ZHCSYO1A July 2009 – July 2025 TLE2142-Q1
PRODUCTION DATA
TLE2142-Q1 在高達(dá) 10nF 的電容性負(fù)載下性能穩(wěn)定，不過在此高負(fù)載水平下，6MHz 帶寬會降至 1.8MHz。因此，該器件可用于低壓降采樣保持和直接緩沖長電纜，包括 4mA 至 20mA 電流環(huán)路。
500μV 最大偏移電壓和 1.7μV/°C 典型漂移也證明了這種特殊設(shè)計(jì)對固有集成電路元件失配的不敏感性有所提高。最小共模抑制比和電源電壓抑制比分別為 85dB 和 90dB。
在 ±2V 至 ±22V 范圍內(nèi)，器件性能相對不受電源電壓的影響。輸入可以在 VCC––0.3V 至 VCC+–1.8V 之間工作，而不會引起相位反轉(zhuǎn)，不過每個輸入端都可能流出超過較低共模輸入范圍的過大輸入電流。全 NPN 輸出級可在輕電流負(fù)載條件下提供 VCC? + 0.1V 至 VCC+ ? 1V 的接近軌到軌輸出擺幅。由于輸出電流受到內(nèi)部限制，該器件可以承受任一電源的短路，但必須注意確保不超過最大封裝功耗。
TLE2142-Q1 也可用作比較器。VCC± 的差分輸入可以保持而不會損壞器件。在 TTL 電源電平下，開環(huán)傳播延遲通常為 200ns。當(dāng)器件的驅(qū)動超出推薦輸出擺幅的限制時(shí)，這可以很好地顯示輸出級的飽和恢復(fù)情況。
TLE2142-Q1 采用業(yè)界通用的 8 引腳小外形 (D) 封裝。該器件的工作溫度范圍是 -40°C 至 125°C。