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ZHCSQJ3A April 2024 – April 2024 THVD4411

PRODUCTION DATA

封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|24
- MPQF124G

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|24
- QFND136Y

訂購信息

5.11 開關(guān)特性_接收器_RS232

在推薦的電源電壓范圍和自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)測得（除非另外注明）⁽¹⁾

參數(shù)		測試條件	典型值⁽²⁾	最大值	單位
250kbps
t_PLH	傳播延遲時間，低電平到高電平輸出	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	150	550	ns
t_PHL	傳播延遲時間，高電平到低電平輸出	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	150	550	ns
t_PLH	傳播延遲時間，低電平到高電平輸出	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	130	520	ns
t_PHL	傳播延遲時間，高電平到低電平輸出	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	130	520	ns
t_{R_232}，t_{F_232}	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 3V 至 5.5V	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	20	50	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 3V 至 5.5V	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	5	10	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 1.65V 至 2.75V	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	40	90	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 1.65V 至 2.75V	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	10	20	ns
t_en	輸出使能時間	C_L = 150pF，R_L = 3kΩ，請參閱圖 6-17	6	14	us
t_dis	輸出禁用時間	C_L = 150pF，R_L = 3kΩ，請參閱圖 6-17	100	200	ns
t_sk(p)	脈沖偏移⁽³⁾	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	50	135	ns
t_sk(p)	脈沖偏移⁽³⁾	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	50	135	ns
1Mbps
t_PLH	傳播延遲時間，低電平到高電平輸出	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	150	550	ns
t_PHL	傳播延遲時間，高電平到低電平輸出	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	150	550	ns
t_PLH	傳播延遲時間，低電平到高電平輸出	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	130	520	ns
t_PHL	傳播延遲時間，高電平到低電平輸出	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	130	520	ns
t_{R_232}，t_{F_232}	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 3V 至 5.5V	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	20	50	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 3V 至 5.5V	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	5	10	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 1.65V 至 2.75V	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	40	90	ns
	上升/下降時間（接收器緩沖器輸出），V_IO = 1.65V 至 2.75V	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	10	20	ns
t_en	輸出使能時間	C_L = 150pF，R_L = 3kΩ，請參閱圖 6-17	6	14	us
t_dis	輸出禁用時間	C_L = 150pF，R_L = 3kΩ，請參閱圖 6-17	100	200	ns
t_sk(p)	脈沖偏移⁽³⁾	C_L = 150pF，請參閱圖 6-16	50	125	ns
t_sk(p)	脈沖偏移⁽³⁾	C_L = 15pF，請參閱圖 6-16	50	125	ns

(1) 測試條件為 C1–C4 = 0.1μF（V_CC = 3.3V ± 0.3V）；C1 = 0.047μF，C2–C4 = 0.33μF（V_CC = 5V ± 0.5V）。

(2) 所有典型值均在 V_CC = 3.3V 或 V_CC = 5V 且 T_A = 25°C 時測得。

(3) 脈沖偏移定義為同一器件每個通道的 |t_PLH -t_PHL|。