ZHCSV85 March 2024 LMG3425R050
PRODUCTION DATA
在本數(shù)據(jù)表中，以下術(shù)語(yǔ)具有如下定義。就該等定義而言，假定源極引腳為 0V。
第一象限電流 = 從“漏極”引腳流向“源極”引腳的內(nèi)部正向電流。
第三象限電流 = 從“源極”引腳流向“漏極”引腳的內(nèi)部正向電流。
第一象限電壓 = 漏極引腳電壓 - 源極引腳電壓 = 漏極引腳電壓
第三象限電壓 = 源極引腳電壓 - 漏極引腳電壓= -漏極引腳電壓
FET 導(dǎo)通狀態(tài) = FET 通道處于額定 RDS(on) 狀態(tài)。第一象限電流與第三象限電流都可以在額定 RDS(on) 下流動(dòng)。
LMG3425R050 導(dǎo)通狀態(tài)下，GaN FET 內(nèi)部柵極電壓保持源極引腳電壓，以便實(shí)現(xiàn)額定 RDS(on)。GaN FET 溝道在 VGS = 0V 時(shí)處于額定 RDS(on)，因?yàn)?LMG3425R050 GaN FET 為耗盡模式 FET。
FET 關(guān)斷狀態(tài) = 第一象限電壓為正時(shí)，F(xiàn)ET 溝道完全關(guān)斷。第一象限電流無(wú)法流動(dòng)。盡管在 FET 關(guān)斷狀態(tài)下第一象限電流不會(huì)流動(dòng)，但如果“漏極”電壓足夠負(fù)（第三象限電壓為正），第三象限電流能夠流動(dòng)。對(duì)于具有固有 p-n 結(jié)體二極管的器件，當(dāng)“漏極”電壓下降到足以使 p-n 結(jié)正向偏置時(shí)，電流就會(huì)開(kāi)始流動(dòng)。
GaN FET 沒(méi)有固有的 p-n 結(jié)體二極管。相反，電流之所以會(huì)流動(dòng)是因?yàn)?GaN FET 溝道重新導(dǎo)通。這種情況下，“漏極”引腳會(huì)成為電學(xué)源極，“源極”引腳回成為電學(xué)漏極。為了增強(qiáng)第三象限中的溝道，必須將“漏極”（電學(xué)源極）電壓調(diào)得足夠低，以便建立一個(gè)大于 GaN FET 閾值電壓的 VGS 電壓。GaN FET 溝道處于飽和狀態(tài)，僅導(dǎo)通足以支持第三象限電流作為其飽和電流。
LMG3425R050 關(guān)斷狀態(tài)下，GaN FET 內(nèi)部柵極電壓保持 VNEG 引腳電壓，以便阻斷所有第一象限電流。VNEG 電壓低于 GaN FET 負(fù)閾值電壓，以便切斷溝道。
為了在關(guān)斷狀態(tài)下增強(qiáng)第三象限通道，必須將LMG3425R050“漏極”（電學(xué)源極）電壓調(diào)得足夠靠近 VNEG，以便建立一個(gè)大于 GaN FET 閾值電壓的 VGS 電壓。同樣，由于 LMG3425R050 GaN FET 是一種耗盡模式 FET，具有負(fù)向閾值電壓，這意味著 GaN FET 在“漏極”（電學(xué)源極）電壓介于 0V 與 VNEG 之間時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)。第三象限電流為 15 A 時(shí)，典型的關(guān)斷狀態(tài)第三象限電壓為 5.3 V。因此，LMG3425R050 的關(guān)斷狀態(tài)第三象限損耗顯著高于具有固有 p-n 結(jié)體二極管的同類(lèi)功率器件。特定情況下，“理想二極管模式操作”中描述的理想二極管模式功能有助于降低該等損耗。