LMG342xR030 中實(shí)現(xiàn)了過溫關(guān)斷理想二極管模式（OTSD-IDM）。如“過熱關(guān)斷保護(hù)”部分所述，當(dāng) GaN FET 過熱時(shí)，理想二極管模式能夠提供最佳的 GaN FET 保護(hù)。

當(dāng) OTSD-IDM 對(duì) GaN FET 進(jìn)行保護(hù)時(shí)，OTSD-IDM 會(huì)考慮整個(gè)、部分或完全不考慮電源系統(tǒng)的運(yùn)行情況。電源系統(tǒng)可能無法通過自行關(guān)閉，對(duì)在 GaN OTSD 事件中 LMG342xR030 將“故障”引腳置位進(jìn)行響應(yīng)，只會(huì)繼續(xù)嘗試運(yùn)行。電源系統(tǒng)某些部分可能會(huì)因控制器軟件故障、焊點(diǎn)斷裂或器件出于保護(hù)自身緣故而關(guān)斷等任何原因而停止運(yùn)行。在電源系統(tǒng)關(guān)閉的瞬間，電源系統(tǒng)停止提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，但電感元件在放電時(shí)會(huì)繼續(xù)強(qiáng)制電流流動(dòng)。

OTSD-IDM 狀態(tài)機(jī)如 圖 7-6 所示。對(duì)于每個(gè)狀態(tài)，在狀態(tài)框的右上方都有一個(gè)狀態(tài)編號(hào)。

圖 7-6 過熱關(guān)斷理想二極管模式（OTSD-IDM）狀態(tài)機(jī)

1. 如果輸入引腳上檢測(cè)到了下降沿，LMG342xR030 GaN FET 將始終進(jìn)入狀態(tài) #1。OTSD-IDM 在 OTSD-IDM 狀態(tài) #1 時(shí)關(guān)閉 GaN FET。OTSD-IDM 等待輸入下降沿消隱時(shí)間結(jié)束。這段時(shí)間為對(duì)側(cè) FET 提供了開關(guān)時(shí)間，以便產(chǎn)生正漏極電壓。消隱時(shí)間結(jié)束后，器件會(huì)進(jìn)入 OTSD-IDM 狀態(tài) 2。
2. 對(duì)于 OTSD-IDM 狀態(tài) #2，如果來自 OTSD-IDM 狀態(tài) #1，OTSD-IDM 會(huì)保持 GaN FET 關(guān)斷狀態(tài)；如果來自 OTSD-IDM 狀態(tài) #3，OTSD-IDM 會(huì)關(guān)閉 GaN FET。在 OTSD-IDM 狀態(tài) #2 時(shí)，OTSD-IDM 會(huì)監(jiān)測(cè) GaN FET 的漏極電壓。它在尋找負(fù)向漏極電壓，這意味著第三象限電流正在流動(dòng)。這也是器件進(jìn)入 OTSD 時(shí)的起始狀態(tài)。檢測(cè)到 GaN FET 負(fù)向漏極電壓后，器件會(huì)進(jìn)入 OTSD-IDM 狀態(tài) #3
3. 在 OTSD-IDM 狀態(tài) #3 時(shí)，OTSD-IDM 會(huì)打開 GaN FET。該狀態(tài)下，OTSD-IDM 會(huì)監(jiān)測(cè)漏極電流。如果檢測(cè)到第一象限漏極電流，器件會(huì)進(jìn)入 OTSD-IDM 狀態(tài) #2。

狀態(tài) #1 用于防止擊穿電流。狀態(tài) #1 在進(jìn)入狀態(tài) #2 前會(huì)等待一段固定的時(shí)間。固定的時(shí)間段是為了給對(duì)側(cè)開關(guān)提供開關(guān)時(shí)間，以及產(chǎn)生正向漏極電壓。預(yù)留固定時(shí)間是為了避免在未產(chǎn)生正向漏極電壓的情況下出現(xiàn)卡滯情況。

如果在 LMG342xR030 進(jìn)入 OTSD 以后轉(zhuǎn)換器繼續(xù)開關(guān)，狀態(tài) #1 有助于防止擊穿電流。同時(shí)，如果轉(zhuǎn)換器在 LMG342xR030 已經(jīng)進(jìn)入 OTSD 狀態(tài)情況下啟動(dòng)開關(guān)，該等情況下，可通過先開關(guān) OTSD 設(shè)備的方式，迫使其進(jìn)入狀態(tài) #1，從而獲得擊穿電流保護(hù)。例如，升壓 PFC 中的同步整流器能夠在初始輸入電源應(yīng)用期間進(jìn)入 OTSD，因?yàn)槔擞侩娏鲿?huì)對(duì) PFC 輸出電容充電。如果轉(zhuǎn)換器在開關(guān)升壓 PFC FET 以前先開關(guān)同步整流器 FET，則可以避免擊穿電流事件。

如果沒有輸入信號(hào)，狀態(tài)機(jī)會(huì)僅作為典型理想二極管模式狀態(tài)機(jī)，在狀態(tài) #2 與狀態(tài) #3 之間移動(dòng)。這樣，當(dāng)電源系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)，所有電感元件都會(huì)放電，并且 GaN FET 會(huì)產(chǎn)生最小的放電應(yīng)力。

注：OTSD-IDM 狀態(tài)機(jī)沒有針對(duì)重復(fù)擊穿電流事件的保護(hù)。存在退化情況，例如，LMG342xR030 在轉(zhuǎn)換器運(yùn)行期間丟失輸入信號(hào)，這可能會(huì)導(dǎo)致 IDM 受到重復(fù)的擊穿電流事件的影響。這種情況下，沒有很好的解決方案。如果 OTSD-FET 不允許發(fā)生重復(fù)的擊穿電流事件，GaN IDM 反而會(huì)承受過大的關(guān)斷狀態(tài)第三象限損耗。