ZHCSAI4C August 2008 – November 2015 LMV831 , LMV832 , LMV834
PRODUCTION DATA.
為實現(xiàn)正常運行，必須對電源進行適當?shù)娜ヱ睢榱藢﹄娫淳€進行去耦，TI 建議將 10nF 電容器盡可能靠近運算放大器電源引腳放置。對于單電源，應(yīng)在 V+ 和 V− 電源引線之間放置一個電容器。對于雙電源，應(yīng)在 V+ 和接地之間放置一個電容器，并在 V– 和接地之間放置一個電容器。
CAUTION
電源電壓超過 6V 可能會對器件造成永久損壞。
內(nèi)部 RFI 濾波器會將接收到的 EMI 能量轉(zhuǎn)移到電源引腳。要最大程度地提高內(nèi)置 EMI 濾波器的效率，電源引腳旁路應(yīng)具有到射頻接地端的低阻抗、低電感路徑。
通常建議的 0.1µF 及更大的電容器往往會在 EMI 濾波器的有效頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)，并且在濾波高頻率 (> 50MHz) 下無效。應(yīng)將具有接近 1GHz 范圍的高自諧振頻率的電容器放置在電源引腳上。可以通過將小型（0805 或更小）10pF 至 100pF SMT 陶瓷電容器直接放置在連接到固態(tài)射頻接地層的電源引腳來實現(xiàn)這一點。這些電容器將為高頻 EMI 提供到接地層的直接交流路徑。這些電容器是在建議的低頻電源旁路電容器之外添加的電容器，而不是用于替代它們。