ZHCSI75B April 2008 – January 2016 LM7332
PRODUCTION DATA.
LM7332 輸出級根據設計可提供最大輸出電流能力。即使瞬時輸出對地短路并且在所有工作電壓下都能容忍任意電源,但持續時間較長的短路狀態可能會導致結溫上升到超過器件的絕對最大額定值,特別是在電源電壓較高的條件下。低于 6V 的電源電壓時,可以無限期容忍輸出短路狀態。
運算放大器與負載連接時,該器件的功耗包括由于電源電流流入器件而產生的靜態功耗以及由負載電流引起的功耗。負載功耗本身可包括一個平均值(由直流負載電流引起)和一個交流分量。如果存在輸出電壓偏移或輸出交流平均電流不為零,或如果運算放大器工作在單電源應用中,而此情況下的輸出保持在線性工作范圍內的某處,那么直流負載電流將會流動起來。
因此,
運算放大器靜態功耗根據Equation 6 算出:
where
直流負載功耗根據Equation 7 算出:
where
交流負載功耗的計算方式為 PAC = Table 1 所示的值。
Table 1 顯示了運算放大器在標準正弦波、三角波和方波波形條件下的負載功耗的最大交流分量:
| PAC (W.Ω/V2) | ||
|---|---|---|
| 正弦波 | 三角波 | 方波 |
| 50.7 x 10−3 | 46.9 x 10−3 | 62.5 x 10−3 |
表格條目標準化為 VS2/RL。要計算功耗的交流負載電流分量,只需將對應于輸出波形的表格條目乘以系數 VS2/RL 即可。例如,在 ±12V 電源、600Ω 負載和三角波波形的條件下,輸出級中的功耗計算如下:
特定溫度下允許的最大功耗是允許的最高管芯結溫 (TJ(MAX))、環境溫度 TA 和結至環境的封裝熱阻 RθJA 的函數。
對于 LM7332,允許的最高結溫為 150°C,在此溫度下不允許有功耗。同樣,25°C 下的功率容量由Equation 10 和Equation 11 算出。
對于 VSSOP 封裝:
對于 SOIC 封裝:
同樣,125℃ 下的功率容量由Equation 12 和 Equation 13 算出。
對于 VSSOP 封裝:
對于 SOIC 封裝:
Figure 54 顯示了采用 VSSOP 和 SOIC 封裝時的功率容量與溫度間的關系。最大熱性能線下面的區域是器件的工作區域。當器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作區域內工作時,器件結溫將保持在 150°C 以下。如果環境溫度與封裝功率的交匯點高于最大熱性能線,則結溫將超過 150°C,必須嚴格禁止這種情況。
Figure 54. 功率容量與溫度間的關系 當需要高功率而又不能降低環境溫度時,提供氣流是降低熱阻進而提高功率容量的有效方法。