ZHCSH12A October 2017 – December 2018 TLV2313-Q1 , TLV313-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì) 說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DCK|5
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說明
TLVx313-Q1系列單通道和雙通道運(yùn)算放大器兼具低功耗和高性能優(yōu)勢(shì)。因此非常適合各種廣泛的 應(yīng)用， 如信息娛樂、引擎控制單元、汽車照明等。該系列 具有 軌至軌輸入和輸出 (RRIO) 擺幅、低靜態(tài)電流（典型值：65µA）、高帶寬 (1MHz) 以及超低噪聲（1kHz 時(shí)為 26nV/√Hz）等特性，因此對(duì)于需要在成本與性能間實(shí)現(xiàn)良好平衡的各類電池供電型 應(yīng)用 非常有吸引力。此外，該系列器件具有低輸入偏置電流，因此適用于 源阻抗高達(dá)兆歐級(jí) 的應(yīng)用。
TLVx313-Q1 器件采用穩(wěn)健耐用的設(shè)計(jì)，方便電路設(shè)計(jì)人員使用。這些器件在容性負(fù)載高達(dá) 100pF 的條件下具有單位增益穩(wěn)定性，集成了 RFI/EMI 抑制濾波器，在過驅(qū)條件下無相位反轉(zhuǎn)，并具有高靜電放電 (ESD) 保護(hù) (4kV HBM)。
這些器件經(jīng)過優(yōu)化，適合在低至 1.8V (±0.9V) 和高達(dá) 5.5V (±2.75V) 的電壓下工作，且額定的擴(kuò)展工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
單通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封裝。雙通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封裝。
器件信息(1)
| 器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TLV313-Q1 | SC70 (5) | 2.00mm × 1.25mm |
| TLV2313-Q1 | SOIC (8) | 4.90mm × 3.91mm |
| VSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm |
- 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
EMIRR IN+ 與頻率間的關(guān)系
