ZHCSYL2E February 1997 – July 2025 TLE2141 , TLE2141A , TLE2142 , TLE2142A , TLE2142AM , TLE2142AM-D , TLE2142M , TLE2142M-D , TLE2144 , TLE2144A , TLE2144AM , TLE2144M , TLE2144M-D
PRODUCTION DATA
TLE214x 放大器在高達 10nF 的電容性負載下性能穩(wěn)定，不過在此高負載水平下，6MHz 帶寬會降至 1.8MHz。因此，這些器件可用于低壓降采樣保持和直接緩沖長電纜，包括 4mA 至 20mA 電流環(huán)路。
500μV 最大偏移電壓和 1.7μV/°C 典型漂移也證明了這種特殊設計對固有集成電路元件失配的不敏感性有所提高。最小共模抑制比和電源電壓抑制比分別為 85dB 和 90dB。
在 ±2V 至 ±22V 范圍內(nèi)，器件性能相對不受電源電壓的影響。輸入可以在 VCC? ? 0.3V 至 VCC+ ? 1.8V 之間工作，而不會引起相位反轉(zhuǎn)，不過每個輸入端都可能流出超過較低共模輸入范圍的過大輸入電流。全 NPN 輸出級可在輕電流負載條件下提供 VCC? ? 0.1V 至 VCC+ ? 1V 的接近軌到軌輸出擺幅。由于輸出電流受到內(nèi)部限制，該器件可以承受任一電源的短路，但必須注意確保不超過最大封裝功耗。