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ZHCSW61E April 2024 – September 2025 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DFH|4
- MPSS152C
DFG|4
- MPSS148B
DFS|4
- MPCS004B

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.9 開關(guān)特性

所有規(guī)格均在 T_A = 25℃ 時測得（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件	GPN	典型值	最大值	單位
AC
t_r	上升時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8110-Q1	3.2		μs
t_r	上升時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8113-Q1	2.5		μs
t_f	下降時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8110-Q1	4.0		μs
t_f	下降時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8113-Q1	7.5		μs
T_ON	導(dǎo)通時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	5.7		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	4.5		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	6.2		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	16.7		μs
T_OFF	關(guān)斷時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	3.6		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	3.7		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	3.1		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	2.7		μs
T_ON	導(dǎo)通時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3	V_CC=5V，R_L=4.7kΩ，I_F=1.6mA，C_L=50pF	ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	3.5		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	2.7		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	2.1		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	1.8		μs
T_OFF	關(guān)斷時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	8		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	9		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	11.5		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	13.5		μs
T_ON	導(dǎo)通時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3	V_CC=5V，R_L=1.9kΩ，I_F=16mA，C_L=50pF	ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	0.62		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	0.56		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	0.48		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	0.44		μs
T_OFF	關(guān)斷時間，請參閱圖 7-2 和圖 7-3		ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1	10		μs
			ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1	11		μs
			ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1	12.3		μs
			ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1	14.5		μs
t_s	存儲時間；輸入開啟再關(guān)閉時輸出波形從 0% (100%) 變?yōu)?10% (90%) 所需的時間，請參閱圖 7-3	V_CC = 5V，I_F = 1.6mA，R_L = 4.7kΩ	ISOM811x-Q1		21	μs
BW	帶寬，請參閱圖 7-4 和圖 7-5	V_{IN_DC} = 5V，V_{IN_AC} = 1Vpk，R_IN = 2kΩ，V_CC = 5V，R_LOAD = 100Ω，C_L = 50pF，在 V_CE –3dB 正弦波處測量	ISOM811x-Q1	680		kHz