ZHCSAI4C August 2008 – November 2015 LMV831 , LMV832 , LMV834
PRODUCTION DATA.
為實現正常運行，必須對電源進行適當的去耦。為了對電源線進行去耦，TI 建議將 10nF 電容器盡可能靠近運算放大器電源引腳放置。對于單電源，應在 V+ 和 V− 電源引線之間放置一個電容器。對于雙電源，應在 V+ 和接地之間放置一個電容器，并在 V– 和接地之間放置一個電容器。
CAUTION
電源電壓超過 6V 可能會對器件造成永久損壞。
內部 RFI 濾波器會將接收到的 EMI 能量轉移到電源引腳。要最大程度地提高內置 EMI 濾波器的效率，電源引腳旁路應具有到射頻接地端的低阻抗、低電感路徑。
通常建議的 0.1µF 及更大的電容器往往會在 EMI 濾波器的有效頻率范圍內產生感應，并且在濾波高頻率 (> 50MHz) 下無效。應將具有接近 1GHz 范圍的高自諧振頻率的電容器放置在電源引腳上。可以通過將小型（0805 或更小）10pF 至 100pF SMT 陶瓷電容器直接放置在連接到固態射頻接地層的電源引腳來實現這一點。這些電容器將為高頻 EMI 提供到接地層的直接交流路徑。這些電容器是在建議的低頻電源旁路電容器之外添加的電容器，而不是用于替代它們。