ZHCSY29 April 2025 TCAL9539R
PRODUCTION DATA
如果發(fā)生干擾或數(shù)據(jù)損壞,可以使用上電復(fù)位功能將 TCAL9539R 復(fù)位為默認(rèn)狀態(tài)。上電復(fù)位要求器件經(jīng)過下電上電后才能完全復(fù)位。當(dāng)器件在應(yīng)用中首次上電時,也會發(fā)生此復(fù)位。
圖 8-6 和圖 8-7 中展示了兩種類型的通電復(fù)位。
圖 8-6 將 V 降至 0.2V 或 0V 以下,然后上升
圖 8-7 將 V 降至低于 POR 閾值,然后重新上升表 8-2 指定了 TCAL9539R 上電復(fù)位功能在進(jìn)行兩種類型的上電復(fù)位時的性能。
| 參數(shù)(1)(2) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| tFT | 下降速率 | 請參閱圖 8-6 | 0.1 | 2000 | ms | |
| tRT | 上升速率 | 請參閱 圖 8-6 | 0.1 | 2000 | ms | |
| tTRR_GND | 重新開始斜坡的時間(當(dāng) VCC 降至 GND 時) | 請參閱 圖 8-6 | 1 | μs | ||
| tTRR_POR50 | 重新開始斜坡的時間(當(dāng) VCC 降至 VPOR_MIN – 50mV 時) | 請參閱 圖 8-7 | 1 | μs | ||
| VCC_GH | 當(dāng) V = 1μs 時,V 可能會受到干擾但不會導(dǎo)致功能中斷的電平 | 請參閱 圖 8-8 | 1.0 | V | ||
| tGW | 當(dāng) V = 0.5 × VCCx 時,不會導(dǎo)致功能中斷的干擾寬度 | 請參閱 圖 8-8 | 10 | μs | ||
| VPORF | 降低 VCC 時 POR 的電壓跳變點(diǎn) | 0.6 | V | |||
| VPORR | 升高 VCC 時 POR 的電壓跳變點(diǎn) | 1.0 | V | |||
電源中的干擾也會影響此器件的上電復(fù)位性能。干擾寬度 (VCC_GW) 和高度 (VCC_GH) 相互依賴。旁路電容、源阻抗和器件阻抗是影響上電復(fù)位性能的因素。圖 8-8 和表 8-2 提供了有關(guān)如何測量這些規(guī)格的更多信息。
圖 8-8 干擾寬度和干擾高度VPOR 對上電復(fù)位至關(guān)重要。達(dá)到 VPOR 這一電壓電平時,系統(tǒng)會釋放復(fù)位條件,并將所有寄存器和 I2C/SMBus 狀態(tài)機(jī)初始化為默認(rèn)狀態(tài)。VPOR 的值不同,具體取決于 V 是下降至 0 還是從 0 開始上升。圖 8-9 和表 8-2 提供了有關(guān)此規(guī)格的更多詳細(xì)信息。
圖 8-9 VPOR