ZHCSLU3C March 2020 – January 2021 LMQ61460-Q1
PRODUCTION DATA
9.3.12 過流和短路保護
該器件通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。
高側 MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將高側開關電流與固定電流設定點的最小值，或與電壓調節環路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于電壓環路具有最大值并且斜率補償隨占空比增加，因此當占空比高于 35% 時，高側電流限值會隨著占空比的增加而減小。請參閱圖 9-12。
圖 9-12 允許流經 HS FET 的最大電流 - LMQ61460-Q1 占空比的函數當低側開關接通時，也會檢測和監控開關電流。與高側器件一樣，低側器件會根據電壓控制環路低側電流限值的命令關斷。如果低側開關電流在開關周期結束時高于 ILS_Limit，則開關周期會延長，直到低側電流降至限值以下。一旦低側電流降至其限值以下，低側開關就會關斷，并且只要自高側器件上次導通后至少經過一個時鐘周期，高側開關就會再次導通。
圖 9-13 電流限值波形由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值。使用了遲滯控制，并且當輸出電壓接近零時，電流不會增加。
如果存在極端過載情況，該器件會采用斷續過流保護，并且在連續 128 個開關周期內滿足以下條件：
- 輸出電壓低于輸出電壓設定點的約 0.4 倍。
- 自軟啟動開始以來，經過了大于 tSS2 的時間；請參閱Topic Link Label9.3.10。
- 該器件不在壓降下運行，表明具有最短關斷時間受控占空比。
在斷續模式下，器件會自行關斷，并在 tW 后嘗試軟啟動。斷續模式有助于在嚴重過流和短路情況下降低器件功耗。請參閱圖 9-14。
一旦消除過載，器件就會像在軟啟動中一樣恢復；請參閱圖 9-15。
圖 9-14 斷續期間的電感器電流突發
圖 9-15 短路恢復