ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 時(shí),ISOW784x 系列器件可提供高電磁抗擾度和低輻射。該信號(hào)隔離通道具有邏輯輸入和輸出緩沖器,由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵隔開,而電源隔離使用片上變壓器,采用薄膜聚合物作為絕緣材料進(jìn)行隔離。提供各種正向和反向通道配置。如果輸入信號(hào)丟失,不帶 F 后綴的 ISOW784x 器件默認(rèn)輸出高電平,而帶有 F 后綴的器件默認(rèn)輸出低電平(請(qǐng)參閱 VSI 和 VSO 可為 VCC 或 VISO,具體取決于通道方向)。
這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線(例如,RS-485、RS-232 和 CAN)或者其他電路上的噪聲電流進(jìn)入本地接地端以及干擾或損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)和布線技術(shù),該器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng),可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問(wèn)題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。電源轉(zhuǎn)換器效率較高,因而能夠在較高的環(huán)境溫度下工作。器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (SOIC-WB) DWE 封裝。