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ZHCS227H June 2011 – November 2024 LP2951-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

D|8
- MSOI002K
DRG|8
- MPDS151C

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

DRG|8
- QFND128G

訂購信息

5.5 電氣特性（舊芯片和新芯片）

V_IN = V_OUT（標稱值）+ 1V，I_L = 100μA，C_L = 1μF（針對新芯片），C_L = 2.2μF（針對舊芯片）
FEEDBACK 連接至 V_TAP，OUTPUT 連接至 SENSE，V_SHUTDOWN ≤ 0.7V

參數	測試條件		T_J	最小值	典型值	最大值	單位
3.3V 版本
輸出電壓	I_L = 100μA	舊芯片	25°C	3.267	3.3	3.333	V
		舊芯片	-40°C 至 125°C	3.234	3.3	3.366
		新芯片	25°C	3.2868	3.3	3.3132
		新芯片	-40°C 至 125°C	3.2736	3.3	3.3264
5V 版本
輸出電壓	I_L = 100μA	舊芯片	25°C	4.95	5	5.05	V
		舊芯片	-40°C 至 125°C	4.900	5	5.100
		新芯片	25°C	4.98	5	5.02
		新芯片	-40°C 至 125°C	4.96	5	5.04
輸出電壓精度	V_IN = [V_OUT(NOM) + 1V] 至 30V，I_L = 100μA 至 100mA	新芯片	-40°C 至 125°C	-1		1	%
輸出電壓溫度系數⁽¹⁾	I_L = 100μA	舊芯片	-40°C 至 125°C		20	100	ppm/°C
輸出電壓溫度系數⁽¹⁾	I_L = 100μA	新芯片	-40°C 至 125°C		20	60	ppm/°C
線性調整率⁽²⁾	V_IN = [V_OUT(NOM) + 1V] 至 30V	舊芯片	25°C		0.03	0.2	%/V
		舊芯片	-40°C 至 125°C			0.4
		新芯片	25°C		0.0006	0.01
		新芯片	-40°C 至 125°C			0.015
負載調整率⁽²⁾	I_L = 100μA 至 100mA	舊芯片	25°C		0.04	0.2	%
		舊芯片	-40°C 至 125°C			0.3
		新芯片	25°C		0.04	0.1
		新芯片	-40°C 至 125°C			0.2
壓降電壓	V_IN = 2V，I_L = 100μA	舊芯片	25°C		50	80	mV
		舊芯片	-40°C 至 125°C			150
		新芯片	25°C		1	4
		新芯片	-40°C 至 125°C			5
	V_IN = 2V，I_L = 100mA	舊芯片	25°C		380	450
		舊芯片	-40°C 至 125°C			600
		新芯片	25°C		340	420
		新芯片	-40°C 至 125°C			550
GND 電流	I_L = 100μA	舊芯片	25°C		75	120	μA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			140
		新芯片	25°C		50	65
		新芯片	-40°C 至 125°C			80
	I_L = 100mA	舊芯片	25°C		8	12	mA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			14
		新芯片	25°C			0.8
		新芯片	-40°C 至 125°C			0.9
壓降接地電流	V_IN = V_OUT(NOM) – 0.5V， I_L = 100μA	舊芯片	25°C		110	170	μA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			200
		新芯片	25°C		78	120
		新芯片	-40°C 至 125°C			150
UVLO V_IN 上升	I_L = 100μA	新芯片	-40°C 至 125°C	1.8	1.9	2.0	V
UVLO V_IN 下降				1.7	1.8	1.9	V
遲滯					100		mV
電流限制	V_OUT = 0V	舊芯片	25°C		160	200	mA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			220
		新芯片	25°C		180	200
		新芯片	-40°C 至 125°C			230
熱調節⁽³⁾	I_L = 100μA	舊芯片	25°C		0.05	0.2	%/W
熱調節⁽³⁾	I_L = 100μA	新芯片	25°C		0.05	0.2	%/W
輸出噪聲 (RMS)， 10Hz 至 100KHz	C_L = 1μF（僅限 5V）	舊芯片	25°C		430		μV
	C_L = 1μF（僅限 5V）	新芯片	25°C		265
	C_L = 200μF	舊芯片	25°C		160
	C_L = 100μF	新芯片	25°C		250
	C_L = 3.3μF，引腳 1 和 7 之間的 C_Bypass = 0.01μF	舊芯片	25°C		100
	C_L = 3.3μF，引腳 1 和 7 之間的 C_Bypass = 0.01μF	新芯片	25°C		100
電源紋波抑制	V_IN - V_OUT = 1V，頻率 = 100Hz，I_OUT ≥ 5mA	新芯片	25°C		80		dB
ADJ 版本
基準電壓	V_IN = 2.3V 至 30V， I_L = 100μA 至 100mA	舊芯片	-40°C 至 125°C	1.2		1.272	V
基準電壓	V_IN = 2.3V 至 30V， I_L = 100μA 至 100mA	新芯片	-40°C 至 125°C	1.188		1.212	V
基準電壓溫度系數⁽¹⁾		舊芯片	25°C		20		ppm/°C
基準電壓溫度系數⁽¹⁾		新芯片	25°C		5		ppm/°C
反饋偏置電流		新芯片	25°C		10	50	nA
反饋偏置電流		新芯片	-40°C 至 125°C			60	nA
FEEDBACK 偏置電流溫度系數		新芯片	25°C		0.1		nA/°C
誤差比較器
輸出漏電流	V_OUT = 30V	舊芯片	25°C		0.01	1	μA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			2
		新芯片	25°C		0.2	0.5
		新芯片	-40°C 至 125°C			1
輸出低電壓	V_IN ≥ 2V I_OL = 400μA	舊芯片	25°C		150	250	mV
		舊芯片	-40°C 至 125°C			400
		新芯片	25°C		180	250
		新芯片	-40°C 至 125°C			350
閾值上限電壓（ERROR 輸出高電平）⁽⁴⁾		舊芯片	25°C	40	60		mV
		舊芯片	-40°C 至 125°C	25
		新芯片	25°C	40	60
		新芯片	-40°C 至 125°C	25
閾值下限電壓（ERROR 輸出低電平）⁽⁴⁾		舊芯片	25°C		75	95	mV
		舊芯片	-40°C 至 125°C			140
		新芯片	25°C		75	95
		新芯片	-40°C 至 125°C			140
遲滯⁽⁴⁾		舊芯片	25°C		15		mV
遲滯⁽⁴⁾		新芯片	25°C		15		mV
關斷輸入
輸入邏輯電壓	低（穩壓器打開）	舊芯片	-40°C 至 125°C			0.7	V
	低（穩壓器打開）	新芯片	-40°C 至 125°C			0.7
	高（穩壓器關閉）	舊芯片	-40°C 至 125°C	2
	高（穩壓器關閉）	新芯片	-40°C 至 125°C	2
SHUTDOWN 輸入電流	SHUTDOWN = 2.4V	舊芯片	25°C		30	50	μA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			100
		新芯片	25°C		0.2	0.5
		新芯片	-40°C 至 125°C			1
	SHUTDOWN = 30V	舊芯片	25°C		450	600
		舊芯片	-40°C 至 125°C			750
		新芯片	25°C		0.3	0.5
		新芯片	-40°C 至 125°C			1
關斷時穩壓器輸出電流	V_SHUTDOWN ≥ 2V， V_IN ≥ 30V，V_OUT = 0， FEEDBACK 連接到 V_TAP	舊芯片	25°C		3	10	μA
		舊芯片	-40°C 至 125°C			20
		新芯片	25°C		4	6
		新芯片	-40°C 至 125°C			7.5

(1) 輸出或基準電壓溫度系數定義為最壞情況下的電壓變化除以總溫度范圍。

(2) 調整率是在恒定結溫下使用低占空比脈沖測試進行測量的。熱調節規格中涵蓋了由發熱效應引起的輸出電壓變化。

(3) 熱調節是指施加功率耗散變化后某一時間 (T) 內輸出電壓的變化，不包括負載調整率或線性調整率的影響。規格適用于 V_IN = 30V、V_OUT = 5V（1.25W 脈沖）且 t = 10ms 時的 50mA 負載脈沖。

(4) 比較器閾值表示為標稱基準電壓（在 V_IN – V_OUT = 1V 下測得）減去反饋端子電壓得到的電壓差。為了根據輸出電壓變化來表示這些閾值，乘以誤差放大器增益 = V_OUT/V_REF = (R1 + R2)/R2。例如，在經過編程的 5V 輸出電壓下，當輸出下降 95mV x 5V/1.2V = 395mV 時，ERROR 輸出被指定為低電平。閾值以 V_OUT（當 V_OUT 變化時）的百分比保持恒定，低于標稱值（典型值）6% 和（最大值）7.7% 時會發生低輸出警告。