ZHCSXR3 January 2025 LMG3650R070
ADVANCE INFORMATION
LMG365xR070 是一款具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復(fù)和超低輸出電容，可在基于橋的拓?fù)渲蝎@得高效率。
集成驅(qū)動(dòng)器可確保器件在漏極壓擺率 時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。集成驅(qū)動(dòng)器可保護(hù) GaN 器件免受過流、短路、過熱、VDD 欠壓和高阻抗 RDRV 引腳的影響。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結(jié)，因此沒有反向恢復(fù)電荷。然而，GaN 器件仍然會(huì)像 p-n 結(jié)體二極管一樣從源極導(dǎo)通到漏極，但壓降更高，導(dǎo)通損耗更高。因此，必須在 LMG365xR070 GaN FET 關(guān)斷時(shí)盡可能縮短源漏導(dǎo)通時(shí)間。