ZHCSG61B march 2017 – april 2023 LMG1205
PRODUCTION DATA
LMG1205 設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高邊和低邊增強模式氮化鎵 (GaN) FET。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管,還為高邊和低邊輸出分別提供了獨立的輸入,可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高邊偏置電壓采用自舉技術(shù)生成,內(nèi)部鉗位為 5V,可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容,并且無論 VDD 電壓如何,都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LMG1205 具有分離柵輸出,可獨立靈活地調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
此外,LMG1205 具有強勁的灌電流能力,可使柵極保持低電平狀態(tài),從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LMG1205 的工作頻率可高達數(shù) MHz。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝,具有緊湊的外形尺寸和超小的封裝電感。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(標(biāo)稱值) |
|---|---|---|
| LMG1205 | DSBGA (12) | 2.00mm x 2.00mm |
簡化版應(yīng)用示意圖