電源輸入通常在開關頻率下具有相對較高的源阻抗。需要高質量的輸入電容器來限制輸入紋波電壓。如前所述，雙通道交錯運行會顯著降低輸入紋波振幅。通常，紋波電流會根據電容器在開關頻率條件下的相對阻抗在幾個輸入電容器之間進行分流。

1. 選擇具有足夠電壓和 RMS 紋波電流額定值的輸入電容器。
2. 使用方程式 38 并假定最差情況下占空比工作點為 50% 來計算輸入電容器 RMS 紋波電流。
   方程式 38. ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{r}\mathrm{m}\mathrm{s}\right)}\mathrm{ }=\mathrm{ }{\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}\times \sqrt{\mathrm{D}\times (1-\mathrm{D})}\mathrm{ }=8\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }\times \mathrm{ }\sqrt{0.5\mathrm{ }\times \mathrm{ }(1-0.5)}=4\mathrm{}\mathrm{A}\mathrm{ }$
3. 使用方程式 39 來查找所需的輸入電容。
   方程式 39. ${\mathrm{C}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}\mathrm{ }\ge \mathrm{ }\frac{\mathrm{D}\times \left(1-\mathrm{D}\right)\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}}}{{\mathrm{F}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times {(\mathrm{\Delta }\mathrm{V}}_{\mathrm{I}\mathrm{N}}-{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{S}\mathrm{R}}\times {\mathrm{I}}_{\mathrm{O}\mathrm{U}\mathrm{T}})}=\frac{0.5\times \left(1-0.5\right)\times 8\mathrm{}\mathrm{A}}{400\mathrm{}\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\mathrm{ }\times \left(480\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{V}-2\mathrm{}\mathrm{m}\mathrm{\Omega }\mathrm{ }\times \mathrm{ }8\mathrm{}\mathrm{A}\right)}=\mathrm{ }10.8\mathrm{}\mathrm{\mu }\mathrm{F}$

   其中

   • ΔV_IN 是輸入峰峰值紋波電壓規格。
   • R_ESR 是輸入電容器 ESR。
4. 確認陶瓷電容器的電壓系數后，選擇兩個 4.7μF、100V、X7R、1210 陶瓷輸入電容器。將這些電容器靠近 VIN 和 PGND 引腳放置。
5. 在 VIN 和 PGND 引腳附近放置一個 10nF、100V、X7R、0603 陶瓷電容器，以在 MOSFET 開關轉換期間提供高 di/dt 電流。此類電容器在高于 100MHz 條件下提供高自諧振頻率 (SRF) 和低有效阻抗。這樣可以減小電源環路寄生電感，以盡可能地減少開關節點電壓過沖和振鈴，從而減小傳導和輻射的 EMI 信號。有關更多詳細信息，請參閱布局指南。