10.1 布局指南
- 在每個電源引腳和接地端之間連接低 ESR 0.1μF 陶瓷旁路電容器，放置位置盡量靠近器件。從 V+ 到接地端的單個旁路電容器適用于單電源 應用。
- 對于單電源，應在 V+ 和 V− 之間放置一個電容器。
- 對于雙電源，應在 V+ 和電路板接地端之間放置一個電容器，并在接地端和 V− 之間放置另一個電容器。
- 噪聲可通過全部電路電源引腳以及運算放大器自身傳入模擬電路。旁路電容器為局部模擬電路提供低阻抗電源，用于降低耦合噪聲。
- 將電路的模擬和數字部分單獨接地是最簡單和最有效的噪聲抑制方法之一。多層 PCB 中通常將一層或多層專門作為接地層。接地平面有助于散熱和降低 EMI 噪聲拾取。確保對數字接地和模擬接地進行物理隔離，同時應注意接地電流。有關更多詳細信息，請參閱《電路板布局技巧》，SLOA089。
- 為降低寄生耦合，輸入跡線應盡量遠離電源或輸出跡線。如果這些跡線不能保持分離，那么使敏感跡線與有噪聲跡線垂直相交比保持平行要好很多。
- 將外部組件放置在盡可能靠近該器件的位置，使射頻和 RG 接近反相輸入可最大限度地減小寄生電容。
- 盡可能縮短輸入跡線。切記：輸入跡線是電路中最敏感的部分。
盡管采用具有固有抗電磁干擾 (EMI) 功能的 LMV83x，TI 仍建議縮短輸入跡線的長度并使其盡量遠離射頻源。這樣一來，進入芯片的射頻信號就會盡可能低，而 LMV83x 的 EMI 減低功能幾乎可以完全 消除 剩余的 EMI。