ZHCSUU6A January 2024 – March 2025 TAC5111-Q1
PRODUCTION DATA
TAC5111-Q1 包含兩對模擬輸入引腳(INxP 和 INxM),這些引腳可以配置為差分輸入或單端輸入,用于錄音通道。該器件支持記錄多達(dá)一個模擬通道,并集成了輸入交換特性 (ADC_CH_SWAP (P0_R119_D[1])),可使用高性能單通道 ADC 選擇在 IN1x 和 IN2x 之間進(jìn)行記錄的輸入引腳。模擬引腳的輸入源可以來自駐極體電容式模擬麥克風(fēng)、微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 模擬麥克風(fēng),或來自系統(tǒng)板的線路輸入(輔助輸入)。模擬輸入支持差分輸入、單端輸入(兩個引腳和一個引腳),具有交流和直流耦合選項(xiàng)。表 6-13 展示了錄音通道 1 的輸入源選擇。
| P0_R80_D[7:6]:ADC_CH1_INSRC[1:0] | 輸入通道 1 錄音源選擇 |
|---|---|
| 00(默認(rèn)值) | 使用 IN1P 和 IN1M 的通道 1 的模擬差分輸入 |
| 01 | 使用 IN1P 和 IN1M 的通道 1 的模擬單端輸入(一個輸入引腳上有信號,另一個引腳接地) |
| 10 | IN1P 上的模擬單端輸入 |
| 11 | IN1M 上的模擬單端輸入 |
通常,語音或音頻信號輸入通過電容耦合(交流耦合)連接到器件。對于差分輸入,器件輸入端的共模變化限制為小于 100mVpp,以實(shí)現(xiàn)出色性能。然而,對于無法避免大共模波動或需要節(jié)省電路板空間的應(yīng)用,該器件還支持提高共模容差和直流耦合輸入的選項(xiàng)。可以通過在 寄存器位中設(shè)置輸入共模容差,為每個通道。表 6-10 展示了通道 1 的這些選項(xiàng)。設(shè)置較高的共模容差可提高 CMRR 性能,代價是噪聲性能降低幾分貝。
| P0_R80_D[3:2]:ADC_CH1_CM_TOL[1:0] | 通道 1 輸入共模容差 |
|---|---|
| 00(默認(rèn)值) | 具有共模變化容差的交流耦合輸入,單端配置支持 50mVpp,差分配置 100mVpp |
| 01 | 具有共模變化容差的交流耦合/直流耦合輸入,單端配置支持 500mVpp,差分配置支持 1Vpp |
| 10 | 具有共模變化容差的交流耦合/直流耦合輸入,支持軌到軌(電源至地)(高 CMRR 容差模式) |
| 11 | 保留(不使用此設(shè)置) |
| P0_R80_D[3:2]:ADC_CH1_CM_TOL[1:0] | 輸入通道 1 共模容差 |
|---|---|
| 00(默認(rèn)值) | 具有共模變化容差的交流耦合輸入,單端配置支持 50mVpp,差分配置支持 100mVpp |
| 01 | 具有共模變化容差的交流耦合/直流耦合輸入,單端配置支持 500mVpp,差分配置支持 1Vpp |
| 10 | 具有共模變化容差的交流耦合/直流耦合輸入,支持軌到軌(電源至地)(高 CMRR 容差模式) |
| 11 | 保留 |
借助該器件,還可以根據(jù)輸入源阻抗靈活地從 5kΩ(默認(rèn)值)、10kΩ 和 40kΩ 中選擇 INxP 或 INxM 上的典型輸入阻抗。所選輸入阻抗值可能存在 ±20% 的變化。當(dāng)輸入阻抗較高時,對應(yīng)的噪聲會稍高或動態(tài)范圍較低。表 6-12 列出了錄音通道輸入阻抗的配置寄存器設(shè)置。
| P0_R80_D[5:4]:ADC_CH1_IMP[1:0] | 通道 1 輸入阻抗選擇 |
|---|---|
| 00(默認(rèn)值) | INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 5k? |
| 01 | INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 10k? |
| 10 | INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 40k? |
| 11 | 保留(不使用此設(shè)置) |
當(dāng) ADC 輸入配置為單端多路復(fù)用器(ADC_CHx_INSRC = 2'b10 或 2'b11)時,不支持 5 kΩ 的輸入阻抗設(shè)置,在高擺幅模式下也不支持 (節(jié) 6.3.5)。
在交流耦合模式下,選擇的耦合電容值必須確保由耦合電容器和輸入阻抗形成的高通濾波器不影響信號內(nèi)容。該耦合電容器必須在上電時充電至共模電壓,然后才能開始進(jìn)行正確錄音。為了實(shí)現(xiàn)快速充電,該器件提供了可加快耦合電容器充電速度的模式。快速充電時序的默認(rèn)值是針對耦合電容器高達(dá) 1μF 進(jìn)行設(shè)置的。但是,如果系統(tǒng)中使用容值更大的電容器,則可以通過使用 INCAP_QCHG (P0_R5_D[7:6]) 寄存器位來增加快速充電時序。為了獲得低失真性能,請使用低電壓系數(shù)電容器進(jìn)行交流耦合。