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ZHCSQJ7B June 2023 – December 2023 LMR51606 , LMR51610

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DBV|6
- MPDS026Q

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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7.3.4 最短導(dǎo)通時(shí)間、最短關(guān)斷時(shí)間和頻率折返

最短導(dǎo)通時(shí)間 (T_{ON_MIN}) 是指高側(cè)開(kāi)關(guān)可導(dǎo)通的最短時(shí)間。LMR516xx 的 T_{ON_MIN} 典型值為 80ns。最短關(guān)斷時(shí)間 (T_{OFF_MIN}) 是指高側(cè)開(kāi)關(guān)可關(guān)斷的最短時(shí)間。T_{OFF_MIN} 通常為 200ns。在 CCM 運(yùn)行模式下，T_{ON_MIN} 和 T_{OFF_MIN} 將限制電壓轉(zhuǎn)換范圍，而沒(méi)有開(kāi)關(guān)頻率折返。

不允許頻率折返的最小占空比為：

方程式 2.

D_{M I N} = T_{O N_M I N} \times f_{S W}

不允許頻率折返的最大占空比為：

方程式 3.

D_{M A X} = 1 - T_{O F F_M I N} \times f_{S W}

給定所需的輸出電壓時(shí)，無(wú)頻率折返的最大 V_IN 可通過(guò)以下公式得出：

方程式 4.

V_{I N_M A X} = \frac{V_{O U T}}{f_{S W} \times T_{O N_M I N}}

不考慮頻率折返時(shí)，可由下式計(jì)算得出最小 V_IN：

方程式 5.

V_{I N_M I N} = \frac{V_{O U T}}{{1 - f}_{S W} \times T_{O F F_M I N}}

在 LMR516xx 中，T_{ON_MIN} 或 T_{OFF_MIN} 觸發(fā)后，就會(huì)采用頻率折返方案，這可以提高最大占空比或降低最小占空比。

導(dǎo)通時(shí)間會(huì)隨著 V_IN 電壓的增加而減少。在導(dǎo)通時(shí)間降至 T_{ON_MIN} 后，開(kāi)關(guān)頻率就會(huì)開(kāi)始降低，同時(shí) V_IN 繼續(xù)升高，這進(jìn)一步降低了占空比，從而使 V_OUT 保持在符合方程式 4的穩(wěn)壓范圍內(nèi)。

當(dāng)在低 V_IN 條件下需要更大的占空比時(shí)，頻率折返方案也適用。在器件達(dá)到 T_{OFF_MIN} 后，頻率就會(huì)降低，從而根據(jù)方程式 5 提高最大占空比。在這種情況下，頻率可以低至大約 200kHz。寬頻率折返范圍使 LMR516xx 輸出電壓能夠在電源電壓 V_IN 大幅降低的情況下保持穩(wěn)定，從而實(shí)現(xiàn)更低的有效壓降。

在發(fā)生頻率折返并保持穩(wěn)定輸出電壓的情況下，f_SW 減小時(shí)，V_{IN_MAX} 將升高，而 V_{IN_MIN} 將會(huì)降低。