在高電流、快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器電路（具有高電流和電壓壓擺率）中，為了實(shí)現(xiàn)可靠的器件運(yùn)行和設(shè)計(jì)穩(wěn)健性，正確的 PCB 設(shè)計(jì)和布局非常重要。此外，轉(zhuǎn)換器的 EMI 性能在很大程度上取決于 PCB 布局。

在圖 7-36 中，降壓穩(wěn)壓器功率級(jí)的高頻電源環(huán)路以紅色表示，降壓穩(wěn)壓器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)意味著圖中所示的元件中流過(guò)特別高的 di/dt 電流。必須通過(guò)盡可能減小有效環(huán)路面積來(lái)降低此環(huán)路的寄生電感。

圖 7-36 輸入電流環(huán)路

以下列表總結(jié)了用于優(yōu)化直流/直流轉(zhuǎn)換器性能（包括熱特性和 EMI 特性）的 PCB 布局和元件放置基本指南。圖 7-37 展示了 LM706x0 的推薦布局，并優(yōu)化了功率級(jí)和小信號(hào)元件的布局和布線。

• 將輸入電容器盡可能靠近輸入引腳對(duì)放置：VIN 和 PGND 引腳靠近在一起（中間有一個(gè)間隙以增加電氣間隙），從而簡(jiǎn)化了輸入電容器的放置。
  • 在 VIN 到 PGND 之間放置具有 X7R 或 X7S 電介質(zhì)的低 ESR 陶瓷電容器。將 0402 電容器靠近 VIN 放置以實(shí)現(xiàn)高頻旁路，如圖 7-37 所示。使用額外的 1206 或 1210 電容器作為大容量電容。
  • 輸入電容器和輸出電容器的接地返回路徑必須包含連接到 PGND 引腳的局部頂層平面。
• 在 IC 頂層下方的 PCB 層上使用實(shí)心接地平面：該層充當(dāng)噪聲屏蔽層和散熱路徑。使用 IC 正下方的 PCB 層可最大限度地減少與開(kāi)關(guān)環(huán)路中的電流相關(guān)的磁場(chǎng)，從而減少寄生電感以及開(kāi)關(guān)電壓過(guò)沖和振鈴。在 PGND 附近使用多個(gè)散熱過(guò)孔，以便向內(nèi)部接地平面散熱。
• VIN、VOUT 和 GND 總線連接越寬越好：這些路徑必須盡可能寬和直，以減少轉(zhuǎn)換器輸入或輸出路徑上的任何壓降，從而更大限度地提高效率。
• 將降壓電感器靠近 SW1、SW2 和 SW3 引腳放置：在轉(zhuǎn)換器 SW 引腳和電感器之間使用短而寬的連接引線。同時(shí)，盡量減小此高 dv/dt 表面的長(zhǎng)度（和面積），以幫助減少電容耦合和輻射 EMI。將電感器的同名端連接到 SW 引腳。
• 將 VCC 和 BOOT 電容器靠近相應(yīng)的引腳放置：VCC 和 BOOT 電容器分別表示內(nèi)部低側(cè)和高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的電源，因此會(huì)承載高頻電流。將 C_VCC 靠近 VCC 引腳放置，并在返回端子處放置一個(gè) GND 過(guò)孔以連接到 GND 平面，從而在外露焊盤處返回到 IC GND。將 C_BOOT 連接到靠近 CBOOT 和 SW4 引腳的位置。
• 將反饋分壓器盡可能靠近 FB 引腳放置：通過(guò)將電阻分壓器靠近 FB 引腳而不是靠近負(fù)載放置，降低輸出電壓反饋路徑的噪聲敏感度。這可減少 FB 布線長(zhǎng)度和相關(guān)的噪聲耦合。FB 引腳是電壓環(huán)路誤差放大器的輸入，并代表對(duì)噪聲敏感的高阻抗節(jié)點(diǎn)。到 V_OUT 的連接可能會(huì)更長(zhǎng)一些。不過(guò)，不得將這一條較長(zhǎng)的布線布置在任何可能會(huì)通過(guò)電容耦合到轉(zhuǎn)換器反饋路徑的噪聲源（例如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)）附近。
• 提供足夠大的 PCB 面積以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳?/em>：使用足夠的覆銅區(qū)實(shí)現(xiàn)與最大負(fù)載電流和環(huán)境溫度條件相稱的低熱阻抗。為 LM706x0 提供足夠的散熱，以將結(jié)溫保持在 150°C 以下。對(duì)于滿額定負(fù)載運(yùn)行，頂部接地層是一個(gè)重要的散熱區(qū)域。使用矩陣式散熱過(guò)孔將封裝的外露焊盤 (GND) 連接到 PCB 接地平面。如果 PCB 具有多個(gè)銅層，請(qǐng)將這些散熱過(guò)孔連接到內(nèi)層接地平面。最好使用 2 盎司（不少于 1 盎司）的銅制作 PCB 頂層和底層。