ZHCSVD3E December 2003 – March 2024 SN65MLVD200A , SN65MLVD202A , SN65MLVD204A , SN65MLVD205A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.2.2.2 電源旁路電容
旁路電容器在配電電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在低頻情況下，電源在其端子之間提供阻抗非常低的路徑。但是，當(dāng)更高頻率的電流通過電源布線傳播時，源極通常無法保持低阻抗的接地路徑。旁路電容器用于克服這一缺點。通常，板級大旁路電容器（10μF 至 1000μF）可以很好地達到 kHz 范圍。由于大電容器的引線大小和長度，它們在開關(guān)頻率下往往具有較大的電感值。要解決這個問題，必須將較小的電容器（nF 至 μF 范圍內(nèi)）安裝在本地集成電路旁邊。
多層陶瓷芯片或表面貼裝電容器（尺寸 0603 或 0805）可更大限度減少高速環(huán)境中旁路電容器的引線電感，因為它們的引線電感約為 1nH。為便于比較，帶引線的典型電容器的引線電感約為 5nH。
根據(jù) Howard Johnson 和 Martin Graham (1993) 所著的 High Speed Digital Design – A Handbook of Black Magic，在本地與 M-LVDS 芯片搭配使用的旁路電容值可由方程式 1 和方程式 2 確定。4ns 的保守上升時間和 100mA 在最壞情況下的電源電流變化涵蓋了德州儀器 (TI) 提供的 M-LVDS 器件的整個范圍。在此示例中，可容忍的最大電源噪聲為 100mV；但是，該數(shù)字因設(shè)計中可用的噪聲預(yù)算而異。
圖 9-2 展示了一種可降低引線電感并涵蓋板級電容器 (> 10μF) 與上述電容值 (0.004μF) 之間的中間頻率的配置。將最小電容值放置在盡可能靠近芯片的位置。
圖 9-2 建議的 M-LVDS 旁路電容器布局