LMR514xx 整合了峰值和谷值電感器電流限值，可為器件提供過(guò)載和短路保護(hù)，并限制最大輸出電流。谷值電流限值可防止電感器電流在輸出短路期間失控，而峰值和谷值限值則協(xié)同工作，以限制轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流。逐周期電流限制用于過(guò)載，而斷續(xù)模式用于持續(xù)短路。

高側(cè) MOSFET 過(guò)流保護(hù)是通過(guò)峰值電流模式控制的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開(kāi)關(guān)在既定消隱時(shí)間后接通時(shí)，會(huì)檢測(cè)到高側(cè)開(kāi)關(guān)電流。每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，高側(cè)開(kāi)關(guān)電流會(huì)與誤差放大器 (EA) 減去斜坡補(bǔ)償?shù)妮敵鲞M(jìn)行比較。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱功能方框圖。高側(cè)開(kāi)關(guān)的峰值電流受最大鉗位峰值電流閾值 I_{HS_PK(OC)}（常量）的限制（請(qǐng)參閱電氣特性）。

此外，還會(huì)對(duì)流經(jīng)低側(cè) MOSFET 的電流進(jìn)行檢測(cè)和監(jiān)控。當(dāng)?shù)蛡?cè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電感電流開(kāi)始下降。如果低側(cè)開(kāi)關(guān)的電流高于低側(cè)電流限值 I_{LS_V(OC)}，則低側(cè)開(kāi)關(guān)不會(huì)在開(kāi)關(guān)周期結(jié)束時(shí)斷開(kāi)（請(qǐng)參閱電氣特性）。低側(cè)開(kāi)關(guān)保持導(dǎo)通，從而使電感器電流不斷下降，直到電感器電流低于 I_{LS_V(OC)}。然后，低側(cè)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，高側(cè)開(kāi)關(guān)在經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間之后接通。達(dá)到 I_{LS_V(OC)} 后，峰值和谷值電流限值控制提供的最大電流，并可以通過(guò)方程式 6 計(jì)算得出。

如果反饋電壓低于 V_REF 的 40%，低側(cè)開(kāi)關(guān)的電流將連續(xù) 256 個(gè)周期觸發(fā) I_{HS_PK(OC)}，并且斷續(xù)電流保護(hù)模式會(huì)激活。在斷續(xù)模式下，轉(zhuǎn)換器會(huì)關(guān)閉并會(huì)在斷續(xù)時(shí)間 T_HICCUP（典型值為 150ms）內(nèi)一直保持關(guān)閉狀態(tài)，然后 LMR514xx 會(huì)嘗試再次啟動(dòng)。如果過(guò)流或短路故障情況仍然存在，則斷續(xù)模式會(huì)重復(fù)，直到故障情況消失。斷續(xù)模式會(huì)降低嚴(yán)重過(guò)流條件下的功耗，從而防止器件過(guò)熱和受到潛在的損害。

對(duì)于 FPWM 版本，電感器電流可以是負(fù)值。當(dāng)該電流超過(guò)低側(cè)負(fù)電流限值 I_LS(NOC) 時(shí)，低側(cè)開(kāi)關(guān)將斷開(kāi)，高側(cè)開(kāi)關(guān)將立即接通。該事件可保護(hù)低側(cè)開(kāi)關(guān)不受過(guò)大負(fù)向電流的影響。