ZHCSYY7 September 2025 TDP2004-Q1
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 類型(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| DONEn | 39 | O、3.3V 開(kāi)漏 | 在 SMBus/I2C 控制器模式下： 指示有效 EEPROM 寄存器加載操作完成。操作所需的外部上拉電阻，例如 4.7kΩ。 高電平：外部 EEPROM 加載失敗或未完成 低電平：外部 EEPROM 加載成功并完成 在 SMBus/I2C 目標(biāo)/引腳模式下： 該輸出為高阻態(tài)。該引腳可以懸空。 |
| 模式 | 17 | I，5 電平 | 設(shè)置器件控制配置模式。表 6-3 中提供的 5 電平 IO 引腳。該引腳可以在器件上電或正常運(yùn)行模式下使用。 L0：引腳模式 – 器件控制配置僅由 strap 配置引腳完成。 L1：SMBus/I2C 控制器模式 - 從外部 EEPROM 讀取器件控制配置。當(dāng) TDP2004-Q1 成功完成從 EEPROM 的讀取時(shí)，Don En 引腳被拉至低電平。在 EEPROM 讀取之前、讀取期間或讀取之后，SMBus/I2C 目標(biāo)運(yùn)行在該模式下可用。請(qǐng)注意，在 EEPROM 讀取期間，如果外部 SMBus/I2C 控制器模式希望訪問(wèn) TDP2004-Q1 寄存器，則外部控制器必須支持仲裁。 L2：SMBus/I2C 目標(biāo)模式 – 器件控制配置由具有 SMBus/I2C 控制器模式的外部控制器完成。 L3 和 L4（懸空）：保留 – TI 內(nèi)部測(cè)試模式。 |
| EQ0/ADDR0 | 15 | I，5 電平 | 在引腳模式下： 按照表 6-1 中的說(shuō)明為通道 0-3 設(shè)置接收器線性均衡 (CTLE) 增強(qiáng)。只在器件上電時(shí)對(duì)這些引腳進(jìn)行采樣。 在 SMBus/I2C 模式下： 按照 表 6-4 中的說(shuō)明設(shè)置 SMBus/I2C 目標(biāo)地址。只在器件上電時(shí)對(duì)這些引腳進(jìn)行采樣。 |
| EQ1/ADDR1 | 16 | I，5 電平 | |
| GAIN / SDA | 19 | I，5 電平 / I/O、3.3V LVCMOS，漏極開(kāi)路 | 在引腳模式下： 通道 0-3 從器件輸入端到輸出端的平坦增益（直流和交流）。僅在器件上電時(shí)對(duì)引腳進(jìn)行采樣。 在 SMBus/I2C 模式下： 3.3V SMBus/I2C 數(shù)據(jù)。根據(jù) SMBus/I2C 接口標(biāo)準(zhǔn)，需要外部 1kΩ 至 5kΩ 上拉電阻。 |
| GND | 3、10、13、20、23、30、33、40、EP | G | 器件的接地基準(zhǔn)。 EP：QFN 封裝底部的外露焊盤(pán)，用作器件的 GND 回路。EP 必須通過(guò)低電阻路徑連接到一個(gè)或多個(gè)接地平面。過(guò)孔陣列提供到 GND 的低阻抗路徑。EP 還改善了散熱性能。 |
| PD | 38 | I，3.3V LVCMOS | 控制轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行狀態(tài)的 2 級(jí)邏輯。在所有器件控制模式下均有效。該引腳具有 1MΩ 內(nèi)部弱下拉電阻。 高電平：通道 0-3 斷電 低電平：上電，通道 0-3 正常運(yùn)行 |
| READ_ENn | 14 | I，3.3V LVCMOS | 在 SMBus/I2C 控制器模式下： 器件上電后，當(dāng)該引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟動(dòng) SMBus/I2C 控制器模式 EEPROM 讀取功能。EEPROM 讀取完成后（通過(guò)將 Don En 置為低電平進(jìn)行指示），該引腳可保持低電平，以保障器件正常運(yùn)行。在 EEPROM 加載過(guò)程中，器件的信號(hào)路徑被禁用。 在 SMBus/I2C 目標(biāo)模式和引腳模式下： 在這些模式下，不使用引腳。引腳可以保持懸空。該引腳具有 1MΩ 內(nèi)部弱下拉電阻。 |
| SEL | 34 | 引腳用于選擇多路復(fù)用器配置。 低：直接數(shù)據(jù)路徑 – RX[0/1/2/3][P/N] 通過(guò)轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器連接到 TX[0/1/2/3][P/N]。 高：交叉數(shù)據(jù)路徑 – RX[0/1/2/3][P/N] 通過(guò)轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器連接到 TX[1/0/3/2][P/N]。 在所有器件控制模式下均有效。59kΩ 內(nèi)部下拉電阻。 |
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| TEST / SCL | 18 | I，5 電平 / I/O、3.3V LVCMOS，漏極開(kāi)路 | 在引腳模式下： TI 測(cè)試模式。必須安裝外部 1kΩ 下拉電阻。 在 SMBus/I2C 模式下： 3.3V SMBus/I2C 時(shí)鐘。根據(jù) SMBus/I2C 接口標(biāo)準(zhǔn)，需要外部 1kΩ 至 5kΩ 上拉電阻。 |
| RX0N | 22 | I | 均衡器的反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 0。 |
| RX0P | 21 | I | 均衡器的非反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 0。 |
| RX1N | 25 | I | 均衡器的反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 1。 |
| RX1P | 24 | I | 均衡器的非反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 1。 |
| RX2N | 29 | I | 均衡器的反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 2。 |
| RX2P | 28 | I | 均衡器的非反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 2。 |
| RX3N | 32 | I | 均衡器的反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 3。 |
| RX3P | 31 | I | 均衡器的非反相差分輸入。從引腳到內(nèi)部 CM 偏置電壓的集成式 50Ω 終端電阻器。通道 3。 |
| TX0N | 11 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的反相引腳。通道 0。 |
| TX0P | 12 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的非反相引腳。通道 0。 |
| TX1N | 8 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的反相引腳。通道 1。 |
| TX1P | 9 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的非反相引腳。通道 1。 |
| TX2N | 4 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的反相引腳。通道 2。 |
| TX2P | 5 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的非反相引腳。通道 2。 |
| TX3N | 1 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的反相引腳。通道 3。 |
| TX3P | 2 | O | 用于 100Ω 差分驅(qū)動(dòng)器輸出的非反相引腳。通道 3。 |
| VCC | 6、7、26、27 | P | 電源引腳。VCC = 3.3V ±10%。該器件的 VCC 引腳應(yīng)通過(guò)一個(gè)低電阻路徑與電路板的 VCC 平面相連。在每個(gè) VCC 引腳附近安裝一個(gè)去耦電容連接至 GND。 |