ZHCSIL7A July 2018 – November 2018 TL431LI , TL432LI
PRODUCTION DATA.
Figure 26 顯示了簡化版本的反饋網絡。輸出電壓的精度取決于 TL431LI 的調節電壓精度。Equation 2 顯示了簡化的 VOUT 計算方式,但該公式未考慮將會導致輸出發生偏離的誤差。
主要的誤差來源是 Error|Vref 和 Error|Iref。Error|Vref 主要由會影響 TL431LI 的內部帶隙電壓基準的誤差組成。這包括來自初始精度、溫度漂移、基準電壓變化與陰極電壓變化之比以及動態阻抗的誤差。TL431LI 的優勢體現在它具有低溫度漂移 VI(dev),因此,與典型的 TL431LI 器件相比,它可以在整個溫度范圍內實現更加精確的 Vref。Equation 3 顯示了具有初始精度和溫度漂移的簡化最壞情 Vref。
Figure 26 中的 Error|Iref 取決于 Iref 和 II(dev) 以及 R1。TL431LI 具有改進的 Iref 和 II(dev),因此支持提高電阻器 R1 的值,從而節省電力。通常,光耦合器反饋設計要求在進行 VOUT 計算時將 Iref 考慮在內,但該誤差來自從 Iref 的最大值到典型值的偏差。除此之外,II(dev) 是 Iref 電流的溫度偏差,它將會影響進入 TL431LI 的總基準電流。Equation 4 顯示了Figure 26 中 TL431LI 的 VOUT,其中包括改進的 Iref 和 II(dev)。該 VOUT 公式假設電阻器 R1 和 R2 具有 0.5% 的精度容差。
比較有無誤差下計算得到的 VOUT,預期最壞情況最大誤差為 2.1%,符合 3% 的誤差目標。