電源輸入通常在開關(guān)頻率下具有相對(duì)較高的源阻抗。需要高質(zhì)量的輸入電容器來限制輸入紋波電壓。如前所述，雙通道交錯(cuò)運(yùn)行會(huì)顯著降低輸入紋波振幅。通常，紋波電流會(huì)根據(jù)電容器在開關(guān)頻率條件下的相對(duì)阻抗在幾個(gè)輸入電容器之間進(jìn)行分流。

1. 選擇具有足夠電壓和 RMS 紋波電流額定值的輸入電容器。
2. 使用方程式 38 并假定最差情況下占空比工作點(diǎn)為 50% 來計(jì)算輸入電容器 RMS 紋波電流。
   方程式 38. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{r}\mathrm{m}\mathrm{s}\right)}\mathrm{ }=\mathrm{ }{\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}\times \sqrt{\mathrm{D}\times (1-\mathrm{D})}\mathrm{ }=8\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }\times \mathrm{ }\sqrt{0.5\mathrm{ }\times \mathrm{ }(1-0.5)}=4\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }$
3. 使用方程式 39 來查找所需的輸入電容。
   方程式 39. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\ge \mathrm{ }\frac{\mathrm{D}\times \left(1-\mathrm{D}\right)\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times {(\mathrm{\Delta }\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}-{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{S}\mathrm{R}}\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}})}=\frac{0.5\times \left(1-0.5\right)\times 8\mathrm{}\mathrm{A}}{400\mathrm{}\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\mathrm{ }\times \left(480\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{V}-2\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{\Omega }\mathrm{ }\times \mathrm{ }8\mathrm{}\mathrm{A}\right)}=\mathrm{ }10.8\mathrm{}\mathrm{\mu }\mathrm{F}$

   其中

   • ΔV_IN 是輸入峰峰值紋波電壓規(guī)格。
   • R_ESR 是輸入電容器 ESR。
4. 確認(rèn)陶瓷電容器的電壓系數(shù)后，選擇兩個(gè) 4.7μF、100V、X7R、1210 陶瓷輸入電容器。將這些電容器靠近 VIN 和 PGND 引腳放置。
5. 在 VIN 和 PGND 引腳附近放置一個(gè) 10nF、100V、X7R、0603 陶瓷電容器，以在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間提供高 di/dt 電流。此類電容器在高于 100MHz 條件下提供高自諧振頻率 (SRF) 和低有效阻抗。這樣可以減小電源環(huán)路寄生電感，以盡可能地減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖和振鈴，從而減小傳導(dǎo)和輻射的 EMI 信號(hào)。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱節(jié) 7.4.1。