓（VIN+ - VIN–） | -300 | 300 | mV | |
| 結溫 | –40 | 150 | °C | |
| 安裝溫度 | 紅外或對流（30 秒） | 260 | °C | |
| 波峰鉛焊溫度（4 秒） | 260 | °C | ||
| 存儲溫度，Tstg | −65 | 150 | °C | |
(1) 超出絕對最大額定值下列出的應力值可能會對器件造成永久損壞。這些僅為在應力額定值下的工作情況，對于額定值下的器件的功能性操作以及在超出推薦的操作條件下的任何其它操作，在此并未說明。在絕對最大額定值條件下長時間運行會影響器件可靠性。
6.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±2000 | V |
| 充電器件模式 (CDM)，符合 JEDEC 規范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
| 機器模型 | ±200 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規定：500V HBM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規定：250V CDM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
6.3 建議的運行條件(1)
在自然通風溫度范圍內運行（除非另有說明）| 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| 溫度范圍 | −40 | 125 | °C |
| 電源電壓 (VS = V+ - V−) | 1.7 | 5.5 | V |
(1) 表示限值，如超出這些限值，則可能會發生損壞。 表示旨在讓器件正常工作但無法確保特定性能的條件。有關保證的各種規格和測試條件，請參閱電氣特性。
6.4 熱性能信息
| 熱指標(1) | TLV521 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| DCK (SC70) | |||
| 5 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 269.9 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 93.7 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 48.8 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 2 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 47.9 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | 不適用 | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參見《半導體和 IC 封裝熱指標》應用報告，SPRA953。
6.5 電氣特性
除非另有說明，否則所有限值均是針對以下條件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。(1)| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VOS | 輸入失調電壓 | VCM = 0.3V | -3 | 0.1 | 3 | mV |
| VCM = 3V | -3 | 0.1 | 3 | |||
| TCVOS | 輸入失調電壓漂移 | ±1.5 | μV/°C | |||
| IBIAS | 輸入偏置電流 | 1 | pA | |||
| IOS | 輸入失調電流 | 50 | fA | |||
| CMRR | 共模抑制比 | 0V ≤ VCM ≤ 3.3V | 70 | 90 | dB | |
| 0V ≤ VCM ≤ 2.2V | 100 | |||||
| PSRR | 電源抑制比 | V+ = 1.8V 至 3.3V；VCM = 0.3V | 80 | 100 | dB | |
| CMVR | 共模電壓范圍 | CMRR ≥ 70dB | 0 | 3.3 | V | |
| AVOL | 大信號電壓增益 | VO = 0.5V 至 2.8V RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 |
80 | 110 | dB | |
| VO | 高輸出擺幅 | RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 VIN（差分）= 100mV |
3 | 50 | mV（與任一軌的差值） | |
| 低輸出擺幅 | RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 VIN（差分）= −100mV |
2 | 50 | |||
| IO | 輸出電流 | 拉電流，VO 至 V−
VIN（差分）= 100mV |
11 | mA | ||
| 灌電流，VO 至 V+
VIN（差分）= −100mV |
12 | |||||
| IS | 電源電流 | VCM = 0.3V | 350 | 500 | nA |
(1) 電氣特性 值僅適用于指示溫度下的工廠測試條件。工廠測試條件會使器件的自加熱大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加熱條件下，參數性能（如電氣表中所示）無法得到保證。 表示結溫限值，超過這些限值，器件將會發生機械性或電氣性的永久降級。
6.6 交流電氣特性(1)
除非另有說明，否則所有限值均是針對以下條件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。| 參數 | 測試條件 | 最小值 (2) |
典型值 (3) |
最大值 (2) |
單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBW | 增益帶寬積 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 6 | kHz | |||
| SR | 轉換率 | AV = +1， VIN = 0V 至 3.3V |
下降沿 | 2.9 | V/ms | ||
| 上升沿 | 2.5 | ||||||
| θ m | 相補角 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 73 | 度 | |||
| Gm | 增益裕量 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 19 | dB | |||
| en | 輸入參考電壓噪聲密度 | f = 100Hz | 300 | nV/√Hz | |||
| 輸入參考電壓噪聲 | 0.1Hz 至 10Hz | 22 | μVPP | ||||
| In | 輸入參考電流噪聲 | f = 100Hz | 100 | fA/√Hz | |||
| EMIRR | EMI 抑制比，IN+ 和 IN−(4) | VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 400MHz |
121 | dB | |||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 900MHz |
121 | ||||||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 1800MHz |
124 | ||||||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 2400MHz |
142 | ||||||
(1) 電氣特性 值僅適用于指示溫度下的工廠測試條件。工廠測試條件會使器件的自加熱大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加熱條件下，參數性能（如電氣表中所示）無法得到保證。 表示結溫限值，超過這些限值，器件將會發生機械性或電氣性的永久降級。
(2) 所有限值均經過測試、統計分析或設計方面的檢驗，可以得到保證。
(3) 典型值表示評定特性時最有可能達到的參數標準。實際典型值可能會隨時間推移而變化，而且還取決于應用和配置。已發貨生產材料未進行這些典型值測試，無法確保符合這些典型值。
(4) EMI 抑制比被定義為：EMIRR = 20log (VRF_PEAK/ΔVOS)。
6.7 典型特性
TJ = 25°C 時測得的值（除非另有說明）。
Figure 1. 電源電流與電源電壓間的關系
Figure 3. 失調電壓分布圖
Figure 5. 輸入失調電壓與電源電壓間的關系
Figure 7. 輸入失調電壓與輸出電壓間的關系
Figure 9. 輸入失調電壓與灌電流間的關系
Figure 11. 灌電流與輸出電壓間的關系
Figure 13. 灌電流與電源電壓間的關系
Figure 15. 低輸出擺幅與電源電壓間的關系
Figure 17. 輸入偏置電流與共模電壓間的關系
Figure 19. CMRR 與頻率間的關系
Figure 21. 頻率響應與 RL 間的關系
Figure 23. 轉換率與電源電壓間的關系
Figure 25. 大信號脈沖響應
Figure 2. 電源電流與電源電壓間的關系
Figure 4. 輸入失調電壓與輸入共模電壓間的關系
Figure 6. 輸入失調電壓與電源電壓間的關系
Figure 8. 輸入失調電壓與拉電流間的關系
Figure 10. 拉電流與輸出電壓間的關系
Figure 12. 拉電流與電源電壓間的關系
Figure 14. 高輸出擺幅與電源電壓間的關系
Figure 16. 輸入偏置電流與共模電壓間的關系
Figure 18. PSRR 與頻率間的關系
Figure 20. 頻率響應與溫度間的關系
Figure 22. 頻率響應與 CL 間的關系
Figure 24. 0.1 至 10Hz 時域電壓噪聲
Figure 26. 大信號脈沖響應
Figure 28. EMIRR 與頻率間的關系